外力诱导下的高分子链相变

采用nPERMis(new pruned-enriched rosenbluth method with importance sampling)算法,研究了吸附在表面的高分子链在外力诱导下的相变行为.以链长N=60的高分子链为例,在外力的作用下相变临界温度比没有外力作用的相变临界温度要低,并随外力的增大相变临界温度降低,但比热容峰值会增大.当外力f=1.0或者1.5时,在高温区域高分子链形状发生较大变化,但在低温区由于高分子链内部相互作用和界面的吸附作用,高分子链随温度的降低塌缩成与没有外力作用相同的构象.对于不同的链长,在同一外力的作用下,相变临界温度随链长增大而增大,且比热峰值也增大.     

半柔性大分子链穿越微孔行为的研究

采用动态蒙特卡罗模拟方法,模拟半柔性大分子链在电场作用下穿越纳米孔道进入球腔的输运过程. 主要研究电场强度及半柔性大分子链的刚性强度对穿孔过程的影响.发现：平均穿孔时间τ随电场强度的增大而减小,τ与链的长度N满足标度关系τ~N^α,并且电场强度E和弯曲能b对标度指数有显著影响. 研究结果表明,当电场强度为中等时,刚性弱和刚性强的大分子的穿孔过程是完全不同的. 研究半柔性大分子链穿越微孔的行为,有助于更深入认识生物大分子在生命体内的输运过程.     

导弹四级磁场电枢轨道过盈配合参数优化

为了促进四级电磁轨道发射器在地空导弹武器发射中的应用,对四级电枢的过盈结构进行了研究。在有限元软件Ansys Workbench三维过盈装配仿真的基础上,选择最大等效应力、接触面积系数、接触压强均匀系数和相对接触压强系数四个表征接触特性的评价指标,采用正交试验的方法对四级电枢的过盈量、尾翼宽度、尾翼厚度和过盈长度4个过盈结构参数进行了综合优化。结果表明,采用过盈量2 mm、尾翼宽度140 mm、尾翼厚度40 mm、过盈长度270 mm的优水平组合能够使发射前期电枢和轨道间接触特性更理想,可为四级电枢结构设计提供参考。     

Ge-Sb-Se硫系玻璃的折射率和热光系数

Ge-Sb-Se硫系玻璃被认为是极佳的红外传输材料和有潜力的非线性光学材料.在光学设计中,玻璃的线性折射率(n)及其热光系数(ζ)是关键技术参数.以预测和调控Ge-Sb-Se玻璃的n和ζ为目的,考察了玻璃的n,ζ,密度(d)和体积膨胀系数(β)与化学参数dSe和拓扑网络结构参数r的内在联系.研究发现,玻璃的n随d的增加而增大;ζ随β的增大而近似线性减小;β随dSe的减小或r的增大而减小;当Ge含量固定时, d随dSe的减小或r的增大而增大,当Sb含量固定时, d在dSe=0时具有最小值.基于实测d和n,拟合获得了Ge, Sb和Se元素在2—12μm波段的摩尔折射度(R_i),分别为R_(Ge)=10.16—10.50 cm~3/mol,RSb=16.71—17.08 cm~3/mol和RSe=11.15—11.21 cm~3/mol,根据d和R_i计算得到的n与实测值的偏差小于1%.基于实测ζ和β,拟合得到了Ge, Sb和Se元素在2—12μm波段的摩尔折射度温度系数(φ_i),分别为φ_(Ge)=21.1—22.6 ppm/K,φ_(Sb)=7.2—8.4 ppm/K和φ_(Se)=90.2—94.2 ppm/K,根据β和φ_i计算得到的ζ与实测值的偏差小于6 ppm/K.     

磁光调制方位传递系统中螺线管近轴区磁场影响分析

磁光调制方位传递系统中,交变电流驱动内置磁光材料的螺线管磁场至关重要,直接关系到方位信息的传递精度。研究了交变电流驱动的螺线管内磁场对方位信息传递精度的影响。首先,利用麦克斯韦方程构建空心螺线管电磁场模型,分析驱动信号频率对磁场的影响;然后结合安培环路定律建立内置磁光材料的螺线管内部磁场模型;最后分析无松弛极化介质、松弛极化介质、驱动信号频率等对系统方位传递精度的影响。结果表明:驱动信号频率是影响系统方位传递精度的重要因素,且方位传递误差存在规律性;无松弛极化介质与松弛极化介质对系统方位传递精度的影响程度相当。该结果为研究磁光调制方位传递系统的方位传递精度与系统优化设计提供了参考。     

基于VRRP特性增强技术的气象数据/视频传输网络通信系统

通过分析全省气象业务系统对骨干通信网络的需求,针对存在的问题,于2011年底到2012年初实现省-地、地-县骨干网的优化和升级.利用VRRP特性增强技术,实现链路的快速检测和VRRP的快速切换,从而提高气象骨干网数据/视频传输及时性和可靠性.     

复杂硐室施工方法探讨

对于工程设计复杂硐室,工程转换环节较多的情况下,如何解决施工方法和工序衔接问题,解决掘进过程通风安全管理和掘进机电设备挪移安全管理是硐室施工的主要问题。在实际施工中我们通过优化工序、创新施工方法解决了施工中存在的难题,安全、快速、优质的完成了本工程的施工,创建了品牌硐室。     

Structural evolution study of additions of Sb_2S_3 and CdS into GeS_2 chalcogenide glass by Raman spectroscopy

The structures of pseudo-binary GeS_2–Sb_2S_3, GeS_2–CdS, Sb_2S_3–CdS, and pseudo-ternary GeS_2–Sb_2S_3–CdS chalcogenide systems are systematically investigated by Raman spectroscopy. It is shown that a small number of [S_3Ge–GeS_3]structural units(SUs) and-S-S-/S8 groups exist simultaneously in GeS_2 glass which has a three-dimensional continuous network backbone consisting of cross-linked corner-sharing and edge-sharing [GeS_4] tetrahedra. When Sb_2S_3 is added into GeS_2 glass, the network backbone becomes interconnected [GeS_4] tetrahedra and [SbS_3] pyramids. Moreover, Ge atoms in[S_3Ge–GeS_3] SUs tend to capture S atoms from Sb_2S_3, leading to the formation of [S_2Sb–SbS_2] SUs. When CdS is added into GeS_2 glass, [Cd_4GeS_6] polyhedra are formed, resulting in a strong crystallization tendency. In addition, Ge atoms in[S_3Ge–GeS_3] SUs tend to capture S atoms from CdS, resulting in the dissolution of Ge–Ge bond. Co-melting of Sb_2S_3 or CdS with GeS_2 reduces the viscosity of the melt and improves the homogeneity of the glass. The GeS_2 glass can only dissolve up to 10-mol% CdS without crystallization. In comparison, GeS_2–Sb_2S_3 glasses can dissolve up to 20-mol% CdS,implying that Sb_2S_3 could delay the construction of [Cd_4GeS_6] polyhedron and increase the dissolving amount of CdS in the glass.     

磁光材料Verdet常数贡献性的讨论

Verdet常数是表征材料磁光性能的重要参数,具有波长和温度依赖性.为了更好地分析入射光波长、温度等对Verdet常数的影响机理,从基础理论切入,分析了现有理论的优缺点.结合光的波粒二象性特性,提出了波动跃迁性贡献理论,即法拉第效应是光的波动性作用以及电偶极跃迁作用带来的贡献之和,波动性对偏转角的贡献为正,跃迁性贡献为负.在抗磁性材料中,波动性贡献大于跃迁性贡献,Verdet常数为正;顺磁性材料中,跃迁性贡献远大于波动性贡献,Verdet常数为负.进而分别以典型抗磁性材料重火石玻璃ZF1和顺磁性材料铽镓石榴石为例,并结合相关数据、参数、模型,对理论进行了验证.试验结果表明,在精确描述材料Verdet常数方面,波动跃迁性贡献理论具有一定的优越性.     

压缩相干态光场两耦合双原子系统的量子场熵

应用全量子理论,研究了单模压缩相干态光场和偶极与偶极力关联的两个等同的耦合双能级原子相互作用系统的量子场熵演化特性.通过数值计算,讨论了光场压缩因子、场与原子间耦合强度以及原子间耦合强度对量子场熵演化特性的影响.结果表明,光场的压缩因子影响量子场熵演化的振荡幅度;场与原子间耦合强度系数影响量子场熵演化的周期性;原子之间的耦合强度系数不仅影响量子场熵演化的振荡性,而且影响量子场熵演化的周期性.