AlGaAs插入层对InAs/AlGaAs/GaAs量子点的尺寸分布影响

采用MBE系统,在GaAs(001)表面用S-K模式分别在原子级平坦的GaAs和AlGaAs/GaAs表面沉积3 ML的InAs量子点,利用STM研究了AlGaAs插入层对InAs/GaAs量子点尺寸分布的影响。研究发现,AlGaAs插入层会使InAs/GaAs量子点平均尺寸变小,而尺寸分布变得分散;采用不同的InAs沉积速率生长量子点,发现随着InAs沉积速率的加快,量子点平均尺寸变小,密度增大,尺寸分布更为集中。     

从时代斗士到道德小人———论新时期作家笔下的知识分子形象演变

本文以《祖父在父亲心中》、《艳歌》和《废都》这三部作品的主人公为例，对新时期作家笔下的知识分子形象的演变进行探讨。     

利用ISSR分析野生蘑菇与双孢蘑菇的遗传多样性

利用ISSR分子标记对一批野生蘑菇进行分子鉴别，从选用的60 个ISSR 引物中，筛选出11 个引物，对供试的14个菌株基因组DNA 进行扩增，获得的指纹图谱清晰稳定、多态性强.结果表明，在获得的116个条带中，74.1％是多态性条带,相似系数从0.32到0.72.用NTSYS 软件进行聚类分析，野生蘑菇与双孢蘑菇的相似系数较低，最高的仅在0.7的水平上.研究结果表明，该批野生蘑菇有明显的遗传多样性，可以作为蘑菇杂交育种的资源.     

基于改进U-net的金属工件表面缺陷图像分割方法

针对金属工件表面小尺寸缺陷及受非均匀光照影响的图像缺陷难以分割的问题,提出了一种改进的U-net语义分割网络,实现金属工件表面缺陷图像的精确分割。首先,在U-net网络中融入CBAM(convolutional block attention module)模块来提升图像中缺陷目标的显著度;其次,采用深度超参数化卷积DO-Conv(depthwise over-parameterized convolutional)代替网络中部分传统卷积,增加网络可学习的参数数量;然后,采用Leaky Relu函数代替网络中部分Relu函数,提高模型对负区间的特征提取能力;最后,采用中值滤波及非均匀光照的补偿方法进行图像预处理,减弱非均匀光照对金属工件图像表面缺陷的影响。结果表明:改进后的网络平均交并比、准确率和Dice系数指标分别达到0.833 5、0.933 2、0.867 4,改进的网络显著提升了对金属工件表面缺陷图像的分割效果。     

衬底温度对InxGa1-xN薄膜结构特性的影响

本文采用MOCVD工艺,通过调整衬底温度(固定其它工艺参数)来沉积用于太阳电池的InxGa1-xN薄膜,并利用X射线衍射仪(XRD)、X射线荧光光谱仪(XRF)、扫描电子显微镜(SEM)和台阶仪来分析研究其结构特性.衬底温度较低时有利于薄膜的In注入,衬底温度较高时有利于沉积高结晶质量的InxGa1-xN薄膜.当衬底温度为470℃时,在硅衬底上所沉积的InxGa1-xN薄膜In含量较高,为46.92%;薄膜表面光滑致密,粗糙度小;颗粒较大,且颗粒大小均匀.     

中国古代田宅买卖契约的条款

田宅买卖契约是中国古代契约中最重要的一类契约,其内容条款经历了由简单到复杂、由不完善到完善的过程。本文从田宅买卖契约的六个主要条款(买卖标的、田宅赋税转移、税契问题、契约的法律责任、亲邻权的处理、上手契问题)入手,分析了这一变化过程,指出它的发展完善不仅是人们长期积累经验的结果,历代政府的管理和干预也起了很大作用。     

Ga沉积量对形成AlGaAs表面纳米结构的影响

利用液滴外延技术在Al0.4Ga0.6As表面制备了纳米结构并用原子力显微镜进行表征,发现纳米结构的密度随金属Ga沉积量的增加呈先增加后减小再增加的趋势.这种密度异常变化的现象,主要是由于液滴之间相互扩散并最终形成连续的平坦层,随着沉积量的继续增加,新吸附的Ga原子在平坦层上面形成新的Ga液滴,从而导致了密度的降低.此外,纳米结构的孔深、孔径、环高和盘径几何特征尺寸随着沉积量的增加而增加,且在表面[1-10]和[110]两个方向上纳米结构中的量子环以及盘状结构的形貌特征呈现各向异性.     

对一道高考题的探究

2006年江西高考理科压轴题的最后一问经提取后，即是要证明以下不等式成立：（1=1/3）（1-1/3……2）（1-1/3……3）·…·（1-1/3^n）〉1/2（n∈N^＋）注意到此不等式与自然数有关，故考虑用数学归纳法证明．而该式左边为含，2的表达式，右侧为一常数，由数学归纳法证明过程易想到如果不对1/2进行变形是很难证得原不等式的．采取对1/2变形再证明正是标准答案所给解法，也是市面上教辅材料中一般采用的解法．