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采用低温热分解法制备Zn1-xMgxO(x=0,0.03)纳米材料,利用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)和拉曼光谱分析研究了Mg的掺杂对样品的结构和光学特性的影响.另外,还利用能量弥散X射线能谱仪(EDX)对样品的元素含量进行了表征.结果表明,Zn0.97Mg0.03O具有和ZnO一样的衍射谱,为六方纤锌矿结构.但是,随着Mg的掺入,样品Zn0.97Mg0.03O的结晶有序性遭到一定程度的破坏,结晶质量下降.XRD和EDX结果证明了Mg成功掺入ZnO晶格中,形成了替位式掺杂.在拉曼光谱中,位于434 cm-1处的E2(H)模式的出现表明样品为六角纤锌矿结构的ZnO.室温光致发光谱出现很强的紫外近带发射峰,没有观察到深能级发射,且随着Mg的掺入,紫外发射峰发生蓝移. 相似文献
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用分子束外延系统在GaAs(001)衬底上生长InAs量子点,在InAs量子点上插入3 nm的In0.4Ga0.6As层,可将量子点发射波长调谐到1 300 nm附近.对样品进行氢等离子处理,研究处理前后样品的InAs量子点光致发光(PL)强度的变化.结果表明,在InAs量子点与相邻层的界面上以及GaAs层中存在界面缺陷,采用氢等离子处理可有效地抑制界面缺陷,大幅度地提高发光效率. 相似文献
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试井分析是利用井底压力数据反演井筒与地层参数的方法。针对该类反问题,文章提出一种基于集合卡尔曼滤波的参数反演方法。首先利用随机算法生成一定的初始集合,使其满足油藏的参数分布特征;然后以井底压力作为历史生产数据,利用集合卡尔曼滤波方法对油藏模型进行更新;最后对计算压力与实测压力以及它们的压力导数进行解释分析。结果表明,该方法可以对水平井大规模压裂效果进行反演,且具有很好的应用前景。 相似文献
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通过溶胶-凝胶法制备了L10相CoPt磁性纳米颗粒.结果表明,不同热处理过程对CoPt纳米颗粒的结构和磁性有着明显的影响.磁性测试结果显示,所制备的L10相CoPt纳米颗粒在室温下具有铁磁性. 相似文献
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采用简单的氯苯(CB)反溶剂辅助旋涂技术构建一种新颖的随机纹理结构钙钛矿(RT-PVK)吸光层.系统研究CB浸渍量对MAI-PbI_2-DMSO中间体多孔骨架结构的影响规律,揭示CB诱导的RT-PVK结晶动力学原理及内在反应机制.指出MAI-PbI_2-DMSO中间体的多孔性质可为钙钛矿形成过程中所经历的晶格膨胀提供充足的空间,有效改善吸光层表/界面质量,提高电池性能.另外,RT-PVK吸光层具有适当的表面粗糙度和纵向有序的晶界分布,表现出优异的光捕获能力和载流子迁移率.最终,采用RT-PVK吸光层(约400 nm厚)制备的平面PSC获得了约20%的光电转换效率(PCE),并且表现出较高的可重复性.此外,整个电池的制备过程均在低温条件下进行(≤150℃),这有助于实现柔性及钙钛矿基叠层电池组件的制备. 相似文献
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本文应用Miedema宏观原子模型,结合正规溶液模型,计算了Ni-Mo,Ni-Ti二元合金的非晶态及结晶态的Gibbs自由能,由此确立了这两种合金形成玻璃态的成分范围. 相似文献
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CaSiO3∶Eu3+Bi3+的制备及发光性能 总被引:1,自引:1,他引:0
采用溶胶-凝胶法合成了具有单斜晶系钙钛矿型CaSiO3结构的CaSiO3∶Eu3+Bi3+发光体.其激发光谱的峰位位于238,396,415,437和359 nm, 分别对应于Eu3+-O2-的电荷迁移带、Eu3+的7F0,1-5L6,7F0-5D3,7F1-5D3的跃迁谱线和Bi3+的1S0-3P1吸收峰.在359和395 nm波长的光激发下, Eu3+的5D0-7F2受迫电偶极跃迁峰的强度要比Eu3+的5D0-7F1磁偶极跃迁峰强,表明Eu3+占据更多的是非反演中心格位.探讨了CaSiO3基质中Bi3+对Eu3+的能量传递和敏化作用,结果表明:Bi3+确实对Eu3+起到了敏化作用,它们之间的能量传递方式为共振能量传递. 相似文献
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密堆积六方结构Ni纳米颗粒的制备与表征 总被引:6,自引:2,他引:4
采用溶胶-凝胶方法制备前驱体, 将前驱体进行热处理制得密堆积六方结构(hcp)的Ni纳米粉末. 利用TG-DTA, XRD和TEM等测试手段对材料的合成条件、结构、形貌以及结构演变过程进行了分析. 结果表明, 于300 ℃进行热处理所合成的样品为球形的具有密堆六方结构的Ni纳米颗粒, 晶胞参数a=0.2652 nm, c=0.4334 nm, 平均晶粒尺寸约为12 nm. 随着热处理温度的升高, 样品结构发生由密堆六方结构向面心立方结构的转变. 相似文献
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利用简单的绿色溶剂热法以乙二醇为溶剂成功地制备了具有三角形形貌的硒化锌(ZnSe)纳米颗粒.X射线衍射(XRD)结果显示,合成的ZnSe具有立方闪锌矿结构.透射电子显微镜结果表明,合成的ZnSe纳米颗粒大小约为15 nm,形貌呈三角形.光致发光谱显示,ZnSe纳米颗粒在447 nm处存在较强的近带边发射峰,在510~600 nm处有一个与缺陷相关的发射带;随着激发功率的增加,具有三角形形貌的ZnSe纳米颗粒的近带边发射峰出现了明显的红移,同时峰能量降低了455 MeV;随着激发功率从1.5 mW增加到30 mW,所观察到的近带边发射峰的强度先增大后减小. 相似文献