溶胶－凝胶法制备高比表面积的纳米氧化铝及其对过渡金属离子吸附行为的研究

溶胶－凝胶法合成高比表面积纳米氧化铝，以透射电镜（TEM），X射线衍射（ XRD），比表面积测定（BET）等手段对所得的纳米氧化铝进行了表征，表明纳米粒 子的粒径在40－80nm。以ICP－AES为检测手段，考察了纳米氧化铝材料在静态吸附 条件下对于过渡金属离子的富集分离性能。结果表明，在pH8-9范围内，过渡金属 离子Cu,Mn,Cr,Ni可实现定量分离富集。吸附于纳米氧化铝上的金属离子可用1. 0mol/L盐酸溶液完全解脱。将所合成的纳米氧化铝用于实际标准样品黑麦叶和煤烟 灰中Cu,Mn,Cr,Ni的分离富集及ICP－AES测定，结果满意。     

纳米二氧化钛分离富集和ICP-AES测定水样中Cr(Ⅵ)/Cr(Ⅲ)

利用ＩＣＰ－ＡＥＳ研究了纳米ＴｉＯ２材料对Ｃｒ（Ⅵ）／Ｃｒ（Ⅲ）的吸附性能,并将其用于水样中铬的形态分析。结果表明,该法对１０ｍＬ试样测定Ｃｒ（Ⅵ）和Ｃｒ（Ⅲ）的检测限分别为６１ｎｇ／ｍＬ和４５ｎｇ／ｍＬ,其浓度在０．１～１０ｕｇ／ｍＬ范围内线性关系良好,５０倍量的Ｃｒ（Ⅵ）对Ｃｒ（Ⅲ）的检测不产生干扰。本法测定Ｃｒ（Ⅵ）和Ｃｒ（Ⅲ）的相对标准偏差分别为３．６％和４．２％（ｃ＝２．０ｕｇ／ｍＬ,ｎ     

原子发射光谱分析

本文是《分析试验室》中原子发射光谱分析（AES）定期评述的继续,反映我国该研究领域在1999－2000年间所取得的进展,文献主要来自国内中文分析化学期刊,评述内容包括：概述、基础性研究、进样技术及分离富集技术、分析应用及展望5个方面,参考国外作法,有关等离子体质谱（ICP－MS）的内容在本评述中亦有反映。附参考文献256篇。     

氟化辅助电热蒸发/ICP-AES直接测定氧化铝粉末中痕量杂质钇

报道了以聚四氟乙烯（PTFE）悬浮体为氟化剂,悬浮体制样／氟化辅助电热蒸发（ETV）／ICP －AES直接测定两种AI2O3粉末样品中痕量杂质钇。考察了影响基体和待测元素蒸发过程的各种因素;对比研究了待测元素和基体的氟化蒸发行为。在优化实验条件下,方法的检出限为0．1μg/g,相对标准偏差为5．6％（n=5,c=8g/L悬浮体）。并与溶样法气动雾化（PN）－ICP－AES的分析结果进行了对比。本法简便、灵敏、无需任何化学前处理,可用于相关陶瓷生产过程中的质量控制。     

ETV-ICP-AES联用技术的蒸发器研究

ETV-ICP-AES是样品电热气化/电感耦合等离子体激发的联用技术^[1～7],具有进样效率高并可进行微升级样品分析的特点.ETV-ICP-AES多采用石墨炉或石墨棒蒸发器.因此,蒸发器的结构、形状、升温速率以及温度分布等对分析信号有很大的影响^[3,4].本文研究了蒸发器的接口、形状、结构的影响;自行设计了插入式平台,减小死体积,还研究了在载气单向连续流动的情况下,石墨炉内部温度的大致分布,讨论了平台蒸发和管壁蒸发.     

感耦等离子体发射光谱法测定高纯氧化钇中的痕量稀土元素

本文采用国产WPG-100型一米光栅摄谱仪、GP3.5-D1型高频等离子体发生器、气动雾化器,以不去溶方式进样直接测定纯度为99.995%的氧化钇中十四个稀土杂质元素。其中除镨(17μg/g)和钸(7μg/g)外,测定下限均为0.3-3μg/g(以氧化物计)。当被测元素的含量为3-17μg/g时,相对标准偏差为2.3-7.3%(钸和镨除外)。样品用盐酸溶解,酸度和共存元素的影响很小,方法简便、快速。     

射频供能辉光放电原子发射光谱分析导体的基本特性

自行设计组装了射频供能辉光放电原子发射光谱仪器(rf-GD-AES),并对其分析导体试样的基本特性(包括光源的稳定性、电学特性和光谱特性)进行了研究。在此基础上建立了rf-GD-AES分析导电试样的方法,并用于铜合金标准样品中的A l和Mn的分析,其测定结果与标准值吻合很好,充分地显示了rf-GD-AES在固体样品直接分析中的潜力。     

电热原子吸收分析中的固体进样技术

本文综述了电热原子吸收分析中固体进样技术的进展,详细讨论了固体直接进样和悬浮体进样和样品制备方法、进样工具、校正曲线、基体改进技术、分析性能及其最新应用。     

铬形态分析的分离富集/原子光谱分析研究进展

综述了铬形态分析的分离富集／原子光谱分析研究进展,详细讨论了铬的存在形态、铬形态分析中的样品前处理方法、分离富集／原子光谱检测技术及应用。