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用中子相干非弹性散射测量了Fe_3Si在14K的自旋波色散关系。从自旋波二次方色散关系得到低温下自旋波劲度系数D_0=270meV·A~2。用Heisenberg模型可进一步导出Fe_3Si的有效交换积分J_(eff)。从磁化强度的温度依赖关系也获得了一个自旋波劲度系数D_m(O)。从两种不同方法获得的劲度系数的比较中发现在Fe_3Si中可能存在着Stoner激发,与早先工作相联系,本文还给出了从14K直到居里温度自旋波劲度系数D的温度依赖关系。 相似文献
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利用转移矩阵方法对二维正方介质柱光子晶体的传输特性进行了研究,数值计算研究了不同晶格、同一晶格柱体截面面积不同、放置方位角不同时光子晶体的传输特性。数值结果表明光子禁带的宽度与中心频率和晶格结构有很大关系,正方晶格更易形成平坦光子禁带,柱体截面面积大,则形成的禁带较宽,在其他因素相同的条件下柱体放置的方位角对光子禁带有重要影响。数值研究表明在正方介质柱下设计宽平坦光子禁带时,可以首先考虑正方晶格结构,其次设法使柱体截面尽量大一些,最后可通过柱体放置方位角来微调光子禁带的宽度与中心频率以达到设计要求。 相似文献
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采用石墨电阻加热的温梯法生长了V:YAG晶体,晶体的不同部位呈现两种不同的颜色:浅绿色和黄褐色.通过对比分析不同颜色V:YAG晶体的室温吸收光谱,推断出石墨发热体高温下扩散出来的C可以起到还原作用,提高晶体中V3+tetra离子的浓度,同时诱导了F心的形成.在1300℃下,对不同颜色的V:YAG晶体进行真空退火处理,发现处于八面体格位中的V3+离子在热激发作用下与近邻的四面体格位Al3+离子存在置换反应,由此产生一定浓度的四面体格位V3+离子.同时,F心在退火过程中被完全消除,释放出来的自由电子被高价态的V离子俘获,可以进一步提高晶体中四面体格位V3+离子的浓度. 相似文献
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Visible and near-infrared optical properties of Nd:CLNGG crystal waveguides formed by proton implantation 下载免费PDF全文
A Nd:CLNGG waveguide structure operated at wavelengths of both 632.8 nm and 1539 nm was demonstrated for the first time to our knowledge, which was produced by the 480-keV H~+ion implantation with a dose of 1.0×10~(17)protons/cm~2.Its propagating modes at 632.8 nm and 1539 nm were measured by the well-known prism coupling technique. The refractive index profile at either 632.8-nm wavelength or 1539-nm wavelength was optical barrier type in the proton-implanted Nd:CLNGG crystal optical waveguide, which was calculated by using the reflectivity calculation method. The near-field light intensity distributions were also simulated by the finite-difference beam propagation method in the visible and nearinfrared bands. 相似文献
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插入件是上海光源重要组成设备之一,其控制系统主要由高精度电机运动控制、位置反馈、校正线圈电源控制、前端轨道反馈及人机界面等部分组成。为实现以上功能并无缝接入上海光源EPICS控制系统,设计了基于EPICS的插入件控制系统。在此基础上,利用嵌入式EPICS技术将所有EPICS组件嵌入到一台嵌入式控制器中。嵌入式EPICS技术简化了系统结构,方便用户操作和后期维护。经测试和在线运行,该系统控制功能完整,反馈控制实时性高,束流的稳定性得到了提高,为试验站稳定供光提供了保证。 相似文献