面向鲁棒控制的l1中心估计算法及其误差界

分析了具有ｌ１误差的线性时不变系统的最不利情况的辨识问题，对系统假设的先验信息是未知系统的脉冲响应函数控制稳定，并且假设实验数据具有有界噪声干扰的一般输入响应样本，提出了中心估计算法，分析了其最不利情况的误差界限，所给算法和辨识结果是面向鲁棒控制的。     

重庆汽车产业配置与地域类型

运用产业经济学和区域经济地理学的原理、结合地理学的分析方法,着重探讨了重庆汽车产业配置地域运动过程和促使其演变的原因.划分重庆汽车产业分布为四种地域类型:“嘉陵江东岸与长江北岸型”;“长江南岸型”;“嘉陵江西岸型”;“飞地型”.对重庆汽车产业配置特点,存在问题作了深入地剖析与揭示,并对今后调整作了初步的设想.     

直线与平面(选择题五题)

1.“两条平行线确定一个平面”,此命题可分开看作 (A)半定理,半推论 (B)半推论,半定义 (C)半定义,半公理 (D)半公理,半定理     

全面发展,面向实际,提高质量,形成特色

在祖国北疆齐齐哈尔市嫩江畔劳动湖滨,有一所黑龙江省地方高等工业学校——齐齐哈尔轻工学院。她诞生于国家第一个五年计划的第一年—一九五二年,迄今已有三十五年的历史了。最初的校名为黑龙江省高级职业学校,一九五三年经东北地区中等专业学校调整为齐齐哈尔化工学校。一九五九年将黑龙江省四所化工类院校(系)调整合并,在齐齐哈尔化工学校的基础上,成立齐齐哈尔化工学院,大学、中专合办。一九七七年经国务院批准,改建为齐齐哈尔轻工学院。     

稀掺杂GaNxAs1－x(x≤0.03)薄膜的调制光谱研究

利用室温下压电调制反射光(PzR)谱技术系统测量了N掺杂浓度为0.0%—3%的分子束外延生长GaN_xAs_1-x薄膜，并对图谱中所观察的光学跃迁进行了指认.在GaN_0.005As_0.995和GaN_0.01As_0.99薄膜的PzR谱中观察到此前只在椭圆偏振谱中才看到的N掺杂相关能态E₁+Δ₁+Δ_N.当N掺杂浓度达到 关键词： 压电调制反射光谱(PzR) xAs_1-x薄膜')" href="#">GaN_xAs_1-x薄膜 分子束外延(MBE)     

CsI(Tl)晶体中反冲Cs和I核Quenching?Factor的测量

许多实验对用CsI(Tl)闪烁晶体作为探测器来寻找和探测暗物质的可行性进行了研究.本工作利用8MeV单能中子轰击CsI(Tl)晶体探测器来研究Cs核和I核的QuenchingFactor.在数据处理中,运用脉冲形状甄别(PSD)方法来分辨反冲核信号和本底信号.实验结果表明,在7keV到132keV的能区中,Quench ingFactor随着反冲核能量的减少而增加.在探测暗物质的实验中,这一性质对于CsI(Tl)晶体探测器获得较低的能量阈值是很有利的.     

高电荷态离子207Pbq+(24≤q≤36)与Si(110)固体表面作用的电子发射研究

报道了利用兰州重离子加速器国家实验室ECR源引出的高电荷态离子207Pbq+(24≤q≤36)入射到Si(110)表面产生的电子发射的实验测量结果.结果表明,高电荷态离子与固体表面相互作用产生的电子发射产额Y与入射离子的电荷态q、入射角度ψ和入射能量E都有很强的关联.首次发现,电子发射产额Y与入射角度ψ间有接近1/tanψ的关系.理论分析认为,这些过程与基于经典过垒模型的势能电子发射过程密切相关.     

异丙基苯基酮的合成研究

给出了合成异丙基苯基酮的最佳反应物料比，反应温度和时间，并对产物进行了表征。