ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底的制备和GaN薄膜的生长

利用脉冲激光淀积法(PLD)在α-Al₂O₃衬底上淀积了ZnO薄膜, 通过ZnO和α-Al₂O₃固相反应制备了具有ZnAl₂O₄覆盖层的α-Al₂O₃衬底. X射线衍射谱(XRD)表明ZnAl₂O₄薄膜随反应时间由单一(111)取向转变为多晶取向, 然后变为不完全的(111)择优取向. 同时扫描电子显微镜(SEM)照片表明ZnAl₂O₄表面形貌随反应时间由均匀的岛状结构先变为棒状结构, 然后再变为突起的线状结构. 另外, XRD谱显示低温制备的ZnAl₂O₄在高温下不稳定. 在ZnAl₂O₄覆盖的α-Al₂O₃衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了GaN薄膜. XRD测量表明随ZnAl₂O₄厚度增加GaN由c轴单晶变为多晶, 单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°. 结果表明薄ZnAl₂O₄覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核, 从而提高了GaN的晶体质量.     

一种不等带宽光学梳状滤波器

提出了一种新型—Michelson—三面镜FabryPerot型50GHz不等带宽光学梳状滤波器设计方案,分析和模拟表明:该器件将一路信道间隔为50GHz的输入信号分离成信道间隔为100GHz的奇偶两路输出信号,其中在3dB处,奇数信道带宽大于30GHz用于10Gb/s传输,偶数信道带宽大于60GHz用于40Gb/s传输对于将来的40Gb/s系统,该器件具有优势.     

用高温超导模拟研制磁场高均匀度回旋管

磁场高均匀度的低温超导磁体系统已经取得了广泛的应用，在许多领域发挥着重要的作用。随着低温技术和超导技术的发展，用高温超导材料制作高均匀度的超导磁体成为可能。因此，我们用高温超导材料模拟制作了磁场高均匀度回旋管。     

基于ATMega128无纸记录仪系统的设计与实现

在介绍了ATMega128和无纸记录仪系统的基础上，提出了无纸记录仪系统用基于ATMega128单片机来实现的方法和过程。显示方式采用的是320×240点阵无字库蓝色背光的LCD显示，显示信息量多，而且显示界面美观；存储方式在延续以往的EEPROM存储方式的同时，采用标准接口的大容量SD卡。     

Investigation of the mean free path of projectile fragments produced in 16O－Em collision at 60 A GeV

Results are presented for an investigation of the mean free path of projectile fragments with charge 3≤Z≤8, produced by 60 A GeV {}^{16}O in nuclear emulsion. No dependence of mean free path on the distance from the point of the fragment emission is observed and our result is consistent with the nonexistence of anomalons.     

电脑刺绣机针杆及挑线机构设计

以电脑刺绣机原始针杆机构和挑线机构为研究对象,在保持原有针杆运动规律和挑线杆运动规律的前提下,运用机构创新设计理论,分析电脑刺绣机针杆机构和挑线机构的可能选型.为研制新型电脑刺绣机针杆机构和挑线机构奠定了理论基础.     

改善20CrMnTiH淬透性的研究

莱钢特钢厂20CrMnTiH钢材成分波动较大,淬透性带HRC8～10,范围较大,制约了齿轮钢质量的进一步提高.通过研究,发现铸坯中心偏析尤其是碳偏析为主要问题.通过工艺优化采取各项措施,尤其增加电磁搅拌后,中心碳偏析得到明显改善;C控制在0.19%～0.20%的炉次达到了95.6%;淬透性带控制在HRC6内的达到了92.1%;在HRC4内的达到了86.2%;提高了产品质量,满足了用户需求.     

将案例教学法应用于《模拟电子技术》课程中的研究

作者通过对（模拟电子技术）课程采用案例教学法的研究分析表明，要实现高职人才的培养目标，教师必须重视学习先进的教学理念，积极开展教学方法研究，找到适应现代教育的新方法。实践证明，没有教不会的学生，只有不会教的老师。     

一类对称的Kolmogorov系统的定性研究（Ⅰ）

本文对一类对称的三次微分系统进行探讨，对每个奇点导出表示其鞍结性的型号公式。给出（Ｋ３）所有的六种全局相图。     

高压下聚苯胺的结构和电性能研究

 以金刚石压腔高压装置为工具，用Ⅱ型金刚石作压砧兼红外窗口，对本征态聚苯胺进行了高压（0~8.4 GPa）就位红外光谱测试。结果表明：在4.8~5.2 GPa压力区间，代表醌环振动的吸收峰相对代表苯环振动的吸收峰变小，表明聚苯胺在此压力区间结构上发生了显著变化，且这种变化是不可逆的。聚苯胺的高压（0~14.5 GPa）电阻测量结果表明：当压力小于7.5 GPa时，电阻随压力升高而显著降低，据此认为聚苯胺为电子性导电物质；在7.5 GPa处电阻出现极小值，然后又缓慢升高，至10 GPa后基本不变。推测聚苯胺电阻极小值是由结构变化引起的。至于红外光谱与电阻测量结果反映聚苯胺结构变化的压力值不一致，可能是由于测试条件不同所致。