光折变X射线半导体超快响应芯片空间性能的实验研究

利用高能量纳秒激光轰击Al靶材产生的X射线作为信号源,对光折变X射线半导体响应芯片的空间性能进行实验研究.结果表明,低温生长AlGaAs芯片具备在X射线入射能量120:1的动态范围内进行高空间分辨的大画幅成像能力,最优空间分辨率≥35 lp/mm@MTF=0.1,成像画幅可达6.7 mm×6.7 mm.该研究对于光折变...     

偏振双向衰减对光学成像系统像质影响的矢量平面波谱理论分析

偏振双向衰减(diattenuation)是指偏振元件引入的光场传播过程中表征电矢量的两个正交偏振态的振幅变化特性.在大部分有关偏振像差的讨论中,聚焦光场偏振态的振幅变化对其分布的影响较小而不被重视.但在一些大相对孔径光学系统中,对于分束器、光调制器等有复杂平面介质结构的低透过率光学元件而言,引入的偏振相关的振幅调制相对大得多.本文依据矢量平面波谱理论,建立了笛卡尔坐标系下的理想光学成像系统的矢量光学模型,验证了与德拜矢量衍射积分的一致性.在线偏振光入射的条件下,对在汇聚光路中使用的光学元件的偏振双向衰减特性对成像质量的影响进行理论研究.结果表明,在调制传递函数的低频率处(v0.2NA/λ),这种影响是可以忽略的;随着空间频率的增加,光学元件的偏振双向衰减特性对成像系统调制传递函数的影响逐渐变大.若要求调制传递函数的数值不低于衍射极限的90%,中频处(0.2NA/λv0.8NA/λ),s光和p光的透射/反射系数之比至少需要控制在[0.63,1.6]的范围内;而当v0.8NA/λ时,则需要控制在[0.9,1.11]的范围内.随着光学系统光轴与光学分界面法向的倾角增加,容差范围有所放宽.     

Growth and characterization of InAsSb alloys by metalorganic chemical vapour deposition

Low pressure metalorganic chemical vapour deposition (LP-MOCVD) growth and characteristics of InAsSb on (100) GaSb substrates are investigated. Mirror-like surfaces with a minimum lattice mismatch are obtained. The samples are studied by photoluminescence spectra, and the output is 3.17μm in wavelength. The surface of InAsSb epilayer shows that its morphological feature is dependent on buffer layer. With an InAs buffer layer used, the best surface is obtained. The InAsSb film shows to be of n-type conduction with an electron concentration of 8.52×10¹⁶cm^-3.     

GaSb衬底上外延InAsxSb1-x材料的LP-MOCVD研究

采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备, 在(100)面GaSb单晶衬底上外延生长了InAsSb材料.用X射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能谱仪等对材料特性进行了表征，分析研究了生长温度、Ⅴ/Ⅲ比、过渡层等对外延层的影响.并且获得了与GaSb衬底晶格失配度较低的表面光亮的晶体质量较好的InAsSb外延层.     

高温处理工艺对低压MOCVD外延GaAs/Ge太阳电池的影响

采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备,在Ge衬底(100)面向(111)偏9°外延生长出GaAs电池结构,对电池材料进行了X射线衍射分析另外,对由此材料制成的太阳电池进行了性能测试,测试结果表明,Ge衬底的高温处理工艺对GaAs/Ge太阳电池的电流电压特性有一定的影响试验表明,在600～700℃之间高温处理效果较好。     

低压MOCVD生长参量对Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料表面形貌的影响

采用自制低压金属有机源化学气相沉积设备,在(100)面GaSb单晶衬底上生长了Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料.利用双晶X射线衍射、光学显微镜、原子力显微镜和光致发光谱等分析手段对材料特性进行了表征,获得了表面光亮的晶体质量较好的Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料,在77 K下得到光致发光谱峰值波长为3.25 μm.研究了生长温度、过渡层、界面层对其表面形貌的影响,得出生长温度在500 ℃～520 ℃,无过渡层,使用InAsSb界面层有利于改善材料的表面形貌.     

生长速率对低压MOCVD外延生长GaAs/Ge异质结的影响

采用自制的液相金属氧化物化学汽相沉积(LP-MOCVD)设备,在Ge(100)向(110)面偏9°外延生长出GaAs单晶外延层,对电池材料进行了X射线衍射测试分析,半峰宽为52″.讨论了外延生长参量对GaAs/Ge的影响,表明抑制反向畴不仅与过渡层有关,而且与GaAs单晶外延生长参量有关.适当的生长速率可有效地抑制反向畴的生长.     

Ultrafast optical beam deflection in a pump probe configuration

Propagation of a signal beam in an Al Ga As/Ga As waveguide multiple-prism light deflector is theoretically investigated by solving the scalar Helmholtz equation to obtain the dependences of the temporal and spatial resolvable characteristics of the ultrafast deflector on the material dispersion of Ga As including group velocity dispersion and angular dispersion,interface reflection,and interface scattering of multiple-prism deflector.Furthermore,we experimentally confirm that,in this ultrafast beam deflection device,the deflecting angle of the signal light beam is linear with the pump fluence and the temporal resolution of the ultrafast deflection is 10 ps.Our results show that the improvement of the temporal and spatial resolvable performances is possible by properly choosing the structural parameters and enhancing the quality of the device.     

基于太赫兹脉冲加速及扫描电子束的高时间分辨探测器

与传统条纹相机加速和偏转电子束的方法相比,太赫兹强场的加速梯度和扫描偏转梯度有明显优势,具备实现飞秒级超高时间分辨的能力.本文基于这一新技术设计了一款基于太赫兹场操控电子束的超小型高时间分辨探测器.从理论上分析了加速区的时间弥散与电子脉冲发射时刻以及初始时间弥散的关系,并讨论了空间电荷效应对时间弥散的影响;设计并优化了...     

仿生高分子界面涂层增强柔性电路黏附力和抗刮擦性能研究

柔性电路是柔性电子与可穿戴设备的重要组成部分,现有柔性电路稳定性与耐久性较差,使得其使用寿命与器件性能被限制.针对此难点,本文受贻贝启发,合成并优化多巴胺共聚物涂层,成功改性了聚酰亚胺(PI)、聚二甲基硅氧烷(PDMS)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、织物等不同柔性衬底的表面润湿性、黏附力与抗刮能力.结合丝网印刷技术和转印技术制成柔性电路,通过循环弯曲测试和抗刮擦测试证明经过该高分子涂层界面改性后制备的电路具有优异的稳定性.同时,这种新发展的表面改性方法具有低固化温度(60℃)、工艺简单高效、成本低等优点,结果表明,这种仿生化学表界面改性方法有望应用于柔性电子制造中,促进柔性电子的实用化.