外场作用下邻苯二甲酸二丁酯的分子结构和光谱研究

邻苯二甲酸二丁酯(dibutyl phthalate, DBP)是增塑剂的主要成分之一.为研究外电场对环境毒物增塑剂类化合物的分子结构和光谱产生的影响, 本文采用密度泛函(density functional theory, DFT) B3LYP方法在6-311++G(d, p)基组水平上优化了不同静电场(0–0.020 a.u.)作用下DBP分子的基态几何结构, 在此基础上利用同样的方法计算了DBP分子的电偶极矩、分子总能量和红外(infrared, IR)光谱, 最后利用含时密度泛函(time-dependent density functional theory, TDDFT)在同一基组下研究了不同外电场对DBP分子紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱产生的影响, 并与实验测得的光谱图进行了比较.结果表明, 在外电场的作用下, 分子结构变化剧烈, 电偶极矩增大, 分子总能量减小, 红外光谱吸收峰出现红移或蓝移, 分子的摩尔吸收系数重新分配, 振动斯塔克效应(vibrational stark effect, VSE)明显; 随着外电场的增强, 分子UV-Vis光谱的吸收峰红移显著, 振子强度剧烈下降.     

铁电薄膜及铁电存储器研究

综述了铁电薄膜以及铁电存储器的发展,讨论了铁电薄膜制备方法、结构和物理性能表征,并结合作者的前期工作,详细讨论了用于铁电薄膜与硅衬底集成的导电阻挡层问题,指出了铁电薄膜研究中需重点解决的一些问题.     

高介电栅介质ZrO2薄膜的物理电学性能

采用脉冲激光沉积方法在Si衬底上沉积了ZrO2栅介质薄膜,X射线衍射分析表明该薄膜经过450℃退火后低介电界面层得到抑制,仍然保持非晶状态;电学测试显示10 am厚ZrO2薄膜的等效厚度为3.15 nm,介电常数12.38,满足新型高介电栅介质的要求,在-1 V偏压下Al/ZrO2/Si/Al电容器的漏电流密度为1.1×10-4A/cm2.     

LED球泡灯光衰激活能评估方法

通过对BPZ 220/5 W JA55型阳光球泡灯进行额定功率下40℃和60℃温度应力加速寿命实验,分析了该款LED球泡灯的失效机理.通过推导激活能计算公式,建立了计算光衰激活能的理论模型,给出了测试LED球泡灯光衰激活能方法.通过实验测定该款球泡灯的光衰激活能数值为0.67 eV.     

盐碱胁迫下刺槐种子萌发主导因素的确定

将中性盐NaCl、Na2SO4和两种碱性盐NaHCO3、Na2CO3按不同比例混合,模拟出20种盐度、碱度各不相同的复杂盐碱逆境条件,并在盐碱混合胁迫处理下进行刺槐发芽试验。测定其发芽率等5项指标,并分析逆境因素与诸项指标间的相互关系,通过各项发芽指标的回归分析结果可知,对刺槐种子萌发的主要影响因素为盐浓度、缓冲量和pH。从回归方程中的自变量标准回归系数来看起主导作用的是盐浓度和pH,据此可以认为盐浓度和pH是影响刺槐种子抗盐碱萌发的主导因素。     

Investigation of chlorine-based etchants in wet and dry etching technology for an InP planar Gunn diode

Mesa etching technology is considerably important in the Gunn diode fabrication process. In this paper we fabricate InP Gunn diodes with two different kinds of chlorine-based etchants for the mesa etching for comparative study. We use two chlorine-based etchants, one is HCl-based solution (HCl/H 3 PO 4 ), and the other is Cl 2 -based gas mixture by utilizing inductively coupled plasma system (ICP). The results show that the wet etching (HCl-based) offers low cost and approximately vertical sidewall, whilst ICP system (Cl 2 -based) offers an excellent and uniform vertical sidewall, and the over-etching is tiny on the top and the bottom of mesa. And the fabricated mesas of Gunn diodes have average etching rates of ～ 0.6 μm/min and ～ 1.2 μm/min, respectively. The measured data show that the current of Gunn diode by wet etching is lower than that by ICP, and the former has a higher threshold voltage. It provides a low-cost and reliable method which is potentially applied to the fabrication of chip terahertz sources.