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We experimentally demonstrate a diode-pumped passively mode-locked femtosecond laser with Yb 3+ -doped yttrium lanthanum oxide ceramic. Mode-locking is achieved by using a semiconductor saturable absorber mirror, and intracavity dispersion is compensated by a pair of SF6 prisms. Laser pulses as short as 357 fs at a central wavelength of 1 075 nm are obtained. The maximum average output power is 670 mW under 4.5 W of pumping power with a slope efficiency of 20%. To the best of our knowledge, this is the shortest pulse generated from Yb-doped yttrium lanthanum oxide ceramic lasers with a sub-500 fs pulse duration. 相似文献
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采用传统无压烧结工艺制备Mg,Ti共掺透明氧化铝陶瓷,测定了其吸收光谱、荧光光谱和激发光谱,结果表明,由于Mg2+的电荷补偿,当Ti掺入量较小时,Ti主要以Ti4+形式存在,(Mg,Ti):Al2O3透明陶瓷只在250nm的紫外波段有吸收峰,为O2-→Ti4+的电荷转移跃迁产生的吸收,并产生Ti4+离子在280-290nm和410-420nm的荧光发射峰;当Ti掺入量较大时,氧化铝透明陶瓷除了存在Ti4+的吸收峰,还表现出Ti3+离子490nm的特征吸收峰,即2T2→2E跃迁产生的宽带吸收,Ti3+离子的发射谱线与Ti:Al2O3单晶的相吻合. 相似文献
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用提拉法技术生长出了Bi:α-BaB2O4单晶,并进行电子束辐照.测定了电子束辐照前后的吸收谱和荧光发射谱.在808 nm波长激光二极管的激发下,电子束辐照后的Bi:α-BaB2O4单晶中观测到了中心波长在1135 nm附近、半高宽为52 nm左右的近红外宽带发光现象.近红外宽带发光的发光中心是Bi+离子.电子束射线起到了将Bi3+和Bi2+还原至一价态
关键词:
近红外宽带发光
2O4单晶')" href="#">α-BaB2O4单晶
电子束辐照 相似文献
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采用提拉法分别生长了具有高光学质量的0.5at;和1.0at;的Ho∶ Sc2SiO5(Ho∶ SSO)激光晶体.研究表明晶体空间群为C2/c,晶胞参数为a=0.99723 nm,b=0.64261 nm,c=1.16843 nm,β=103.9°.Ho3+在SSO基质中的分凝系数为0.82.Ho∶ SSO晶体在2085nm处发射截面为1.12×10-20 cm2,发射光谱呈现一个1850~2150nm的宽发射带.当粒子数反转比率β=0.25时,增益截面σg即开始出现正增益.综合评估了晶体的激光性能,表明Ho∶SSO晶体是一种有潜力的2μm波段激光介质. 相似文献
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探索了在中等职业教育的计算机程序设计(Visual Basic)中运用行为导向教学法的必要性、可行性,并结合实例阐述了行为导向教学实施过程以及在教学中的心得体会。 相似文献
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采用固相反应制备了不同浓度Mn4+掺杂的硅酸锆粉末,研究了Mn4+对硅酸锆光致发光性能的影响。采用XRD表征 ZrSiO4∶Mn4+的结构,结果显示在1 400 ℃粉末已被完全合成。研究了不同掺杂浓度下ZrSiO4∶Mn4+粉末的光谱性能,在0.3%Mn4+掺杂浓度(摩尔分数)下,其发光性能最好。在激发谱中,位于363 nm的峰是由O2--Mn4+的电荷迁移带和自旋允许的Mn4+的4A2-4T1的能级跃迁叠加产生的,而450 nm的激发峰则是因为Mn4+的4A2-4T2能级跃迁导致的。发射谱中的最强峰位于667 nm,这是由Mn4+的2E-4A2的能级跃迁产生的,还有一个位于698 nm的峰则是由于反斯托克斯声子边带发射造成的。测试了ZrSiO4∶Mn4+粉末的荧光衰减曲线,Mn4+离子浓度为0.1%时寿命为0.204 1 ms。结果表明,ZrSiO4∶Mn4+粉末拥有良好的发光性能,是一种有望应用于白光LED的荧光粉。 相似文献