电磁继电器触点面的SEM和XPS研究

使用X射线光电子能谱（XPS）和扫描电子显微镜（SEM）等表面分析方法,研究未启封、使用过失失效和使用过失效的继电器触点表面和形貌、组份和结构,结构表明,经过使用后触点表面烧蚀严重并发生磨损,其组份中含Ag、Sn、C和O等原子,C和O的XPS峰显示,触点表面氧化膜和碳化物的形成,导致接触电阻增大,从而影响继电器的稳定履使用寿命。     

肌红蛋白的同步荧光光谱

首次对肌红蛋白的同步荧光光谱进行了研究,并对肌红蛋白荧光峰予以归属。当△λ为20nm时,308nm处的荧光峰主要为酪氨酸残基的贡献,很小一部分是由色氨酸残基贡献的;△λ为40nm时,分别在322和596nm处观察到两个荧光峰,322nm的荧光峰为酪氨酸和色氨酸残基的共同贡献,596nm的荧光峰则归属为肌红蛋白分子中血红素的贡献。     

过氧化氢氧化溴百里酚蓝催化动力学光度法测定痕量铁?

1 引言 溴百里酚蓝是一种氧化还原指示剂.实验发现,在酸性介质中铁?强烈催化过氧化氢氧化溴百里酚蓝褪色反应.据此,我们详细研究了该催化体系的反应条件以及共存离子的影响,建立了利用该反应体系测定痕量铁的新方法.本法用于水样中痕量铁?的测定,获得满意结果.     

电解氧化法膨胀石墨形成机理研究

采用现代测试方法对电解氧化法制备的膨胀石墨各阶段产物进行了表征 ,对其形成机理作了一些探讨。结果证实 ,在氧化过程中 ,层间表面的石墨被氧化后 ,与嵌入层间的H2 SO4、H2 O等生成层间化合物 ,该化合物瞬间受高热而分解 ,产生的推力使石墨沿C轴方向膨胀 ,而层平面碳 -碳结构未被破坏。     

Fabrication and characterization of groove-gate MOSFETs based on a self-aligned CMOS process

N and P-channel groove-gate MOSFETs based on a self-aligned CMOS process have been fabricated and characterized. For the devices with channel length of 140nm, the measured drain induced barrier lowering (DIBL) was 66mV/V for n-MOSFETs and 82mV/V for p-MOSFETs. The substrate current of a groove-gate n-MOSFET was 150 times less than that of a conventional planar n-MOSFET. These results demonstrate that groove-gate MOSFETs have excellent capabilities in suppressing short-channel effects. It is worth emphasizing that our groove-gate MOSFET devices are fabricated by using a simple process flow, with the potential of fabricating devices in the sub-100nm range.     

New method for geometric nonlinear analysis of large displacement drill strings

Introduction Drillstringsina3Dlargedisplacementwellboreareusuallyregardedas3Dcurved beamswithlargedisplacementandlargerotationbutwithsmallstrain,thus,therelationship betweenstressandstrainislinear.Thedeformationofdrillstringscanbecomposedoftwo parts:oneiscalledtheinitialdeformationcausedwhentheaxisofthedrillstringisdeformed fromitsstraightconfigurationtothepositioncoincidentwiththewellaxis,involvinglarge rotationsandwiththeimplicationoffiniterotationalproblem.Theotheristhedeformation fromthew…     

高分子表面活性剂的研究现状

概述了近年来高分子表面活性剂研究的主要进展及现状,包括天然改性及化学合成类高分子表面活性剂。天然改性高分子表面活性剂主要介绍了纤维素类。纤维素类的改性是将带长链烷基的疏水性物质接枝到纤维素链段上,使其具有两亲特性来提高表面活性。目前超声波法是制备纤维素类高分子表面活性剂的一种新途径。对于化学合成类,由于单体种类选择和组成变化范围广,且合成手段多,因此品种较多。化学合成类的主要合成方法有两亲单体均聚、亲油/亲水单体共聚及在水溶性较好的大分子物质上引入两亲单体。目前,高分子表面活性剂领域的研究仍进展缓慢,在合成同时具有超高分子量和高表面活性的问题上还值得深入研究。     

氯硝柳胺衍生物的合成与结构表征

由氯硝柳胺与1,2-二溴乙烷反应,得到2-(2-溴乙氧基)-5-氯-N-(2-氯-4-硝基苯基)苯甲酰胺,再与乙二醇、二乙二醇、三乙二醇分别反应,得到了三个氯硝柳胺衍生物,其结构由IR1、H NMR和高分辨质谱确证。     

计算Poisson分布n阶原点矩的新方法

按定义计算Poisson分布n阶原点矩非常复杂,本文给出了一种计算Poisson分布n阶原点矩的新方法,该方法计算简便,行之有效。     

宗务隆构造带西段物质组成及演化特征

为查明宗务隆构造带西段物质组成、变形特征及演化特征,运用野外地质剖面测制、岩石组合分析、LA-ICP-MS锆石U-Pb同位素定年等手段进行了调查研究,认为宗务隆裂谷带是在初始小洋盆或有限小洋盆的基础上发展起来的,是基于南祁连陆块与欧龙布鲁克陆块之间的前寒武纪结晶基底和早古生代加里东褶皱基底的基础上经历了陆内拉张、有限洋盆发育、俯冲—碰撞和碰撞后推覆造山等过程演化而发展起来的华力西—印支期造山带。研究结果为宗务隆构造带西段物质组成及演化特征提供了理论依据。