功率放大器非线性失真的Volterra级数分析

讨论了功率放大器的非线性现象及其对通信系统的影响,运用Volterra级数分析了MESFET功率放大器的非线性失真,并阐述了非线性参数以及源阻抗和负载阻抗对交调失真的影响,为功率放大器的线性化研究提供了参考.     

高温、高压LDMOS导通电阻的特性

本文提出了高温、高压LDMOS的等效电路,讨论了LDMOS泄漏电流及其本征参数在高温下随温度变化的规律.根据分析,漏pn结的反向泄漏电流决定了LDMOS的高温极限温度,导通电阻与温度的关系为Ron∝((T)/(T1))y(y=1.5～2.5).     

硅四端横向压阻式压力传感器的解析模型

用摄动法求解了硅横向压阻效应四端器件的偏微分方程.用渐近解的分析方法对所求到的解进行简化,导出了硅横向压阻效应四端压力传感器的输出电压表达式.所得公式能够定量表达输出电压与输入参量和器件几何参数的关系,所得到结果与数值解和实验结果吻合.     

异质双栅结构LDMOS的物理建模和仿真

对一种采用新结构的LDMOS(lateral double diffused metal oxide semiconductor)器件建立了模型.该器件在LDMOS中采用异质双栅(dual material gate,DMG)结构,这样使得该器件(DMG-LDMOS)同时具有LDMOS和DMG MOSFET的特性和优点.给出了DMG-LDMOS中沟道区表面电势和电场的一维表达式,并在此基础上考虑了大驱动电压下引入的沟道载流子速度过冲效应的影响,建立了基于物理的沟道电流模型.最后比较了Medici器件仿真结果和所建立的沟道电流模型,验证了该模型的可用性.     

基于Volterra级数的CMOS低噪声放大器的非线性分析

在分析CMOS低噪声放大器非线性来源的基础上,给出了度量低噪放线性度的重要指标三阶交调点 (IP3),并利用Volterra级数作为分析工具研究了CMOS低噪声放大器的三阶交调失真.推导得到的结果与仿真得到的结果基本吻合.