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21.
紫外可见多波长透射光谱包含了细菌微生物对光的吸收和前向散射等信息,能反映细菌细胞的组分、大小以及形态等特征,具有细菌种属的特异性,可应用于细菌微生物的快速种类鉴别。以水体中常见细菌微生物为研究对象,实验测量了大肠埃希氏菌、金黄色葡萄球菌、鼠伤寒沙门氏菌以及肺炎克雷伯菌的紫外可见多波长透射光谱,简要分析了不同种类细菌微生物的多波长透射光谱特征;研究了透射光谱与支持向量机多向量分析方法相结合的水体细菌微生物快速识别方法,利用基于网格搜索法的训练集内部交叉验证获取建模所需最佳惩罚因子C和核函数参数g,根据最优参数和LibSVM一对一多分类法建立细菌快速分类鉴别模型。利用不同株实验细菌的透射光谱作为测试集对所建模型进行识别正确率的验证,结果表明,所建立的快速分类鉴别模型可以对选取的大肠埃希氏菌、金黄色葡萄球菌、鼠伤寒沙门氏菌以及肺炎克雷伯菌进行快速种类识别,识别正确率为100%;分类鉴别模型对不同大肠杆菌亚种的测试集识别正确率为100%,证明该模型对细菌属间鉴别具有较好的稳定性。不仅可为饮用水源细菌微生物的快速识别预警提供方法,而且可在生物医学方面作为细菌微生物鉴别的一种简便、快速、准确的手段。 相似文献
22.
23.
Fast-switching SOI-LIGBT with compound dielectric buried layer and assistant-depletion trench 下载免费PDF全文
Chunzao Wang 《中国物理 B》2022,31(4):47304-047304
A lateral insulated gate bipolar transistor (LIGBT) based on silicon-on-insulator (SOI) structure is proposed and investigated. This device features a compound dielectric buried layer (CDBL) and an assistant-depletion trench (ADT). The CDBL is employed to introduce two high electric field peaks that optimize the electric field distributions and that, under the same breakdown voltage (BV) condition, allow the CDBL to acquire a drift region of shorter length and a smaller number of stored carriers. Reducing their numbers helps in fast-switching. Furthermore, the ADT contributes to the rapid extraction of the stored carriers from the drift region as well as the formation of an additional heat-flow channel. The simulation results show that the BV of the proposed LIGBT is increased by 113% compared with the conventional SOI LIGBT of the same length LD. Contrastingly, the length of the drift region of the proposed device (11.2 μ) is about one third that of a traditional device (33 μ) with the same BV of 141 V. Therefore, the turn-off loss (EOFF) of the CDBL SOI LIGBT is decreased by 88.7% compared with a conventional SOI LIGBT when the forward voltage drop (VF) is 1.64 V. Moreover, the short-circuit failure time of the proposed device is 45% longer than that of the conventional SOI LIGBT. Therefor, the proposed CDBL SOI LIGBT exhibits a better VF-EOFF tradeoff and an improved short-circuit robustness. 相似文献
24.
叶子青张灯亮段兴兴余不凡邢朝晖陈江山 《发光学报》2022,(8):1244-1255
近年来,钙钛矿发光二极管(PeLEDs)发展非常迅速,其性能得到了大幅提升,而构筑具有量子阱结构的准二维钙钛矿是开发高性能PeLEDs的有效方法之一。大尺寸有机阳离子是构成准二维钙钛矿的关键组分,对调节准二维钙钛矿的薄膜结构和光电性质具有重要作用。本文通过在铯铅卤化物(CsPb X3)钙钛矿中引入两种单氟取代的溴化苯乙胺(o-FPEABr(邻位取代)和p-FPEABr(对位取代)),采用无反溶剂的一步法制备了准二维钙钛矿薄膜和发光器件,研究了它们对准二维钙钛矿成相分布和器件性能的影响。研究发现,pFPEABr使准二维钙钛矿形成了大量的低维相,特别是具有强激子-声子耦合的二维相,而高维相含量较少。相反地,o-FPEABr能够有效地抑制低维相,并促进高维相的形成,有利于降低非辐射复合和提高辐射复合。形成能计算结果显示,基于p-FPEABr的低维相比基于o-FPEABr的低维相具有更好的热力学稳定性,导致了准二维钙钛矿中成相分布的差异,表明改变氟原子的取代位置能够调控准二维钙钛矿的结晶动力学过程,进而影响器件的发光性能。基于o-FPEABr,我们制备出高效的绿光和蓝光PeLEDs。其中绿光器件的最大外量子效率(EQE)达到了10.27%,发光峰位于521 nm;而蓝光器件的最大EQE也达到了8.88%,发光峰位于488 nm。 相似文献
25.
26.
讨论两个囚禁在Paul阱的对称轴上的超冷离子的量子统计特性,可以发现,它们的稳定囚禁不仅与阱的稳定区有关,而且与它们自身的自旋和电荷数大小有关。 相似文献
27.
提出了一种具有部分超结(super junction, SJ)结构的新型SiC肖特基二极管,命名为SiC Semi-SJ-SBD结构,通过将常规SBD耐压区分为常规耐压区和超结耐压区来减小导通电阻,改善正向特性.利用二维器件模拟软件MEDICI仿真分析,研究了不同超结深度和厚度时击穿电压(VB)和比导通电阻(Ron-sp),与常规结构的SBD比较得出,半超结结构可以明显改善SiC肖特基二极管特性,并得到优化的设计方案,选择超结宽度2<
关键词:
SiC肖特基二极管
super junction
导通电阻
击穿电压 相似文献
28.
By using the molecular dynamic simulation method with a
fourth-order Runge--Kutta algorithm, a two-dimensional dc- and
ac-driven Frenkel--Kontorova (FK) model with a square symmetry
substrate potential for a square lattice layer has been investigated
in this paper. For this system, the effects of many different
parameters on the average velocity and the static friction force
have been studied. It is found that not only the amplitude and
frequency of ac-driven force, but also the direction of the external
driving force and the misfit angle between two layers have some
strong influences on the static friction force. It can be concluded
that the superlubricity phenomenon appears easily with a larger ac
amplitude and lower ac frequency for some special direction of the
external force and misfit angle. 相似文献
29.
30.
本文将微扰软链理论应用于乙烷族卤代烃状态方程的研究,该方程包含三个物性参数,表征分子非球形度的参数c、Lennard-Jones软球直径σ和表征能量的参数ε/k。本文拟合得到了12种乙烷族卤代烃类物质的方程参数。与NIST软件计算结果比较表明,该方程对单相区和两相区的pvT性质均有较好的再现性。本文还发现该类物质的方程参数与分子结构之间存在某种规律性关系。 相似文献