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21.
林兰英 《物理》2003,32(12):820-822
林兰英院士是我国著名的半导体材料学家、物理学家 ,2 0 0 3年 3月 4日 1 3时因病医治无效在北京逝世 .她 1 95 7年回国后历任中国科学院半导体研究所研究员 ,副所长 ;第二、三、四届中国科协副主席 ;全国第四、五、六届人大代表 ,第三、七、八届人大常委 .她从事半导体材料制备、探索及材料物理的研究工作 4 0余年 ,是中国半导体材料科学和技术的奠基人和开拓者 ,对我国研制成功锗、硅元素半导体单晶材料、锑化镓、锑化铟、砷化镓、磷化铟等化合物半导体材料做出了重要贡献 .在开拓我国太空砷化镓单晶材料的试验与特性研究方面 ,成绩卓著 .林兰英院士把毕生的精力献给了我国的半导体材料科学事业 ,为我国的半导体材料科学事业和中国科学院半导体研究所的发展呕心沥血 ,做出了杰出贡献 .在她不懈努力和推动下 ,我国半导体材料科学技术研究与开发工作做出了世人瞩目的成绩 .为表达我们的哀思和怀念 ,在此特刊出纪念文章以及她生前写的《四十年峥嵘岁月》一文 .这些文章反映了林兰英院士一生的科研经历、追求及取得的成就 .她强烈的爱国之情和民族自尊心 ,以及自强不息、顽强拼搏、虚怀若谷、不计名利、鞠躬尽瘁、死而后已的高尚情操和科学精神在文中也可窥一斑 ,这也是她留给我们的宝贵的精神财富  相似文献   
22.
一、引言由于外延单晶薄膜制备的成功,给器件制造提供了新的有用工艺技术。近年来用这一技术已制造出一些电子器件,他们具有独特的优越性能,例如饱和压降小,开关时间短等。这是外延生长单晶对器件的促进。但是由于器件的需要,对外延生长单晶薄膜又提出新的要求,例如不在锗上外延锗、硅上外延硅,而是在GaAs上外延锗,制成异质结,这样也促进了外延更广  相似文献   
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