用于超精密加工的合金铸铁研磨盘

利用合金化、孕育处理、热处理及激冷铸造方法对铸铁研磨盘的组织和性能进行控制,从而改善金刚砂的嵌入性和嵌固性,使研磨的金刚石刀具满足超精密加工的需要.     

考虑上部结构-群桩-土相互作用的整体空间结构体系的动力分析

本文提出一个考虑上部结构,桩基础和土相互作用下的整体空间结构的动力响应分析模型,文中给出了一个工程实例,并与不考虑相互作用情况分析比较。     

热循环疲劳损伤及其简化计算方法

重点研究了热循环所引起的疲劳损伤.从物理本质严格地推证出了热疲劳损伤量及其损伤寿命的计算公式.并在此基础上提出了一种计算热疲劳损伤寿命的简便方法.可以实现用恒温疲劳试验的结果估算热循环疲劳损伤寿命.方便实用.     

川东高陡构造成因地质模式与含气性分析

川东高陡构造位于四川盆地东部 ,由一系列 NE-NNE向的隔档式褶皱组成。其构造变形经历了由隔槽式褶皱到“两背一断”,最终形成隔挡式褶皱的演化过程。在“两背一断”先存构造研究基础上 ,按继承发展的观点 ,综合运用伸展构造、反转构造、断层相关褶皱等构造新理论 ,系统探讨了川东高陡构造形成演化的成因地质模式 ,结合志留系主力生烃层的生气高峰期 ,对地腹不同成因类型的构造圈闭含气性进行了分析。     

胆囊腹壁瘘1例

某患者:女,72岁.因右上腹隐痛8年余,加重3月余,发现右上腹包块50多d,以"右上腹包块,胆囊恶变可能"收住院.查:皮肤巩膜无黄染,右上腹部有一约7cm×8cm×10cm包块,表面皮肤红肿有橘皮样改变,有压痛、质中等.CT报告:①胆囊多发结石并胆囊癌可能;②结肠癌待排.B超:胆囊区13cm×6.6cm,实质不均包块性质待查.     

非线性演化方程孤立波的同伦分析法求解

利用同伦分析法求解了Burgers方程，得到了其扭结形孤立波的近似解析解，该解非常接近于相应的精确解.结果表明，同伦分析法可用来求解非线性演化方程的孤立波解.同时，也对所用方法进行了一定扩展，得到了Kadomtsev-Petviashvili(KP)方程的钟形孤立子解.经过扩展后的方法能够更方便地用于求解更多非线性演化方程的高精度近似解析解. 关键词： Burgers方程 同伦分析法 KP方程 孤立波解     

一种改进型等精度宽频频率计的设计

根据等精度频率测量原理,分析了测量精度与频率测量闸门时间和预置门时间的关系,提出了一种改进型等精度频率测量的方法。该方法的主要思想是利用VHDL语言设计的测频计数模块不需要根据被测信号的频率大小而不断改变预置门信号的宽度,只需要固定给出100mS的预置门信号即可。单片机根据频率计数模块的计数结果进行相应运算得出频率值。经仿真和测试,在输入前级加放大整形电路和高速分频电路可以实现幅度从0.1V～10V,频率从0.1HZ～2.7GHZ的信号的全程测量。     

基于基团贡献法的HFC＋HC混合物气液相平衡性质预测

基于基团贡献法的思想,本文采用改进的SRK状态方程和修正的MHV1混合规则,将UNIFAC基团贡献法扩展用于HFC HC二元混合物气液相平衡性质的描述,给出了基团划分表和基团间的相互作用参数,使用该方法可以较好地再现HFC HC二元混合物的气液相平衡性质,并且具有良好的预测效果.     

New Power Lateral Double Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Transistor with a Folded Accumulation Layer

A new lateral double diffused metal oxide semiconductor field effect transistor with a double-charge accumulation layer using a folded silicon substrate is proposed to improve the performance of the breakdown voltage and specific on-resistance. Three kinds of technologies, which are the additional electric field modulation effect, majority carrier accumulation and increasing the effective conduction area, are applied simultaneously by a semi- insulating polycrystalline silicon layer deposited over the top of thin oxide covering the drift region. It is indicated that by the simulator, the ideal silicon limits of the breakdown voltage and specific on-resistance have been broken due to the complete three-dimensional reduced surface field effect and the doubled majority carrier accumulation layer.