运动鞋用橡塑材料的研究进展

橡塑材料在运动鞋制造过程中被普遍应用,总结了运动鞋制造过程中天然橡胶、丁苯橡胶、丁腈橡胶、氯丁橡胶、顺丁橡胶、再生橡胶、聚氯乙烯、聚烯烃弹性体、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯弹性体、乙烯-醋酸乙烯共聚物、聚氨酯和嵌段聚醚酰胺树脂等橡塑材料的基本性能。分类别综述了相关橡塑材料近年的研究进展。指出未来运动鞋用橡塑材料将向着轻量化、功能化、智能化和环保化的方向发展。     

薄层色谱测定魔芋粉的葡甘露聚糖和淀粉

对魔芋粉的主要成份葡甘露聚糖,目前尚无较好的定量分析方法。本文研究了魔芋粉的水解和薄层色谱扫描测定水解产物中的葡萄糖、甘露糖。葡甘露聚糖作为纯化学物质是由D-葡萄糖和D-甘露糖以1∶2摩尔比,通过β-1,4键结合的多糖类。从     

NaOH后处理对多级孔Hβ分子筛上木质素催化热解性能的影响

采用碱性条件下"后处理"脱硅的方法,制备了一系列多级孔Hβ分子筛,考察了Na OH浓度对Hβ分子筛上木质素催化热解性能的影响。结果表明,当Na OH浓度小于0.2 mol/L时,碱处理后的多级孔Hβ分子筛的介孔数量增加,木质素热解液体产物的收率随着Na OH浓度提高而显著增加。当Na OH浓度小于0.5 mol/L时,碱处理可以保持多级孔Hβ分子筛的微孔结构基本不被破坏,木质素催化热解具有较好的脱氧效果;产物以芳烃为主,含氧化合物的收率始终小于3%。当Na OH的浓度增加到1 mol/L时,会造成Hβ分子筛过度脱硅,骨架坍塌;由于Hβ分子筛的多级孔结构被破坏,此时不仅木质素热解液体产物的收率降低,而且脱氧效果变差。     

经验正交函数与遗传算法结合的副热带高压位势场非线性模型反演

针对副热带高压的动力预报模型难以准确构建的困难,基于T106数值预报产品500 hPa位势高度场序列,用经验正交函数（EOF）分解方法对位势场序列进行了时、空分解,引入了动力系统重构思想,以EOF分解的空间模态的时间系数序列作为动力模型变量,用遗传算法全局搜索和并行计算优势,进行了动力模型参数的优化反演,建立了客观合理的非线性动力模型．通过对动力模型积分和EOF的时、空重构,实现了副热带高压的中、长期预报．试验结果表明,本文反演的动力模型的副热带高压预报效果优于常规的数值预报产品,该研究工作为副热带高压等复杂天气系统和要素场预报提供了新的方法思路和技术途径．     

Sn助剂对Pt-Sn/γ-Al_2O_3催化剂上C_(12)正构烷烃脱氢反应的影响

以正十二烷烃临氢脱氢反应为探针,并结合氮气物理吸附-脱附、压汞、CO脉冲化学吸附、原位X射线光电子能谱及热重等催化剂物化表征手段,研究了Sn助剂对于Pt-Sn/γ-Al2O3长链烷烃脱氢催化剂反应性能的影响。结果表明,当Pt-Sn/γ-Al2O3催化剂中Sn∶Pt原子比为3时,催化剂表现出最佳的反应初活性。继续增加Sn的含量,由于更多的零价锡生成,并与Pt形成合金反而使催化剂活性下降。此外,在催化剂中引入Sn组分后,催化剂的稳定性有所改善,并且随着Sn含量的增加,脱氢反应产物选择性明显提高。     

葛仙米对丁草胺胁迫的响应

研究了丁草胺对可食用蓝藻葛仙米(Nostoc sphaeroides)生理和代谢活性的影响．用不同浓度的丁草胺处理葛仙米,结果显示低浓度(5 mg·L-1)丁草胺使其光合作用、呼吸作用和光合系统Ⅱ活性增强,高浓度丁草胺(>5 mg·L-1)限制其光合作用、呼吸作用和光合系统Ⅱ活性．同时丁草胺对葛仙米膜结构和功能具有破坏作用,随着丁草胺处理浓度增大,质膜透性不断增大,丙二醛和超氧自由基阴离子含量升高；在低浓度丁草胺处理时,类胡萝卜素含量增加,超氧化物歧化酶(SOD)活性增强,高浓度丁草胺处理时,类胡萝卜素含量降低,SOD活性下降；表明葛仙米对低浓度的丁草胺胁迫具有一定的耐受能力,但高浓度的丁草胺对其生理和代谢构成威胁；针对目前葛仙米野生生境中丁草胺的用量,建议限制丁草胺在葛仙米产地的使用,以保护日益稀缺的葛仙米资源．     

超高强块体非晶合金的研究进展

研制具有极限力学性能的金属材料一直是材料研究人员的梦想.超高强块体非晶合金是一类具有极高断裂强度(4 GPa)、高热稳定性(玻璃化转变温度通常高于800 K)和高硬度(通常高于12 GPa)的新型先进金属材料,其代表合金材料Co-Ta-B的断裂强度可达6 GPa,为目前公开报道的块体金属材料的强度记录值.本文系统地综述了该类超高强度块体非晶合金的组分、热学性能、弹性模量及力学性能,阐述了该类材料的研发历程;以弹性模量为联系桥梁,阐明了该类超高强块体非晶合金材料各物理性能的关联性,并揭示了其高强度、高硬度的价键本质.相关内容对于材料工作者了解该类超高强度金属材料的性能和特点,并推进该类材料在航空航天先进制造、超持久部件、机械加工等领域的实际应用有着重要意义.     

手征介质与陈绝缘体界面附近原子的自发辐射研究

对手征特异材料介质与陈绝缘体材料界面附近二能级原子的自发辐射特性进行了研究.推导计算了手征介质界面及其与陈绝缘体材料界面的反射系数矩阵,并根据并矢格林函数求得此环境下二能级原子自发衰减率的表达式.对手征介质和陈绝缘体材料特性参数影响下的原子自发辐射进行了数值计算,分别对平行和垂直于界面的偶极子自发衰减率进行讨论,并对辐射模式和消逝模式下的自发辐射进行了分析.结果表明,由于手征参量的存在,手征介质界面附近的原子自发衰减率与普通介质相比被增强.陈绝缘体则使得界面附近原子的自发辐射被明显抑制,且当手征参量较大时,陈绝缘体的抑制效应更加显著.