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61.
为了研究强耦合项的非线性椭圆型p-Laplacian方程组大解的存在性问题,文章运用上下解方法,主要讨论R N上一类椭圆型方程组大解的存在性及需要满足的条件。关键在于通过一组不等式的可解性,寻求可解的条件,从而得到方程组大解存在需要满足的条件,即(a-p+1)(e-q+1)相似文献
62.
为了发挥编队反导资源的作战效能,提高整体作战能力,可将编队反导资源进行统一调度使用。借鉴柔性工作调度的思路,结合反导资源作战使用的实际情况,建立了编队反导资源调度模型,然后运用混合粒子群算法进行求解。调度模型不但可以确定对每枚反舰导弹抗击的次序,而且还可以确定抗击的开始和结束时间。混合粒子群算法编码简单,操作性强。仿真实例表明,调度模型合理有效,算法收敛速度快、迭代次数少。 相似文献
63.
64.
为了解决手工设计时,工作效率低、无法保证发电机组的安全和经济运行等问题,建立了扩容器选择数学模型,并采用Visual Basic 6.0开发扩容器选择计算机系统. 在系统中使用ActiveX数据对象通过OLE DB Provider访问数据库服务器中的数据,具有对基础数据的管理功能. 利用扩容器选择计算机系统可以做到操作简单,减少人为造成的误差,提高设计效率. 相似文献
65.
采用射频磁控溅射技术在硅衬底上制备了ZnO∶Eu3+薄膜,利用X射线衍射仪和荧光光谱仪对样品的微观结构及光学性能进行了表征。结果表明:ZnO∶Eu3+薄膜具有六角纤锌矿结构;在基质激子的激发下,ZnO∶Eu3+有很强的Eu红光特征发射且强度随着ZnO缺陷的增加而增加,激发光谱中出现ZnO的带间激发与纯Eu2O3的直接激发光谱,证明了ZnO和Eu3+之间存在能量转移;荧光衰减谱也进一步证明Eu3+依赖ZnO缺陷的能量转移过程,Eu3+的衰减时间随着ZnO缺陷的衰减时间的变化而变化,促进能量传递的一个有效的方法就是在ZnO基质中确定一个合适的缺陷中心。 相似文献
66.
硝酸甘油(NTG)用于治疗心绞痛的历史已有一个多世纪,在大多数情况下极其有效,然而耐药性的产生是“一个百年未解之谜”。国外最新报道卡托普利能防止持续应用NTG时NTG耐药的出现,笔者对此进行了临床验证。1资料与方法入选对象是患有劳累性心绞痛的住院病人和门诊病人,12例均为男性,年龄54-67岁(58±8岁),体重73±10公斤。随机将病人分成两组,一组连续服用卡托普利12.5mgtid,另一组连续服用安慰剂,14-15天后两组病人应用安慰贴敷剂贴敷7-8天进行第1次平板运动试验,随后应用NTG贴… 相似文献
67.
页岩储层具有基质渗透率低、天然裂缝发育复杂等特点,主要采用多段压裂水平井的方式进行开发.页岩气井的生产分为放压生产和控压生产两种方式,目前学者们普遍认为控压生产能够增加EUR,且应力敏感性是控压生产效果优于放压生产效果的主要原因.文章在考虑基质和裂缝应力敏感的基础上,进一步考虑基质岩石的蠕变效应,建立变压蠕变影响的嵌入式离散裂缝模型,通过数值模拟方法分析应力敏感和蠕变效应对不同生产方式生产效果的影响.结果表明,只考虑应力敏感时,放压生产优于控压生产,只有考虑蠕变效应时,控压生产效果才会优于放压生产,抑制页岩的蠕变效应是控压生产提高气井EUR的机理之一.随控压时长的增加,气井EUR呈现先增加后降低的趋势,控压生产存在一个最优值;基质蠕变参数越大、人工裂缝导流能力越高、基质渗透率越小、吸附体积越小、控压生产增产的效果越好.本研究从机理上解释了控压生产的增产机理,为页岩气井的生产制度优化奠定了基础. 相似文献
68.
巴比妥酸-3,4-C60吡咯衍生物的电子光谱及二阶非线性光学性质的理论研究 总被引:4,自引:1,他引:3
利用量子化学半经验AM1和ZINDO方法研究了巴比妥酸-3,4-C60吡咯衍生物的结构规律和光谱性质.以全自由度优化几何构型为基础,计算了化合物的电子光谱.对电子跃迁进行了指认,分析了光谱红移的原因,两类化合物在400 nm以上均产生非C60特征吸收.同时用INDO/CI-SOS方法计算了所设计的体系的二阶非线性光学系数βμ,其中βμ最大可达402.3×1030 esu.体系具有A-D-A结构,其共轭性对光谱和二阶非线性光学系数有较大影响,共轭程度越高,体系的βμ值越大,而λmax红移.与巴比妥酸-3,4-C60吡咯衍生物比较,相应的硫代巴比妥酸-3,4-C60吡咯衍生物的βμ值较大. 相似文献
69.
70.
研究Al-Me(Me:Mg,Zn,Bi,Sn,Pb,In,Ga)二元合金在25℃ 4 mol/L NaOH碱性介质中的析氢腐蚀速率、自腐蚀电位、恒电流极化电极电位.结果表明:在25℃ 4 mol/L NaOH碱性介质中,纯铝中加入Zn或In的Al-Me二元合金析氢腐蚀速率增大,自腐蚀电位负移;加入Bi或Ga的Al-Me二元合金析氢速率影响不大,自腐蚀电位负移;添加Mg,Sn或Pb的Al-Me二元合金析氢速率降低,自腐蚀电位正移.当以100 mA/cm2的电流密度进行恒电流极化时,Mg,Zn,Bi,In能使Al-Me二元合金电极电位稍有负移,Sn,Pb,Ga能使Al-Me二元合金电极电位大幅度负移. 相似文献