全文获取类型
收费全文 | 57篇 |
免费 | 11篇 |
国内免费 | 17篇 |
专业分类
化学 | 9篇 |
力学 | 1篇 |
数学 | 2篇 |
物理学 | 16篇 |
综合类 | 57篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 4篇 |
2022年 | 4篇 |
2021年 | 2篇 |
2020年 | 4篇 |
2019年 | 9篇 |
2018年 | 3篇 |
2017年 | 1篇 |
2016年 | 4篇 |
2015年 | 4篇 |
2014年 | 5篇 |
2013年 | 3篇 |
2012年 | 2篇 |
2011年 | 4篇 |
2010年 | 2篇 |
2009年 | 2篇 |
2008年 | 3篇 |
2007年 | 3篇 |
2006年 | 6篇 |
2005年 | 1篇 |
2004年 | 1篇 |
2003年 | 3篇 |
2002年 | 1篇 |
2001年 | 1篇 |
2000年 | 3篇 |
1999年 | 4篇 |
1998年 | 2篇 |
1997年 | 2篇 |
1988年 | 1篇 |
排序方式: 共有85条查询结果,搜索用时 7 毫秒
81.
在研究网侧变换器与机侧变换器的传统协调控制策略的基础上,为提高网侧变换器对机侧变换器的响应速度,提出了一种改进型协调控制策略。该协调控制策略将双馈电机转子侧有功电流动态微分值引入直流母线电压控制中。有效提高了网侧变换器对机侧变换器的负载响应能力,从而改善了直流母线电压的波动。仿真和实验验证了所提出的协调控制策略的正确性和可行性。 相似文献
82.
采用简单的磁控溅射方法, 在室温合成了CdS多晶薄膜. 在溅射CdS多晶薄膜过程中, 分别在Ar 气中通入0%、0.88%、1.78%、2.58%和3.40% (体积分数, φ)的O2, 得到不同O含量的CdS多晶薄膜. 通过X射线衍射仪、拉曼光谱仪、扫描电子显微镜、X射线光电子能谱仪、紫外-可见光谱仪对得到的CdS多晶薄膜进行表征.分析结果表明: O的掺入能得到结合更加致密, 晶粒尺寸更小的CdS多晶薄膜; 与溅射气体中没有O2时制备的CdS多晶薄膜的光学带隙(2.48 eV)相比, 当溅射气体中O2的含量为0.88%和1.78% (φ)时, 制备得到的CdS多晶薄膜具有更大的光学带隙, 分别为2.60和2.65 eV; 而当溅射气体中O2的含量为2.58%和3.40% (φ)时, 得到的CdS光学带隙分别为2.50 和2.49 eV, 与没有掺杂O的CdS的光学带隙(2.48 eV)相当; 当溅射气体中O2的含量为0.88% (φ)时, 制备的CdS多晶薄膜具有最好的结晶质量. 通过磁控溅射方法, 在溅射气体中O2含量为0.88% (φ)条件下制备的CdS多晶薄膜表面沉积了CdTe 多晶薄膜并在CdCl2气氛中进行了高温退火处理, 对退火前后的CdTe多晶薄膜进行了表征. 表征结果显示: CdS中掺入O能得到结合更紧密、退火后晶粒尺寸更大的CdTe多晶薄膜. 通过磁控溅射方法, 在CdS制备过程中于Ar 中掺入O2, 在室温就能得到具有更大光学带隙的CdS多晶薄膜, 该方法是一种简单和有效的方法, 非常适用于大规模工业化生产. 相似文献
83.
聚乙烯醇/半纤维素/纤维素纳米晶复合膜的制备和性能 总被引:1,自引:0,他引:1
通过碱解醇沉法从玉米芯中提取半纤维素,进而采用溶液共混流延法制备出不同比例的聚乙烯醇(PVA)/半纤维素共混膜,在此基础上加入通过硫酸水解脱脂棉制备的纤维素纳米晶(NCC),制备了NCC增强的复合膜.DSC、TGA、FTIR、SEM和薄膜拉伸等研究表明,复合膜的各组分间形成了氢键作用,相容性良好.在PVA/半纤维素共混膜中,半纤维素的加入大幅度提高了复合膜的断裂伸长率:当PVA与半纤维素质量比为3∶1时,复合膜的断裂伸长率高达380%,比纯PVA的140%增加了1.7倍,而拉伸强度仍能保持在较高的水平;纤维素纳米晶的加入,还可改善复合膜的韧性;半纤维素对PVA组分的结晶性能产生了影响,而刚性结构的NCC则对PVA的结晶起抑制作用.此外半纤维素和NCC的引入也提高了复合膜的热性能,使第二阶段分解速率峰的温度提高了约50℃. 相似文献
84.
针对Ni基单晶合金建立初始压入γ 相的γ /γ' 模型和初始压入γ'相的γ'/γ 模型, 采用分子动力学方法模拟金刚石压头压入两种模型的纳米压痕过程, 计算两种模型[001]晶向硬度. 采用中心对称参数分析两种模型(001)相界面错配位错对纳米压痕过程的影响. 结果显示: 弛豫后, 两种模型(001)相界面错配位错形式不同, 其中γ'/γ 模型(001)相界面错配位错以面角位错形式存在; 压入深度在0.930 nm 之前, 两种模型(001)相界面错配位错变化不大, 压入载荷-压入深度及硬度-压入深度曲线较符合; 压入深度在0.930 nm之后, γ'/γ 模型(001)相界面错配位错长大很多, 导致相同压入深度时γ'/γ 模型比γ /γ'模型压入载荷和硬度计算结果小; 压入深度在2.055 nm之后, γ /γ'模型(001)相界面错配位错对γ 相中位错进入γ'相有阻碍作用, 但仍有部分位错越过(001) 相界面进入γ' 相中, γ'/γ 模型(001)相界面处面角位错对γ' 相中位错进入γ 相有更明显的阻碍作用, 几乎无位错越过(001) 相界面进入γ 相中, 面角位错的强化作用更明显, 所以γ'/γ 模型比γ /γ'模型压入载荷上升速度快. 相似文献
85.
为充分探究倾斜抗滑桩护坡承载特性,弥补倾斜抗滑桩在相应试验研究方面的不足,采用模型试验方法,对倾斜与竖直抗滑桩支护结构的受力状态、坡顶沉降位移、桩身内力变化规律和桩后土压力进行测量对比分析。试验结果表明倾斜桩体桩后土压力随着桩体埋深的增加先增大后减小,其形态类似于抛物线型分布;桩体在同一位置不同加载荷载下,土压力值随着荷载的增大而增大,与竖直桩体相比其受力更加合理,更能充分发挥抗滑桩护坡作用。桩身弯矩形态近似呈“S“形分布,桩身弯矩随着桩体埋深的增加先增大,后出现弯矩重分布现象反向增大最后减小,在桩体埋深为35cm处,弯矩值出现重分布现象;桩体在同一位置不同加载荷载下,弯矩值随着荷载的增大而增大且桩顶处弯矩值大于桩底弯矩。倾斜比竖直桩体在相同状况下所受弯矩值明显小很多,即能承受更大的土体作用而不发生破环,从而使护坡效果明显增强,为在实际工程中采用与坡面大致垂直的抗滑桩比竖直抗滑桩能达到更好的护坡效果提供了理论指导。 相似文献