首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1998篇
  免费   168篇
  国内免费   194篇
化学   312篇
晶体学   10篇
力学   108篇
综合类   14篇
数学   91篇
物理学   323篇
综合类   1502篇
  2024年   9篇
  2023年   29篇
  2022年   51篇
  2021年   38篇
  2020年   44篇
  2019年   61篇
  2018年   54篇
  2017年   44篇
  2016年   40篇
  2015年   58篇
  2014年   98篇
  2013年   75篇
  2012年   104篇
  2011年   111篇
  2010年   100篇
  2009年   118篇
  2008年   114篇
  2007年   133篇
  2006年   94篇
  2005年   105篇
  2004年   97篇
  2003年   103篇
  2002年   59篇
  2001年   69篇
  2000年   64篇
  1999年   58篇
  1998年   61篇
  1997年   51篇
  1996年   53篇
  1995年   38篇
  1994年   28篇
  1993年   41篇
  1992年   43篇
  1991年   21篇
  1990年   20篇
  1989年   15篇
  1988年   7篇
  1987年   8篇
  1986年   8篇
  1985年   10篇
  1984年   3篇
  1983年   4篇
  1982年   5篇
  1981年   1篇
  1980年   1篇
  1979年   6篇
  1978年   1篇
  1976年   1篇
  1964年   2篇
  1959年   2篇
排序方式: 共有2360条查询结果,搜索用时 15 毫秒
51.
醇+卤代烃混合体系,尤其是乙醇、三氟乙醇(TFE)等与卤代烃的混合工质在吸收式制冷、热泵、蒸气动力循环等领域中有着重要的应用.CPA方程可以描述缔合流体的性质,用于含醇类组元的混合体系气液相平衡性质描述.本文首先从纯物质饱和性质实验数据回归得到了CPA方程参数;将CPA方程应用于醇+卤代烃混合体系的气液相平衡计算,采用并比较了2种缔合方案;比较了CPA方程与G~E-EoS模型的相平衡计算效果.CPA状态方程在揭示分子间相互作用的基础上可准确描述醇+卤代烃混合体系的气液相平衡性质.  相似文献   
52.
CaO/稻壳灰作为新型CO2吸收剂的循环碳酸化特性   总被引:1,自引:0,他引:1  
提出了采用CaO与稻壳灰的水合产物作为新型CO2吸收剂.研究表明,当水合时间为8 h、水合温度为75℃和Si/Ca摩尔比为1.0时, CaO/稻壳灰吸收剂能获得最佳循环碳酸化转化率;经过20次循环反应碳酸化转化率可达0.44,比相同反应条件下CaO/H2O吸收剂的转化率提高了42%,是原CaO转化率的2倍.650~700℃时有利于CaO/稻壳灰的碳酸化反应;在高煅烧温度下比CaO/H2O和CaO具有更好的抗烧结能力.  相似文献   
53.
段宝兴  杨银堂  陈敬 《物理学报》2012,61(22):408-414
为了缓解AlGaN/GaNhighelectronmobilitytransistors(HEMT)器件n型GaN缓冲层高的泄漏电流,本文提出了具有氟离子注入新型Al0.25Ga0.75N/GaNHEMT器件新结构.首先分析得出n型GaN缓冲层没有受主型陷阱时,器件输出特性为欧姆特性,这样就从理论和仿真方面解释了文献生长GaN缓冲层掺杂Fe,Mg等离子的原因.利用器件输出特性分别分析了栅边缘有和没有低掺杂漏极时,氟离子分别注入源区、栅极区域和漏区的情况,得出当氟离子注入源区时,形成的受主型陷阱能有效俘获源极发射的电子而减小GaN缓冲层的泄漏电流,击穿电压达到262v通过减小GaN缓冲层体泄漏电流,提高器件击穿电压,设计具有一定输出功率新型A1GaN/GaNHEMT提供了科学依据.  相似文献   
54.
报道了使用ICP-AES测定记号笔芯和墨水中的铜和铬的方法。 主要关注了不同的样品前处理方法的研究。 结果表明: 对标记用的油性记号笔笔芯和含有高分子树脂的墨水, 采用550 ℃灰化, 混合酸(VHNO3VHClO4=3∶1)溶解的方法处理样品, 是该类样品比较好的处理方法; 而对不含有高分子树脂的墨水, 采用直接用混合酸(VHNO3VHClO4=3∶1)的消解即可。 消解后的样品经稀酸酸化后, 采用ICP-AES测定铜和铬, 结果准确、稳定。该方法适合记号笔或墨水中元素的测定。  相似文献   
55.
Driven dynamics of a two-dimensional Frenkel-Kontorova model is studied in the paper. In our numerical simulations, it is found that the movement direction of the center of mass is not consistent with that of the external driving force except for some special symmetric directions at the lower driving force. Our results also indicate that the movement direction of the center of mass strongly depends on both the magnitude and the direction of the external driving force as well as the misfit angle between two layers.  相似文献   
56.
在水平管式炉上进行徐州烟煤在Ar和CO_2气氛下的热解试验,研究CO_2气氛对燃料N析出特性的影响。结果发现,两种气氛下,NH_3的收率随温度的升高均先升高后减小,在800℃时达到一个最大值,Ar气氛下此最大值比CO_2气氛下大很多;两种气氛下,HCN的收率均随温度的升高而升高。两种气氛下随着温度的升高,HCN与NH_3的收率比均升高,但在CO_2气氛下收率比更大,说明CO_2的氧化作用和气化作用促进了燃料N向HCN的转化。  相似文献   
57.
对电泳液中颜料粒子运动性能的研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
详细介绍了胶体悬浮液作为一种显示用电泳液时的电学性能,分析了电泳颗粒的运动特征;针对目前有些文献中提到的介电泳现象以及利用介电泳现象制成的无源矩阵驱动方式,从理论角度进行了分析。指出介电泳现象在理论上确实存在,但是绝大多数的电泳液在显示时介电泳现象都很微弱,很难实现廉价、大面积的无源矩阵驱动;最后以一种电泳液为例测试了其反射谱,从实验角度验证了此结论, 并给出了最佳的驱动参数。  相似文献   
58.
甲烷的催化燃烧: La,Ce和Y离子对高比表面MnO2改性作用   总被引:5,自引:0,他引:5  
王翔  马军  段连运  谢有畅 《催化学报》1998,19(4):325-328
在高比表面MnO2前体中添加La,Ce和Y等离子,用BET,XRD和H2-TPR等技术研究了其对MnO2的改性作用,结果表明,与未加助剂的MnO2催化剂相比,La/MnO2,Ce/MnO2和Y/MnO2催化剂对甲烷催化燃烧的活性有所降低,但3种离子均有效地阻止MnO2在高温下结晶,提高催化剂的热稳定性,使其在高温下可维持较大的比表面积,综合考虑催化剂的活性和稳定性,Y离子对MnO2的改性作用最佳。  相似文献   
59.
一种氯苯基硅油的合成及其摩擦磨损性能研究   总被引:3,自引:2,他引:3  
合成了一种甲基封端、侧基含五氯苯基取代基团的有机聚硅氧烷(CPSO),考察了CPSO的粘温性能、倾点、饱和蒸气压及热稳定性能.采用OptimolSRV型微动摩擦磨损试验机评价了CPSO及空间用润滑油全氟聚醚(PFPE)和磷嗪(X-1P)在常温常压下用于GCr15/CuSn合金摩擦副润滑剂的摩擦磨损性能;采用CZM型真空摩擦试验机评价了3种润滑油在真空条件下用于GCr15/CuSn合金和GCr15/9Cr18摩擦副润滑剂的摩擦磨损性能.结果表明:在真空和常温常压条件下,CPSO的减摩和抗磨损性能均优于PFPE及X-1P;与此同时,CPSO具有极低的饱和蒸气压、很低的热挥发损失以及较好的热稳定性和低温流动性.故其在空间飞行器械运动部件润滑领域具有广泛的应用前景.  相似文献   
60.
郭海君  段宝兴  袁嵩  谢慎隆  杨银堂 《物理学报》2017,66(16):167301-167301
为了优化传统Al GaN/GaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistors,HEMTs)器件的表面电场,提高击穿电压,本文提出了一种具有部分本征GaN帽层的新型Al GaN/GaN HEMTs器件结构.新型结构通过在Al GaN势垒层顶部、栅电极到漏电极的漂移区之间引入部分本征GaN帽层,由于本征GaN帽层和Al GaN势垒层界面处的极化效应,降低了沟道二维电子气(two dimensional electron gas,2DEG)的浓度,形成了栅边缘低浓度2DEG区域,使得沟道2DEG浓度分区,由均匀分布变为阶梯分布.通过调制沟道2DEG的浓度分布,从而调制了Al GaN/GaN HEMTs器件的表面电场.利用电场调制效应,产生了新的电场峰,且有效降低了栅边缘的高峰电场,Al GaN/GaN HEMTs器件的表面电场分布更加均匀.利用ISE-TCAD软件仿真分析得出:通过设计一定厚度和长度的本征GaN帽层,Al GaN/GaN HEMTs器件的击穿电压从传统结构的427 V提高到新型结构的960 V.由于沟道2DEG浓度减小,沟道电阻增加,使得新型Al GaN/GaN HEMTs器件的最大输出电流减小了9.2%,截止频率几乎保持不变,而最大振荡频率提高了12%.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号