氧分子离子第一负带系（b^4∑g^——α^4Пu）（2，6）带的光谱测量与分析

采用光外差-速度调制分子离子吸收光谱技术，在近红外波段13170-13500cm^-1范围内，对氧分子离子第一负带（b^4∑g^--α^4Пu）（2，6）带进行测量和分析，有关第一负带（2,6）带光谱测量尚未见文献报道．本文简述了光外差-速度调制光谱技术的特点，同时给出了对复杂四重态跃迁谱带的分析，运用非线性最小二乘拟合获得了该跃迁上下态精确的分子常数。     

偏振差分反射光谱研究半导体材料的平面内光学各向异性

介绍了偏振差分反射光谱的原理,并结合半导体材料平面内光学各向异性的来源,总结了偏振差分反射光谱作为一种重要的表面、界面分析技术在半导体材料研究中的应用,并分析指出其在Si基材料电光改性研究中将会起到重要作用。     

《立法法》第十二条和第二十四条合宪性质疑

依照我国现行《宪法》，议案创制权属于国务院和国家立法机关——全国人民代表大会及其常务委员会。《立法法》第十二条和第二十四条中的中央军事委员会、最高人民法院和最高人民检察院可以分别向全国人民代表大会和全国人民代表大会常务委员会提出法律草案，并可以列入会议议程的规定，与《宪法》的条款规定似有相悖，笔者认为不妥，故在本文中进行讨论。     

Bistable Behaviour of N Two-Level Atoms Interacting with the Field inside a High-Q Cavity Containing a Nonlinear Kerr-Like Medium

Taking the intensity-dependent coupling between atoms and cavity mode into account, we investigate a system consisting of N homogeneously broadened two-level atoms interacting with the field inside a single-mode Fabry- Perot cavity containing a nonlinear Kerr-like medium. We derive the steady-state bistable behaviour of the system, and further analyse in details the influence of several critical parameters on the bistable behaviour.     

Effects of Post-Thermal Treatment on Quality of SiC Grown by PVT Method

We report the effects of post-thermal treatment on the quality of 2-inch 6H-SiC wafer cut from a crystal boule grown by physical vapour transportation method. The full widths at half maximum of x-ray diffraction rocking curves measured on sites across the 2-inch wafer become narrower, indicating the quality improvement after a three-step post-thermal treatment. It is found that the most common defects such as micropipes and inclusions can be significantly reduced after the treatment. Our results show that the post-thermal treatment is an effective route to improve the quality of SiC single crystals.     

对一道静电计相关易错题的深入分析

1问题的引出【题目】如图1所示,电源电压为200V,两个电容器C1,C2完全相同,静电计读数U和电压表读数U′,以下结果正确的是A.U=100V,U′=100VB.U=0,U′=200VC.U=200V,U′=0D.U=100V,U′=0图1错解:许多学生(甚至教师)认为电压表和静电计都是测量电压的仪器,两者的读数应相同,错选选项A.静电计是研究     

感应法测量高温超导简临界电流研究

本文详细介绍了单匝环路感应法的基本原理.结合电子技术和计算机测控技术,对该方法进行了改进,并应用该方法对Bi-2212超导筒的临界电流进行了研究,给出了实验结果.研究表明临界电流判据选取的越小,测量的系统误差越小.     

在织构Ni衬底上用电子束蒸发沉积YSZ阻挡层

用轧制及再结晶方法制备了高度立方织构的金属Ni(镍）基带。采用电子束蒸发的方法在几个厘米长的Ni基带表面上生长YSZ（钇稳定二氧化锆）阻挡层。X射线衍射分析表明，YSZ层具有纯c轴取向和良好的平面内取向及立方织要。扫描电镜观察表明，YSZ阻挡层连续致密无裂纹。     

工作点测量系统在合肥光源的应用研究

 介绍了利用合肥光源(HLS)的工作点测量系统进行一些束流参数的测量及其应用研究，这些参数包括工作点、β函数；自然色品以及中心频率。同时还进行了清洗电极对工作点的影响的测量。给出了一些测量结果，测量结果与理论计算值相当吻合。     

PMP泡沫的飞秒激光烧蚀及切割方法

对密度为90 mg/cm3的PMP泡沫材料的飞秒激光烧蚀结果进行了分析,推导出该材料在脉宽50 fs、波长800 nm、重复频率为1000 Hz的飞秒激光作用下的蚀除阈值为0.91 J/cm2（100个激光脉冲）,获得了烧蚀直径分别随激光功率、脉冲数及聚焦物镜数值孔径的变化规律。相同飞秒激光加工系统下,对比了铜箔上获得的烧蚀形状,确定了PMP泡沫材料本身的多孔洞及其分布不均匀是造成烧蚀区域的形状不规则的重要因素。PMP泡沫在较高能量或是较长时间的飞秒激光作用下,烧蚀区域发生碳化的原因是由热作用引发的。提出了一种基于激光束耦合的飞秒激光切割厚度大于1 mm的薄膜-泡沫材料的方法,并获得了切割厚度大于1.5 mm、切割侧壁与光束光轴夹角小于5、切割面整洁的薄片。