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杨树人 《吉林大学学报(理学版)》1988,(4)
受中国电子学会电子材料学学会委托,由吉林大学,中国科学院长春物理研究所,北京半导体研究所,长春半导体厂联合主办的全国固体薄膜学术会议于8月30日至9月3日在长春召开。来自全国各地的51个单位的140人参加了会议。 大会收到132篇学术论文。是时,出版了《全国固体薄膜学术会论文集》。 这次会议是我国从事固体薄膜科学研究的科学工作者第一次学术交流的大会。从会议学术交流的 相似文献
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报导了LP-MOVPE InGaAsP/InP体材料和量子阱的生长.生长的与InP匹配的1.55μm波长的InGaAsP材料,在77K时光荧光半峰宽达18.7meV,InGaAsP/InP量子阱的半峰宽为18.0meV. 相似文献
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退火对ZnO薄膜结构及发光特性的影响 总被引：3，自引：6，他引：3
生长在蓝宝石C面上的ZnO薄膜是通过等离子体金属有机物化学汽相淀积方法获得的，由其X光衍射得知，生长过程中分段退火和最后退火在薄膜中分别引入了张应力和压应力。通过对样品光致发光光谱研究表明：分段退火样品在380nm附近出现了单一激子发射峰，而最后退火样品却出现了与应变有关的Γ5和Γ6两激子发射峰，同时在两者的光致发光光谱中与深能级有关的荧光峰都未出现。 相似文献
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LP-MOCVD生长温度对InGaAs性能的影响 总被引：2，自引：0，他引：2
众所周知,InGaAs在InP和GaAs二个系列材料中具有最大的载流子迁移率和最大的饱和速率,InGaAs/GaAs应变量子阱可以把GaAs的发射波长从0.83μm延伸到1.1μm[1],而InGaAs/InP量子阱激光器又可以实现1.1～1.8μm内任意波长发射[2],并且,InGaAs/InP探测器的响应波长范围为0.93μm～1.65μm[3],因此,它不论对高速电子器件如HBT和HEMT,还是光电子器件如激光器(LD)和探测器(PIN和APD)都具有极重要的意义。 相似文献
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为了进一步研究聚合物溶液驱替岩心微孔道中残余油的流动规律,探索驱替液弹性对残余油变形的影响规律,进一步研究黏弹性驱替液对岩心微孔道中残余油的驱替机理,运用非牛顿流体力学理论建立流动方程,采用数值计算方法求解残余油的变形。计算结果表明:随着We数的增大,残余油的前进角逐渐增大,后退角逐渐减小,变形指数逐渐增大,起始阶段变形指数按照线性规律增加,后成抛物线型增加。较高的浓度或分子量的聚合物溶液都会显著地增加其弹性,使得残余油产生显著的变形,更有利于残余油的运移或剥离,从而验证了数值计算所得的结果——弹性可增大残余油的变形,提高驱油效率,进一步提高原油采收率,这就是聚驱提高原油采收率的水动力学机理。 相似文献
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用金属有机气相外延生长了一系列具有不同应变、不同周期以及不同缓冲层的ＩｎＧａＡｓ应变超晶格。用Ｘ射线双晶衍射方法得到了样品的摇摆曲线。结合计算机模拟得到了样品的应变、组分等结构参数。对不同缓冲层的超晶格结构也进行了分析。 相似文献
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