沸石分子筛中半导体量子纳米团簇的组装及应用前景

在沸石分子筛中可以形成稳定的、分子尺寸的半导体团簇。这类团簇具有单相性、均匀性好的特点，并可形成三维量子超晶格结构。本文简单介绍沸石分子筛的结构及反应性之后，对团簇的组装技术及表征方法进行了详细的讨论，对半导体团簇的特征、性质反应用前景进行了较系统的论述。并指出了这类团簇材料应用存在的问题及发展方向。     

聚合物改性水玻璃均相杂化液对速生杨木的改性

将丙烯酰胺单体在钠水玻璃溶液中聚合制成水玻璃-聚丙烯酰胺均相杂化液,通过浸渍法使杂化液与速生杨木材复合,制成无机/有机木材复合材。SEM、FT-IR表征了速生杨木与杂化前驱液复合前后的结构和形貌变化,研究了复合木材的热稳定性及力学性能的变化,结果表明,用该均相杂化液改性的复合木材WPG为31.6%时,其氧指数为50.3%;并且与素材的力学性能相比,复合木材的抗弯曲强度较素材提高了11.2%,弹性模量提高了18.2%,其径面、弦面和端面的硬度分别提高了15.6%、17.3%和26.2%。     

Si(100)和蓝宝石(0001)衬底上3C-SiC的Raman研究

单晶Si和蓝宝石(0001)是两种重要的3C-SiC异质外延衬底材料，然而，由于Si及蓝宝石和3C-SiC之间大的晶格失配度和热膨胀系数失配度，在3C-SiC中会产生很大的内应力，直接影响3C-SiC的电学特性。Raman散射测试是一个功能很强的测试方法，其强度、宽度、Raman位移等有关Raman参数可以给出有关SiC晶体质量的信息，其中包括内应力。利用背散射几何构置的Raman方法研究了Si(100)和蓝宝石(0001)村底上LPCVD方法生长的SiC外延薄膜，在生长的所有样品中均观察到了典型的3C-SiC的TO和LO声子峰，在3C-SiC／Si材料中，这两个声子峰分别位于970．3cm-l和796．0cm-1，在3C-SiC／蓝宝石材料中，分别位于965．1cm^-1和801．2cm-1，这一结果表明这两种外延材料均为3C-SiC晶型。利用一个3C-SiC自由膜作为无应力标准样品,并根据3C-SiC／Si和3C-SiC／蓝宝石的TO和LO声子峰Raman位移相对于自由膜的移动量，得到3C-SiC中的内应力约分别为1GPa和4GPa。实验发现在这两种材料的TO声子峰的Raman位移移动方向相反，通过比较3C-SiC、Si和蓝宝石的热膨胀系数，预期Si衬底上的3C-SiC外延膜受到的应力为张应力，而蓝宝石衬底上3C-SiC受到的应力则为压应力。     

深切怀念敬爱的周总理

今天,我怀着深切怀念和万分崇敬的心情,参加我院隆重纪念周总理逝世一周年大会.一年前,我们敬爱的周总理,为中国革命和世界革命事业,呕尽心血,帜劳成疾,和我们永别了.我党、我军、我国人民失去了卓越的、久经考验的领导人,全党、全军、全国人民都为矢去了自己的好总理而沉浸在无比的悲痛之中. 一九七六年一月十一日,我去向敬爱的周总理遗体告别,望着周总理安祥、坚毅、对未来充满着必胜信念的遗容,我心潮翻滚,思绪万千.总理啊!您为革命、为祖国的建设和人民的幸福献出了毕生精力和整个生命,您用您光辉的、革命的、战斗的一生,为中国革命和世…     

指接材端压有限元的模拟分析

为实现对指接材端压范围的预测,采用ANSYS有限元分析软件模拟分析了樟子松结构用指接材3种嵌合度条件下的指接端压范围。结果表明:当指榫嵌合度为0、0.1、0.3 mm时,模拟分析得出的樟子松结构用指接材指接端压范围分别为1.5～3.0 MPa、2.0～3.5 MPa和2.5～4.5 MPa。将实验测试结果与模拟分析结果对比发现,模拟分析得出的指接端压范围相对试验测试结果小,但可以用于预测樟子松结构用指接材最佳端压取值。模拟分析与实验测试结果均表明,樟子松结构用指接材端压最佳取值为3.5 MPa。     

酸催化蒸汽爆破预处理提高蔗渣酶解性能研究

采用常规蒸汽爆破以及酸催化蒸汽爆破对甘蔗渣进行预处理,利用扫描电镜（SEM）对比观察这两种汽爆方法对残渣表面结构形态的影响,对比分析汽爆液的糖类、汽爆残渣组分,最后通过纤维素酶解试验评价汽爆残渣的酶解性能。结果表明,常规蒸汽爆破和酸催化蒸汽爆破均能提高蔗渣原料的酶解性能,但是常规蒸汽爆破需要在较高的处理压力（〉2.0MPa）下才能明显水解半纤维素,破坏纤维素的天然结晶结构,显著提高蔗渣的酶解性能。酸催化蒸汽爆破只需很低的汽爆压力（0.7MPa）就能充分水解蔗渣半纤维素,而且对蔗渣纤维天然结构的破坏程度也要大得多,残渣的酶解率达到49.1%,比常规同一蒸汽爆破压力条件下的酶解率（25.1%）几乎高出一倍。酸催化汽爆残渣的酶解性能随汽爆压力的提高而改善,从半纤维素到木糖的收率则随压力的升高而降低,采取两步蒸汽爆破法,将可以同时获得高的木糖收率和高的纤维素酶解效率。     

南海珠江口伶仃洋浅层沉积硅藻的研究

在珠江口和南中国海伶仃洋的六个岩芯中,发现线纹小环藻组群(CyclotelIa striata complex)在各地层中均有分布,其数量由下层到上层呈递减的趋势。对各采集点样品进行多样性指数分析和聚类分析的结果表明,埋深为316—326cm处沉积硅藻的多样性指数最大,为2.09,111—125cm处最小,为0.36;在所有采样点中,有四对采样点相近程度大,环境条件应较为相近。     

Si被注入Gd后的磁性及其整流特性的研究

采用离子束技术，在n型硅基片中注入稀土元素钆，制备了磁性-非磁性p-n结.磁性层Gd_xSi_1-x表现出优良的磁学性能，高居里温度，高原子磁矩(利用RKKY模 型 可以得到解释)，低矫顽力，并保持着半导体的属性，磁性-非磁性p-n结具有整流特性，但 没有观察到明显的磁电阻效应. 关键词： 磁性半导体 磁性p-n结 钆的硅化物 离子束外延     

不同剂量C离子注入Si单晶中Si1-xCx合金的形成及其特征

室温下在单晶Si中注入 (0 6— 1 5 ) %的C原子 ,利用高温退火固相外延了Si1-xCx 合金 ,研究了不同注入剂量下Si1-xCx 合金的形成及其特征 .如果注入C原子的浓度小于 0 6 % ,在 85 0— 95 0℃退火过程中 ,C原子容易与注入产生的损伤缺陷结合 ,难于形成Si1-xCx 合金相 .随注入C原子含量的增加 ,C原子几乎全部进入晶格位置形成Si1-xCx 合金 ,但如果注入C原子的浓度达到 1 5 % ,只有部分C原子参与形成Si1-xCx 合金 .升高退火温度 ,Si1-xCx 合金相基本消失 .     

四十年峥嵘岁月

林兰英院士是我国著名的半导体材料学家、物理学家 ,2 0 0 3年 3月 4日 1 3时因病医治无效在北京逝世 .她 1 95 7年回国后历任中国科学院半导体研究所研究员 ,副所长 ;第二、三、四届中国科协副主席 ;全国第四、五、六届人大代表 ,第三、七、八届人大常委 .她从事半导体材料制备、探索及材料物理的研究工作 4 0余年 ,是中国半导体材料科学和技术的奠基人和开拓者 ,对我国研制成功锗、硅元素半导体单晶材料、锑化镓、锑化铟、砷化镓、磷化铟等化合物半导体材料做出了重要贡献 .在开拓我国太空砷化镓单晶材料的试验与特性研究方面 ,成绩卓著 .林兰英院士把毕生的精力献给了我国的半导体材料科学事业 ,为我国的半导体材料科学事业和中国科学院半导体研究所的发展呕心沥血 ,做出了杰出贡献 .在她不懈努力和推动下 ,我国半导体材料科学技术研究与开发工作做出了世人瞩目的成绩 .为表达我们的哀思和怀念 ,在此特刊出纪念文章以及她生前写的《四十年峥嵘岁月》一文 .这些文章反映了林兰英院士一生的科研经历、追求及取得的成就 .她强烈的爱国之情和民族自尊心 ,以及自强不息、顽强拼搏、虚怀若谷、不计名利、鞠躬尽瘁、死而后已的高尚情操和科学精神在文中也可窥一斑 ,这也是她留给我们的宝贵的精神财富