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以溶于十八烯的Se作为Se前驱体,在无膦条件下制备得到了具有较高量子产率的Mn:ZnSe纳米晶.为了进一步提高纳米晶的稳定性和发光强度,运用外延生长的方法进行ZnS壳层包覆并得到了具有核-壳结构的Mn:ZnSe/ZnS纳米晶.X射线衍射、透射电子显微镜及吸收和荧光光谱测试结果表明,该方法合成的Mn:ZnSe纳米晶以及核-壳结构Mn:ZnSe/ZnS纳米晶均为闪锌矿结构,具有良好的单分散性,包覆ZnS外壳层后量子产率可达到60%以上.此外,对ZnS壳层厚度和Mn2+的掺杂量对Mn:ZnSe/ZnS纳米晶发光强度的影响及发光机制也进行了初步讨论. 相似文献
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43.
以几种矮生一品红为材料,研究了植物生长调节剂BA,KT,IAA对不定芽增殖的影响。结果表明,影响一品红芽增殖的主要因素是细胞分裂素。以BA的增殖效果较好.不同品种(自由红、彼德之星、金钱豹、塔巴璐卡)芽增殖所需植物生长调节剂的浓度有所不同,矮生一品红试管苗芽增殖的适宜培养基为MS BA0.5—2.0mg/L IAA0.25-0.50mg/L。 相似文献
44.
Deep InP Gratings for Opto-Electronic Devices Etched by C12/CH4/Ar Inductively Coupled Plasma 下载免费PDF全文
Deep InP gratings are etched by C12/CH4/Ar inductively coupled plasma (ICP) at room temperature. A comparison is made between SiNz mask patterns formed by wet and dry etching. SF6 reactive ion etching is adopted for smooth and vertical sidewall. The etching conditions of C12/CH4/Ar ICP are optimized for high anisotropy, and a 1.7-μm-deep InP grating with an aspect ratio of 10:1 is demonstrated. The technique is then used for the fabrication of 1.55-μm laterally coupled distributed feedback A1GMnAs-InP laser. 相似文献
45.
从古今中外的经验、数学知识的特点和人类认知的规律,说明数学学习中模仿的必要性,从思考过程、相关知识、思想方法和相关问题等方面,阐述如何进行反思。 相似文献
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48.
用新方法合成了膦胺基苯膦酸及由膦,对,间胺基苯膦酸与β-萘酚,薛弗酸,R盐, J-酸,H-酸,及α-萘胺合成了一系列单偶氮染料。 由隣胺基苯膦酸合成的偶氮染料都能与铬,钴生成络合物。而膦酸染料上的膦酸基则能 和钼酸铵生成络合物。 膦酸染料在染色时很易被羊毛所吸收。但膦酸染料或经过铬盐或钼酸铵处理后的染料耐 洗坚牢度却非常不好。 相似文献
49.
50.
本文将数学规划法与优化准则法有机地结合起来,导出了一种新的优化方法——变尺度梯度投影法。文中研制了该算法的通用计算机程序,给出了计算实例。计算表明,该算法收敛速度快,计算精度高,通用性好,有实用价值。 相似文献