图纹结构Co/Pt多层膜的制备及垂直磁各向异性研究

采用自组装技术制备大面积有序聚苯乙烯微球模板.在此基础上,制备Co/Pt多层膜纳米碗列阵阵列.利用扫描电子显微镜(SEM)和振动样品磁强计(VSM)对样品表面形貌和磁性进行了分析.结果表明:纳米碗阵列保留了聚苯乙烯微球模板的有序形貌.磁性多层膜随着Pt或Co厚度的增大,矫顽力和Mr/Ms变化的总体趋势是先增大后减小.随着衬底胶体球半径的增加,曲率诱导作用逐渐减弱,矫顽力降低.     

溶胶-凝胶法制备FePt纳米颗粒及其性质研究

通过溶胶-凝胶法制备了L10相FePt纳米颗粒,并利用X射线衍射(XRD)、振动样品磁强计(VSM)、透射电子显微镜(TEM)等测试手段对所制备的样品进行了结构和磁性表征.XRD及TEM分析表明,700℃所制备的FePt纳米颗粒为面心四方(FCT)结构,颗粒形状为球形且分散性较好,晶粒尺寸约为12 nm.磁性测试结果表明,L10相的FePt纳米颗粒室温下具有铁磁性,其矫顽力为1 887 Oe.     

High pressure electrical transport behavior in SrF_2 nanoplates

The charge transport behavior of strontium fluoride nanocrystals has been investigated by in situ impedance measurement up to 35 GPa.It was found that the parameters changed discontinuously at each phase transition.The charge carriers in SrF_2 nanocrystals include both F~-ions and electrons.In the Fm3 m phase,pressure makes the electronic transport easier,while makes it more difficult in the Pnma phase.The defects at grain boundaries dominate the electronic transport process.Pressure could make the charge-discharge processes in the Fm3 m phase much easier,but make it more difficult in the Pnma phase.     

中温固体氧化物燃料电池NdBa0.5Sr0.5Co2O5+δ-GDC复合阴极材料的性能研究

制备了复合阴极材料NdBa0.5Sr0.5Co2O5+δ-40%Ce0.9Gd0.1O1.95(NBSC-40%GDC).NBSC-40%GDC的平均热膨胀系数(TEC)为16.0×10-6K-1,其在700℃时极化电阻仅为0.134Ω.cm2.进行了以电解质为支撑体的单电池(NBSC-40%GDC/LSGM/NiO-GDC)的性能测试,在800℃时,功率密度达到382 mW.cm-2.     

WSe2纳米颗粒的制备及表征

采用固相反应法用W粉和Se粉为原料,高能球磨压片后,在Ar气氛中反应合成WSe2纳米颗粒。研究结果表明,当退火温度高于400℃时,样品为WSe2的六方晶相。考察了反应温度、球磨时间、气流量大小和保温时间对合成反应的影响,并发现保温时间的加长并没给结晶带来有益的影响,而延长球磨时间能明显降低颗粒尺寸。     

复合材料BN-B2O3纳米棒的制备

采用六角氮化硼(h-BN)粉末为原料,通过对h-BN粉末球磨得到BN纳米粉,并在管式炉中对BN纳米粉进行烧结,烧结环境分别为真空和空气.利用X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)研究所得样品的结构和成分.结果表明,样品为结晶较好的BN-B2O3纳米棒复合材料.     

利用多层膜生长技术制备纳米印章模板

在纳米印章技术中，为克服电子束刻蚀制备50nm以下线条的技术难点，利用等离子增强化学 气相沉积技术制备了a-Si/SiN_x多层膜，再利用选择性湿法腐蚀或干法腐蚀在横 截面上制备出浮雕型一维纳米级模板. 多层膜子层之间界面清晰陡峭，可以在纳米量级对子 层厚度进行控制，得到了侧壁在纳米尺度上平滑的模板. 通过控制多层膜子层的生长时间， 制备出线条宽度和槽状宽度均为20nm的等间距模板，品质优于电子束刻蚀技术制备的模板. 关键词： 纳米印章模板 多层膜生长技术     

纳米胶体球表面生长的Co/Pt多层膜的磁性研究

利用自组装技术在Si表面上制备二维有序胶体球阵列,利用磁控溅射系统以此为衬底制备Co/Pt垂直多层膜,形成曲面膜.与沉积在Si表面上相同结构的多层膜做比较,当测量角度在0°-45°之间时,曲面膜的磁滞回线形状几乎无变化,表明转换场分布很窄,这是由各向异性轴在球表面的变化造成的.     

Co-NiO/FeNi双层膜的交换偏置效应

金属Co片和NiO靶材通过溅射得到Co-NiO薄膜, 当Co含量为25.2％时, Co-NiO/FeNi双层膜的偏置场H_E最大, 是未掺入Co时NiO/FeNi偏置场的3倍. 分析表明,金属Co的团簇镶嵌在NiO基质中, 该结构可提高铁磁/反铁磁双层膜的偏置效应.      

烧结温度对Co掺杂ZnO稀磁半导体性能的影响

通过溶胶—凝胶法制备了Co掺杂ZnO稀磁半导体纳米颗粒,利用X射线衍射仪、透射电子显微镜和振动样品磁强计等测试手段对Co掺杂ZnO稀磁半导体样品进行了结构和磁性表征.结果表明,随着烧结温度的升高,样品的固溶度逐渐增加.当样品的烧结温度为800℃时,样品为单相的ZnO结构.磁性测试结果表明,Co掺杂ZnO稀磁半导体在室温下具有铁磁性.