退火前后镍钨硼合金电沉积层的结构与性能

采用电化学技术、XPS、DSC、XRD等方法研究Ni W B合金电沉积及热处理前后合金镀层的结构和显微硬度.结果表明,在Ni W B合金电沉积过程中伴随着化学沉积镍等过程以及Na2B4O7在镀层中的夹杂;Ni W和Ni W B合金电沉积层分别表现为纳米晶结构和非晶态结构;热处理过程中合金电沉积层发生晶粒粗化过程以及Ni W B合金镀层发生新相形成过程,产生Ni4W和镍硼化物如Ni2B、Ni3B等沉淀物;400 ℃热处理2 h后Ni W合金镀层有最大的显微硬度达919.8 kg•mm－2,而在500 ℃下Ni W B合金有最大的硬度达1132.2 kg•mm－2.     

纯钯电沉积及其成核机理研究

研究在柠檬酸钾和草酸铵镀液体系中纯钯电沉积及电结晶机理。结果表明，采用本实验案研制的添加剂（２）ＸＰ－４和ＸＰ－７，可在电流密度０．５￣３．５Ａ／ｄｍ＾２，温度４０￣６０℃的宽广范围内获得全光亮的钯电沉积积层。采用脉冲电源电镀可有效地改善厚沉积层质量，减少沉积层裂纹和孔洞，循环伏安实验表明，钯电极过程的阴阳峰电位之差达１．０５Ｖ，说明其电极过程明显不可逆；伏安图上同时出现－感抗性电流环，说明钯沉积     

非晶态Ni-W／ZrO2复合镀层的制备、热处理及腐蚀行为

在镍钨合金电解液中,通过搅拌使二氧化锆固体微粒悬浮,电沉积制备Ni-W/ZrO2复合镀层.研究结果表明,二氧化锆粒子影响复合镀层的电沉积、表面形貌、结构、热处理过程和抗腐蚀性能;与Ni-W合金的电沉积过程相比,复合镀层中的W含量和电流效率均降低;在400℃处理1 h后,嵌入Ni-W本体中的ZrO2粒子脱落,W向镀层表面富集.扫描电子显微镜(SEM)结果显示,复合镀层呈现团粒状形态,无裂纹.差示扫描量热(DSC)分析结合X射线(XRD)衍射实验指出,Ni-W/ZrO2复合镀层为非晶态结构.复合镀层的显微硬度较纳米晶Ni-W合金的高;热处理后,复合镀层的显微硬度和在3%氯化钠溶液中的抗腐蚀行为显著增强.     

添加剂的吸附行为及其对锌镍合金镀层结构的影响

采用电化学法研究锌镍镀液中有机添加剂ＡＡ－１和ＤＩＥ的吸附行为及其对电沉积过程的阻化作用，并用ｘ射线衍射法研究所获得Ｚｎ－Ｎｉ合金沉积层的相组成和织构，结果表明，ＡＡ－１和ＤＩＥ在电极表面吸附并阻化Ｚｎ－Ｎｉ合金共沉积；它们单独存在或共存时，均造成合金沉积物的Ｎｉ含量较无添加剂的为低，合金沉积物的相组成由单独存在时的η相转变为共存时的η＋ｒ相；由于ＡＡ－１和ＤＩＥ的协同作用而强烈地促进沉积物（１００）晶面的形成。     

新型三维网状锡-钴合金负极材料的结构与性能

应用电沉积技术制备了三维网状结构的Sn-Co合金负极材料, 采用XRD、SEM和电化学方法考察了该负极材料的结构和性能. XRD分析表明, 该三维网状结构的Sn-Co合金镀层为六方固溶体结构. 其电化学性能测试表明: 三维网状结构Sn-Co合金微晶电极的性能稳定, 其首次放电容量高达493.4 mAh•g−1, 首次库仑效率达80.03％, 而平面结构Sn-Co合金电极的首次库仑效率为63.47％. 经50周充放电循环后, 三维网状结构Sn-Co合金电极的放电容量为329.6 mAh•g−1, 放电容量保持率为66.8％；SEM分析表明: 三维网状Sn-Co合金电极表面是由大小不一、高低不同的“岛”紧密排列在一起；“岛”和多孔结构的存在, 缓冲了锂嵌入时体积的膨胀, 部分抑制了材料结构的变化, 减缓了电极容量的衰减, 改善了电极的循环性能.     

Electrodeposition, Structure and Corrosion Resistance of Nanocrystalline Ni-W Alloy

Ni—W alloy was electrodeposited from the electrolyte solution containing sodium tungstate, nickel sulfate and ammonium citrate. The electrodeposition, heat treatment, structure, surface morphology and corrosion resistance in w=0.03 NaCl solution, of Ni-W alloys were studied by means of DSC, XRD, SEM and electrochemical techniques. The results showed that the obtained Ni-W alloy electrodeposit with W weight content (Ww=0.471) was presented in more typical nanocrystaUine, After heat treatment at 400 ℃ for 1 h, the phase structure of the deposits was not obviously changed whereas the agglomerate for the reunion of tiny grains on deposit surface caused the granule in a more smooth morphology, the microhardness was slightly increased and the corrosion resistance was enhanced.     

高择优取向铜镀层的电化学形成及其表面形貌

采用电化学方法在H2SO4-CuSO4电解液中获得高择优取向的Cu电沉积层.XRD结果表明,在1.0 ～6.0和15.0 A•dm－2的电流密度下可分别获得(220)和(111)晶面高择优取向的Cu镀层.在同一电流密度下获得的Cu电沉积层织构度随镀层厚度增大而提高.SEM结果表明,在4.0和15.0 A•dm－2的电流密度下可分别获得(220)和(111)织构Cu沉积层,其表面形貌在(220)晶面取向时呈现为细长晶粒连结成的网状，在(111)取向时则呈六棱锥状.提出了可能的机理，认为电流密度变化引起的Cu镀层择优取向晶面的转化归因于电结晶晶面生长方向及生长速度竞争的结果.     

以次磷酸钠为还原剂化学镀铜的电化学研究

通过电化学方法研究了以次磷酸钠为还原剂, 柠檬酸钠为络合剂的化学镀铜体系. 应用线性扫描伏安法, 检测了温度、pH值、镍离子含量对次磷酸钠阳极氧化和铜离子阴极还原的影响. 结果表明, 升高温度能够加速阳极氧化与阴极还原过程; pH值的提高可促进次磷酸钠氧化, 但抑制铜离子还原; 镍离子的存在不仅对次磷酸钠的氧化有强烈的催化作用, 而且与铜共沉积形成合金. 该合金有催化活性, 使化学镀铜反应得以持续进行.     

有机介质中辅酶NADH的电化学的氧化

用伏安法分别研究Ｎ，Ｎ＇－二甲基皿和１，４－二氧六环介质中还原态烟酰胺辅酶ＮＡＤＨ在玻碳电极上的电化学氧化行为并测定某些动力学参数。ＮＡＤＨ的电氧化表现为完全不可逆过程，实验证明其过程伴有快速化学步骤。     

n型半导体硅电极表面Au的电化学成核机理

在成功实现半导体硅表面电沉积致密金膜的柠檬酸盐镀金实际应用体系中,运用循环伏安和电位阶跃法研究了Au在n型Si(111)电极表面的电沉积过程和成核机理.结果表明,在该体系中, Au在Si表面呈现不可逆电极过程,成核过电位达到250 mV;根据Cottrell方程求得扩散系数D = (1.81 ± 0.14) × 10^-4 cm₂·s^-1;运用Scharifker-Hills (SH)理论模型对比分析拟合实验结果,表明Au在n型Si表面遵循扩散控制下的三维连续成核机理;通过扫描电子显微镜观察Au初期成核、生长形貌,进一步证实了Au的三维连续成核机制,并讨论了阶跃电位和阶跃时间对Au核形貌和密度的影响.