一维六方准晶压电材料中幂函数型曲线裂纹的反平面问题

依据一维六方准晶压电材料反平面问题的基本方程,利用复变函数方法,通过引入适当的保角映射,研究了一维六方准晶压电材料中幂函数型曲线裂纹的反平面问题,并利用Cauchy积分理论,得到电不可通和电可通边界条件下的应力场和位移场的复表示以及裂纹尖端场强度因子的解析表达式.     

信道状态信息存在误差情况下不可信中继系统的功率分配

研究在目的节点进行协作干扰的全双工不可信中继传输系统中,在信道状态信息(channel state information, CSI)存在随机误差的情况下,以最大化系统可达保密速率为目标的功率分配问题。为了研究提高全双工不可信中继传输系统的保密性能的功率分配方案,先推导系统可达保密速率的上界,针对随机信道状态信息的误差再求该保密速率上界的期望,即平均保密速率(average secrecy rate, ASR)。在此基础上,考虑源节点发送信息信号和目的节点发送人工噪声总功率的约束,以最大化ASR为优化目标,通过黄金分割法优化源节点和目的节点的功率分配。仿真结果表明,相比于固定功率分配因子和不考虑随机信道系数误差影响的功率分配方案,考虑信道的随机误差优化功率分配方案能有效提高系统的可达保密速率。     

开关磁阻电机调速系统非线性仿真研究

利用有限元分析结果,并结合开关磁阻电机的基本方程,建立了开关磁阻电机非线性调速系统仿真模型。利用改进的一相电机模型,采用高速角度位置控制,低速电流斩波控制方式对开关磁阻电机调速性能进行研究。仿真结果表明该系统采用的控制策略合理,能实现较宽范围内调速。同时也验证了电机具有较好的起动能力和抗干扰特性。     

双层多目标规划有效解的二阶最优性条件

在双层多目标规划的一阶最优性条件的基础上,给出了双层多目标规划问题的二阶最优性条件。     

光电元件时间特性测量的本科实验及拓展

本文基于光电元件的时间特性测量电路,设计了时间特性测量的实验内容,并做了充分的扩展,考虑了光强条件对光敏电阻时间特性的影响,负载电阻对光电元件的响应时间影响,以及测量系统内其他电路因素引起的时间问题等。该实验搭建成本低、元件易获取,考察学生的动手能力,更有助于学生掌握多种光电元件的各自时间特性,因此该实验可为光电专业高年级本科生开设。     

Bézier曲线的分割及程序实现

基于Bézier曲线的性质,针对Bézier曲线的两种分割算法通过VisualC＋＋编程在界面中将曲线分割动态实现.     

HPLC法同时检测食品中苯甲酸、山梨酸、糖精钠及安赛蜜

建立高效液相色谱法同时检测食品中苯甲酸、山梨酸、糖精钠与安赛蜜的方法。样品经水提取、亚铁氰化钾与乙酸锌沉淀蛋白、氨水调pH值后离心处理,经Agilent ZORBAX SB-Aq色谱柱分离,甲醇与0.02mol/L乙酸铵溶液为流动相梯度洗脱,流速为0.7mL/min,采用二极管阵列检测器检测,波长230nm,光谱扫描范围为200～400nm,采用保留时间与光谱进行双重定性。在14min内苯甲酸、山梨酸、糖精钠与安赛蜜就能够达到较好的分离,在1～100μg/mL呈良好的线性关系,线性相关系数大于0.9998,检出限0.5～1mg/kg,不同类别产品加标回收率在88.5%～98.4%之间,精密度＜5%。结果表明,该方法适用范围广、灵敏度高、准确性好,适用于各种食品中苯甲酸、山梨酸、糖精钠与安赛蜜的检测。     

MgF2对Mn4+掺杂锗酸盐红色荧光粉发光的影响

3.5MgO·0.5MgF₂·GeO₂：Mn⁴⁺作为优异热稳定性和良好发光性能的红色荧光粉而被市场应用,然而,该粉体中MgF₂的作用影响机理尚不明晰,阻碍其性能进一步优化和发展。采用高温固相法制备了系列Mn⁴⁺激活的锗酸盐荧光粉,通过对比加入MgF₂、H₃BO₃（助熔剂）,研究了该粉体的结构、形貌、发光性能等变化规律,阐明了MgF₂的发光影响作用。研究表明,加入MgF₂、H₃BO₃和不加任何助熔剂时的样品,其最佳烧结温度分别为1 150、1 250和1 350 ℃,上述温度下发光强度均为最佳值,其中加入MgF₂、H₃BO₃的样品在最佳温度处生成了纯相。MgF₂的添加,一方面同H₃BO₃一样作为助熔剂对生成纯相、提高样品结晶度起了积极的作用;另一方面,通过研究分析,确认F^-离子成功掺杂进入晶格,促使样品生成的晶体结构为Mg₁₄Ge₅（O, F）₂₄。加入MgF₂、H₃BO₃在最佳烧结温度的样品的荧光寿命分别为0.93和0.75 ms。     

Thermal annealing behaviour of Al/Ni/Au multilayer on n-GaN Schottky contacts

Recently GaN-based high electron mobility transistors (HEMTs) have revealed the superior properties of a high breakdown field and high electron saturation velocity. Reduction of the gate leakage current is one of the key issues to be solved for their further improvement. This paper reports that an Al layer as thin as 3 nm was inserted between the conventional Ni/Au Schottky contact and n-GaN epilayers, and the Schottky behaviour of Al/Ni/Au contact was investigated under various annealing conditions by current--voltage (I--V) measurements. A non-linear fitting method was used to extract the contact parameters from the I--V characteristic curves. Experimental results indicate that reduction of the gate leakage current by as much as four orders of magnitude was successfully recorded by thermal annealing. And high quality Schottky contact with a barrier height of 0.875 eV and the lowest reverse-bias leakage current, respectively, can be obtained under 12 min annealing at 450°C in N₂ ambience.     

链格孢霉毒素样品处理及分析方法研究进展

综述链格孢霉毒素样品处理及分析方法。样品处理方法主要有液液萃取法、固相萃取法、逆流色谱法和基于QuEChERS原则的处理方法等。在固相萃取技术的基础上,又发展了分散固相萃取法和分子印迹固相萃取法。主要分析方法包括液相色谱–质谱联用法、加压毛细管电色谱法和表面增强拉曼光谱法等仪器检测技术以及酶联免疫法、化学发光免疫分析法、生物传感器技术、快速检测试纸和试剂盒等快速检测技术。最后对链格孢霉毒素样品处理及分析方法的发展趋势进行了展望。