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501.
滑动时间窗算法主要涉及窗体大小、步长和位置交换范围三个参数。这三个参数对算法的有效性和效率都有非常重要的影响。为了寻求这三个参数对算法的具体影响和最优组合,首先对算法的复杂度进行了分析和评估;而后探索和总结了这三个参数之间的关系。最后,在设计和实现该算法的基础上,通过仿真找到了实时性约束条件下,优化效果最好时三个参数的取值,即窗口大小为7,移动步长为3,交换范围约束为4时,计算结果最好。通过大量的数据验证了在最优参数组合下算法的有效性,为科学地使用滑动时间窗算法提供了依据。 相似文献
502.
在岩心图像分析中,低分辨率岩心图像能够显示较大视域,具有较好的全局代表性,而对于低尺度信息无法准确表征;高分辨率岩心图像能够准确地表征岩心的低尺度信息,但通常仅能显示较小的视域.为了能综合分析高低分辨率下的不同岩心图像,本研究提出了一种基于模拟退火,将低分辨率三维岩心图像和高分辨率二维岩心图像融合重建为高分辨率三维岩心的算法.具体地,对于给定的高分辨率二维岩心图像,首先,将低分辨率三维岩心图像进行插值放大以统一两者的点长度,统计二者在二维中的孔隙分布情况,只保留高分辨率二维岩心图像中的小尺寸孔隙,以作为训练图像;然后,在融合重建过程中将低分辨率三维岩心中的大尺寸孔隙相设置为硬数据,以两点相关函数为目标函数重建其中的小尺寸孔隙.实验结果表明,本研究提出的融合重建算法可以很好的将低分辨率岩心重建为高分辨率岩心结构,且融合重建结果有效,准确. 相似文献
503.
1895年,德国物理学家伦琴(W.C.Rontgen)发现X射线后,由于许多X射线工作者的努力,对其产生性质和理论已研究得相当透彻,并在许多领域获得广泛应用. 相似文献
504.
505.
捷联惯性导航系统的姿态算法优化设计 总被引:6,自引:1,他引:5
在圆锥运动条件下,具有相同时间间隔的两个角增量的叉乘对圆锥补偿的贡献相等.本文根据这一特点,设计了一种捷联惯导系统姿态算法,在圆锥补偿获得相同精度的情况下,它的计算量较少.同时,利用此特点,推导出利用前一圆锥补偿周期的角增量进行圆锥补偿的算法,提高了补偿精度.本文给出了仿真实验结果.本文为研制激光陀螺捷联惯导系统提供了一种高精度算法. 相似文献
506.
20世纪地球物理学的主要成就和21世纪上、中叶的发展前沿 总被引:1,自引:1,他引:0
20世纪在地球物理学领域里,取得了辉煌的成就。为人类社会的进步、经济的发展和深化对地球本体的认识诸方面均做出了不可磨灭的贡献。当今人类正面临着世纪之交的时代更迭,在对2l世纪的上.中叶将必会是人类社会发展史上的一个巨大的变革时期。为此本将讨论以下三个问题:(I)地球物理学的发展进程和其战略意义;(2)20世纪主要的重大成就;(3)2l世纪上、中叶的发展前沿和导向。 相似文献
507.
滕建宇 《玉林师范学院学报》2001,22(3):132-134
体操教学能力是体育教师和体育工作者必须掌握的最基本的教学能力,体操教学能力能否很好的掌握,在一定程度上影响体育教师的的教学水准和素质;经分析,影响体操教学能力的因素主要是:受传统的教学思想的影响;旧的课时设置和不合理的体操内容;生源的质量等。本文通过文献资料、调查询问等方法进行分析当前高师体育专业学生的体操教学能力上存在的问题并提出意见和建议。 相似文献
508.
介绍89C2051单片机与MODEM硬件接口及其编程技术,解决了进口热能计量仪表采集的数据信息与管理计算机之间远传的技术难题。为此设计的智能接口将仪表和MODEM组成信息网络传输系统,基于市活网的环境下,实现计量终端与管理计算机系统之间的数据通信,为管理信息系统提供可靠的记录数据,实现管理信息自动化。 相似文献
509.
水文地质参数的高效、准确、智能化获取对地下水资源科学管理和地下工程安全建设具有重要意义,因此提出一种新的水文地质参数智能反演方法.首先,提出了改进的算术优化算法(Chaotic Simplex Arithmetic Optimization Algorithm, CSAOA),在搜索空间中使用混沌理论初始化粒子位置,引入随机优化的超参数自适应调整策略,同时使用单纯形法优化粒子位置更新法则,进一步提高算法的局部开发能力和勘探能力,减小算法陷入局部最优的概率.其次,选取8个基准函数进行数值实验,结果表明CSAOA算法在前期勘探收敛速度和后期局部开发收敛精度方面优于其他对比算法.再次,将传统的人工配线法转化为基于优化算法的全局最优化问题,构建基于CSAOA算法的水文地质参数反演模型,提出了基于CSAOA算法的水文地质参数智能反演方法.最后,将该方法应用于泰斯和汉图什井流模型参数反演实例进行验证,快速准确反演得到了水文地质参数,实现了水文地质参数智能识别.结果证实了该方法的可靠性与先进性,为解决水文地质参数反演问题提供了一种新的方案. 相似文献
510.
Si基外延GaN中缺陷的腐蚀研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文采用KOH:H2O=3:20~1:25(质量比)的KOH溶液,对Si基外延GaN进行湿法腐蚀.腐蚀后用扫描电子显微镜(SEM)观察,GaN面出现了六角腐蚀坑,它是外延层中的位错露头,密度约108/cm2.腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明GaN外延生长过程中位错密度是逐渐降低的,部分位错因相互作用而终止于GaN体内.观察缺陷腐蚀形貌还发现,接近裂纹处腐蚀坑的密度要高于远离裂纹处腐蚀坑的密度,围绕裂纹有许多由裂纹引起的位错.腐蚀坑的密度可以很好地反映GaN晶体的质量.晶体质量较差的GaN片,腐蚀后其六角腐蚀坑的密度高. 相似文献