A Novel Gravito-Optical Surface Trap for Neutral Atoms

We propose a novel gravito-optical surface trap （COST） for neutral atoms based on one-dimensional intensity gradient cooling. The surface optical trap is composed of a blue-detuned reduced semi-Gaussian laser beam （SGB）, a far-blue-detuned dark hollow beam and the gravity field. The SGB is produced by the diffraction of a collimated Gaussian laser beam passing through the straight edge of a semi-infinite opaque plate and then is reduced by an imaging lens. We calculate the intensity distribution of the reduced SGB, and study the dynamic process of the SGB intensity-gradient induced Sisyphus cooling for ^87Rb atoms by using Monte Carlo simulations. Our study shows that the proposed GOST can be used not only to trap cold atoms loaded from a standard magneto-optical trap, but also to cool the trapped atoms to an equilibrium temperature of 3.47μK from ～120μK, even to realize an all-optical two-dimensional Bose-Einstein condensation by using optlcal-potential evaporative cooling.     

用模拟退火神经网络技术进行波阻抗反演

利用基于模拟退火算法的神经网络技术进行测井约束的波阻抗反演，可根据数据本身之间的内在联系建立一个自适应非线性认知系统，只要在输入端输入特征数据，便能在输出端得到期望输出值，而不必关心系统本身的内部机理。在反演前，从测井资料中整理出地层波阻抗参数，用神经网络建立起波震波特征和地层波阻抗参数的映射关系，然后再利用这种映射关系进行外推，得到其它地震道所对应的波阻抗参数。在训练过程中，引入了模拟退火算法，     

茄子增产新招——倒剪法

茄子倒剪法是山东省寿光县张树清研究成功的增产新技术.其方法是在前一茬摘下后,将不结茄子的枝叶剪掉,不久茄树就会重新发芽.第二次茄子收摘后,再将不结茄子的枝叶剪掉,但第二次所剪位置必须低于第一次所剪位置.用该法每年可收获茄子7茬,每茬每亩产量约2500公斤.     

He(2^3S)与CH3I和CH3Br在流动余辉中传能的解离激发反应

本文利用流动余辉技术研究了亚稳态He(2^3S)与CH3I和CH3Br传能时分子的解离激发过程。实验中测定了产物的相对分布、CH(A, v'=0)的转动布居和主要碎片的形成速率常数。     

长寿命、高安全性的Li4Ti5O12／LiMn2O4锂离子电池

自Sony公司推出锂离子二次电池以来，以AC／LiCoO2体系为主的商品锂离子电池由于具有高容量、高电压、环境友好等优势，已在便携式电子设备领域得到了广泛应用。但由于C／LiCoO2体系的锂离子电池存在成本、安全和寿命等方面的问题，限制了其在动力和储能领域的应用。选择合适的锂离子电池材料，开发新的电池体系是解决问题的关键。     

重力光学势阱中消逝波冷却原子的蒙特卡罗研究

讨论了三能级原子在消逝波光场作用下的Ｓｉｓｙｐｈｕｓ冷却和几何冷却机制,通过蒙特卡罗（Ｍｏｎｔｅ－Ｃａｒｌｏ）方程分别模拟了消逝波光场在方锥形势阱和圆锥阱两种情况下对原子冷却的动力学过程,并计算了原子在不同的失谐量、激光功率及消逝波的判断宽度下的冷却情况。结果表明,增大消逝波的激光功率能有效地减少原子的损耗,但对冷却结果影响不大;而消逝波的判断宽度不够宽时,结果偏差较大;对于方锥形势阱,失谐量趣小     

氮原子同位素计算

本文利用多组态Dirac-Hartree-Fock和相对论组态相互作用的方法计算了氮原子的同位素¹⁴N和¹⁵N的四对能级跃迁：3s⁴P→3p⁴P°,3s⁴P→3p⁴D°,3s²D→5p²D°,和3s²P→3p²P°相应的特殊质量位移系数和场因子. 由计算所得的正常质量位移,特殊质量位移系数和场因子获得了氮原子同位素的正常质量位移、特殊质量位移和场位移. 同时将计算结果和报道的实验和理论计算结果进行了比较.     

实现冷原子(冷分子)囚禁的可控制光学双阱的产生及其实验研究

简单介绍了实现冷原子或冷分子囚禁的可控制光学双阱的实验方案，报道了二元π相位板的制作方法及其产生可控制光学双阱的实验结果.分析了光学双阱参数(如空间位置、双阱中心间距、相对光强分布等)与π相位板相位偏差的关系.从理论和实验上研究了由于二元π相位板的刻蚀厚度误差引起的光学双阱光强变化及其双阱到单阱的演化规律，得到了实验与理论基本一致的结果. 关键词： 二元相位板 可控制光学双阱 冷原子囚禁 冷分子囚禁     

冷原子的双阱微磁表面囚禁

提出了两种新颖的采用载流导线的双阱微磁表面囚禁方案(即双U形与双Z形导线囚禁)。通过改变囚禁方案中直导线中的电流方向，即可将双U形导线囚禁改变为双Z形导线囚禁；如果逐渐减小直导线中的电流大小，即可将一个双阱微磁囚禁连续地合并为一个单阱微磁囚禁，反之亦然。详细计算和分析了上述两种载流导线囚禁方案的磁场及其梯度的空间分布。研究发现在导线中通以较小的电流，即可在导线表面附近产生很大的磁场梯度及其曲率。例如当电流为O．2A时，其磁场梯度和曲率可分别达到0．2T／cm和10T／cm2以上。由于双U形导线囚禁中存在磁场零点，而双Z形导线囚禁中仅存在磁场最小值，所以双U形导线囚禁仅适用于制备双样品磁光囚禁(MOT)或研究中性原子的冷碰撞，而双Z形导线囚禁除了可用于研究原子的冷碰撞之外，还可以用于制备双样品玻色-爱因斯坦凝聚(BEC)或实验研究双阱玻色-爱因斯坦凝聚的性质等。