非一致椭圆型方程Green函数的性质

本文给出了非一致椭圆型方程的广义Green函数的若干新性质,发展了[1]和[2]中的一些主要结果。     

U形工件对称孔加工的工艺改进浅析

我厂是生产电阻焊机的工厂，其中一个关键工件，其技术精度、形位公差要求较高。该工件外形呈U形，U底面平，U形两边各需加工一个直径16毫米、允差0．02毫米，长度25毫米对称小孔，两孔距200毫米，两孔不仅直径相同，且与底平面等高70毫米，并在同一轴线上，误差不超过0．05毫米。如何加工，我们考虑认为，若采用镗床加工，一齐同时加工两孔，同轴度可以很好地保证。但由于镗杆直径较细且长，镗刀下刀尺寸不好掌握，检验孔的精度也较困难，孔的精度质量难以保证，而且对操作工人技术素质要求较高。若采用数控加工中心加工，这是完全没有问题的，同轴度和精度都会得到保证。但对于小批件生产来说成本太高，不适合多、快、好、省的原则。由于我厂没有镗床，亦没有数控加工中心，单为这个工件要投资设备去搞，经济上不太合算，所以只能另找办法。U形工件孔径小，孔距长，同时加工两对称孔不太容易，难保证同轴度，这给加工带来一定困难。     

现代教育技术在大专院校计算机教学中的应用

本文主要阐述了在大专院校计算机教学中应用现代教育技术,改变传统的教学方法和教学模式,充分利用多媒体教学来激发学生学习计算机的兴趣,培养和提高学生的学习能力,以达到素质育人的目的并提高教学效率与教学效果。     

软岩深基础端阻力计算

软岩在我国分布极为典型，具有特殊的工程性质，软岩深基础端阻力设计值一般按其单轴抗压强度frc进行折减换算（乘以远小于1折减系数），而折算值远小于载荷测试值，工程实践表明，规范考虑的折减系数是远偏小的，实际两者关系的系数甚至大于1。为使软岩深基础端阻力设计值经济可靠，确定典型软岩端阻力值宜以原位载荷试验结果为主，结合室内试验结果验证。国内软岩端阻力经验值比较分析，软岩端阻力地区差异较大，但其值远大于规范建议的参考值和折算值，工程人员参照国家规范设计软岩深基础端阻力时应结合地区经验。     

湿法合成氧化物纳米陶瓷研究进展

本文对氧化物纳米陶瓷的制备研究现状进行综合评述 ,包括纳米粉体的制备和表征、成型与烧结。着重分析了湿化学合成纳米粉体工艺中硬团聚现象产生的原因和消除方法。在此基础上 ,对氧化物纳米陶瓷的发展前景进行了简单分析     

幼儿珠心算的开发智力功能不可抹煞

本文是根据1月28日黑龙江省珠算协会秘书长与《生活报》记者的谈话内容整理的,现予发表,以澄清一些同志对珠心算科学的误解。本刊将陆续发表有关这方面的文章。     

多重分形谱研究溶胶-凝胶SiO2疏水减反膜的激光预处理作用

采用溶胶-凝胶提拉技术制备了SiO2疏水减反膜.使用Nd:YAG激光(波长为1064 nm,脉宽为7.5ns)采用"R on 1"方式对所得膜层进行了激光预处理.在预处理前后采用"1 on 1"方式考察了薄膜的激光损伤阈值的变化,使用原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的表面形貌的变化,并使用多重分形谱(MFS)方法分析了薄膜分形结构的变化.结果 表明经过激光预处理后薄膜的抗激光损伤阈值有了明显提高,均方根表面粗糙度(Rq)稍有减小,膜面变平整,多重分形谱宽度收缩,分形区间的分布均匀性改善.这说明经过激光预处理后薄膜表面微结构趋向规整,使之能够承受更强的激光的辐照.同时也说明借助多重分形谱可以获得更多薄膜表面结构变化的信息,多重分形谱是探索强激光对光学薄膜辐照作用机理的一个十分有用的方法.     

二溶剂法测试苯、甲苯、二甲苯

气相色谱法是现代分析的主要手段之一,要出据准确可靠的数据,不但要有稳定良好的仪器设置状态,还要对样品处理的恰到好处,使被测的样品处在气相中得到良好的谱图。在对有些样品的检测当中为了得到良好的分离效果,用两种物质当溶剂,能得到满意的效果。     

Spin-dependent tunnelling through an indirect double-barrier structure

We use the transfer matrix method to study the quantum tunnelling through an indirect-band-gap double-barrier like the GaAs/AlAs/GaAs/AlAs/GaAs heterostructures along the [001] axis, which is described by the tight-binding model. The X-valley quasi-bound state gives rise to the Fano resonance different from the direct double-barrier transition in a resonance-tunnelling diode. The quantitative calculations demonstrate that a relatively high spin-polarization of the transmission probability can be achieved as compared with the single-barrier tunnelling ease. Moreover the extension to the multi-barrier device is provided and leads to an important observation that the spin polarization increases with the number of barriers.     

薄基区异质结晶体管的负阻特性与分析

采用分子束外延方法生长了8 nm基区的InGaP-GaAs双异质结材料,研制成具有负阻特性的异质结晶体管．该晶体管可以集成在高速高频的数字逻辑电路中,大大减少了器件数目．讨论了薄基区负阻异质结晶体管的负阻特性及其物理机制．器件负阻特性的产生与其结构密切相关,包括导带势垒尖峰和基区宽度负反馈效应．推出了物理公式,并且使用PSPICE模拟软件建立了电路模型．模拟结果符合制作器件的测量结果．