MkdV方程族的换位表示及其相应的Liouville完全可积系统

本文给出了ＭｋｄＶ方程族的换位表示及一个有限维对合系，并讨论了Ｂａｒｇｍａｎｎ约束和Ｃ．Ｎｅｕｍａｎｎ约束及其相应的定态ＭｋｄＶ系统。最后，我们得到ＭＫｄＶ方程族的对合解。     

抗日战争时期广西难民救济工作试析

抗日战争给中国人民带来了深重的民族灾难,广西也遭受了日军的两次入侵 ,导致大量难民的产生 。在严重的难民潮面前,新桂系当局采取了许多救济措施 ,这些措施收到了很大的成效 ,较好地解决了当时严重的难民问题 。     

对企业经营者薪酬的探索

<正> 企业是经济的细胞,企业发展的好坏,直接影响着经济发展的速度、国力的增强和社会安定。企业问题是经济问题、政策问题和社会问题的集中反映。一个企业有没有一个好的领导班子,决定着这个企业是发展还是资不抵债,也决定着国有资产能否保值增值,职工的生活能否保障,社会能否安定。目前我国还存在着大量的管理混乱、资不抵债、近于瘫痪、职工无工可做,有严重不稳定因素的企     

First-Principles Study on the Electronic Structures for Y^3＋：PbWO4 Crystals

The possible defect models of Y^3＋：PbWO4 crystals are discussed by defect chemistry and the most possible substituting positions of the impurity Y^3＋ ions are studied by using the general utility lattice program （GULP）. The calculated results indicate that in the lightly doped Y^3＋ ：PWO crystal, the main compensating mechanism is [2Ypb^＋ ＋ VPb^2-], and in the heavily doped Y^3＋ ：PWO crystal, it will bring interstitial oxygen ions to compensate the positive electricity caused by YPb^＋, forming defect clusters of [2Ypb^＋ ＋Oi^2-] in the crystal. The electronic structures of Y3＋ ：PWO with different defect models are calculated using the DV-Xα method. It can be concluded from the electronic structures that, for lightly doped cases, the energy gap of the crystal would be broadened and the 420nm absorption band will be restricted; for heavily doped cases, because of the existence of interstitial oxygen ions, it can bring a new absorption band and reduce the radiation hardness of the crystal.     

最优控制系统综合问题中首次积分的应用

在具有固定时间和自由右端的变分问题中，利用自由未控制对象运动方程的首次积分．较详细讨论了最优控制系统综合方法．     

关于玉林师院学生参加课外体育活动的调查研究

采用问卷调查与数理统计相结合的方法，对玉林师院学生参加课外体育活动的情况进行调查研究。结果显示，大部份的学生喜欢参加课外体育活动，动机是好的，时间为每周2小时左右居多。另外，调查中反映，学校场地不足、器材少是影响学生参加课外体育活动主要的因素。     

基于DNN的高校科研管理信息系统的分析与设计

以杭州师范学院科研管理系统为示例,将科研管理业务逻辑进行重组,以实现科研管理系统化、规范化的目标,并运用DNN应用程序框架对该系统进行设计,特别是页面管理和模块定义功能实现了用户接口和业务逻辑,具有成本小、可重用性和可扩充性等特点.     

分段子宫血管结扎术治疗剖宫产出血5例

对5例剖宫产后大出血患者(2例前置胎盘、1例子宫收缩乏力、1例胎盘早剥、1例子宫胎盘卒中)施行分段子宫血管结扎,全部有效.此术对患者产后生理功能恢复无影响.认为此术可作为控制产后出血的手段之一.     

变In组分沟道的MM-HEMT材料电子输运特性研究

在变缓冲层高迁移率晶体管（MM_HEMT）器件中，二维电子气的输运性质对器件性能起着决定作用.通过低温下二维电子气横向电阻的量子振荡现象，结合变温度的Hall测量，系统研究了不同In组分沟道MM_HEMT器件中子带电子迁移率和浓度随温度的变化关系.结果表明，沟道中In组分为0.65的样品，材料电学性能最好，In组分高于0.65的样品，严重的晶格失配将产生位错，引起迁移率下降，大大影响材料和器件的性能. 关键词： 变缓冲层高迁移率晶体管 Shubnikov_de Hass 振荡     

浅析银行中间业务系统的设计与实现

讨论了银行中间业务系统方案，分析了中间业务系统的各个环节，并对实现方式提出了建设性意见。