光接枝法制备新型pH开关核孔膜

用表面光接枝方法制备了具有pH开关特性的丙烯酸接枝PET核孔膜 .XPS、SEM和AFM的表征结果证明 ,接枝膜具有非对称结构 ,丙烯酸接枝层主要在膜的向光侧表面 ,膜背侧和膜孔内没有变化 .膜孔周围的接枝链在湿态下沉入膜孔 ,接枝层对膜孔顶部产生封盖 .接枝链的体积随环境pH值的不同而变化 ,从而控制接枝膜的滤过特性 .在低接枝程度时 ,接枝链体积变化对膜孔径的影响小 ,不具有pH开关特性 ,但是接枝提高了膜的亲水性 ,通量得到提高 ;接枝程度达到一定程度时 (如 0 5 %) ,膜孔径受接枝链体积变化的影响显著 ,接枝膜表现出pH开关效应 .在pH大于 5时 ,接枝膜通量恒定 ,基本不受溶液pH值影响 .当pH值小于 4时 ,膜通量随溶液酸性的增加迅速升高 .接枝膜的开关幅度JpH =2 JpH =6 8,随接枝程度的增加而增加 .膜的通量和开关幅度可以通过接枝程度来调节     

MAPGIS地理信息系统在土地利用更新调查中的应用

本文讨论了MAPGIS地理信息系统在土地利用更新调查中的应用。     

利用直接核反应研究轻丰中子核的奇特结构

直接核反应是研究丰中子区核结构的重要手段．我们发展了质子标记的敲出反应实验方法,并用于^6He和^8He的结构研究,给出了^7He共振态至今最精确的测量结果．发展了多中子关联测量技术,并基于此重建了^8He激发态以及研究了^8He中的双中子关联．通过屹Be的非弹散射实验,观测到若干共振态,构成^6He＋^6He和^4He＋^8He两条分子转动带,支持挖Be的α-4n-α集团结构．     

曲唑酮的两步法制备及对碳钢的缓蚀机理

以3-氯苯胺、N-氯丙基二乙醇胺和吡啶三唑酮为原料，两步法制备出曲唑酮（TZD）.通过动态失重、极化曲线与电化学阻抗谱研究了TZD在0.5 mol/L盐酸溶液中对20#钢的缓蚀性能；借助扫描电子显微镜、原子力显微镜、衰减全反射红外光谱与吸附活化参数分析研究了TZD在碳钢表面的作用机理.结果表明，TZD可显著降低碳钢在盐酸溶液中的腐蚀速率，缓蚀率随TZD添加浓度的增加而增大，随温度升高而降低；298 K下，添加6 mmol/L TZD时，缓蚀率达95.8%；TZD可自发吸附组装于碳钢表面，同时抑制腐蚀反应的阴、阳极过程，显著增加界面极化阻抗；吸附为放热过程，符合Langmuir等温式.理论计算结果显示，TZD倾向以平行取向组装于碳钢表面.     

考虑相界效应的Ni基单晶合金纳米压痕模拟

利用分子动力学方法分别模拟金刚石压头压入Ni模型和Ni基单晶合金γ/γ′模型的纳米压痕过程,通过计算得到两种模型[001]晶向的弹性模量及硬度.采用中心对称参数分析不同压入深度时两种模型内部位错形核、长大过程以及Ni基单晶合金γ/γ′(001)相界面错配位错对纳米压痕过程的影响.结果显示:压入深度0.641 nm之前,两种模型的压入载荷-压入深度曲线相似,说明此时相界面处的错配位错对纳米压痕过程的影响很小;压入深度0.995 nm时,在错配位错处发生位错形核,晶体在γ相中沿着{111}面滑移,随即导致Ni基单晶合金γ/γ′模型压入载荷的下降,并在压入深度达到1.487 nm之前低于Ni模型相同压入深度时的压入载荷;压入深度从1.307 nm开始,由于相界面错配位错的阻碍作用,Ni基单晶合金γ/γ′模型压入载荷上升速度较快.     

湿法共混制备聚丁二酸丁二醇酯/淀粉食品包装膜

以水和甘油为增塑剂,将玉米淀粉与聚丁二酸丁二醇酯(PBS)直接湿法共混得到母粒,进而流延制备了PBS/淀粉薄膜.扫描电镜(SEM)观察发现,用甘油/水混合增塑的淀粉可以在PBS基体中均匀的分散,与淀粉干法填充改性相比,原位塑化后的淀粉与PBS的相容性得到明显改善,并且薄膜的综合力学性能较好.甘油∶水为1∶2,增塑剂用量为淀粉的15%时,薄膜的横纵向拉伸强度在淀粉含量为11.5%时最高,此时横纵向断裂伸长率分别较纯PBS薄膜提高了147.2%和51.3%,横纵向直角撕裂强度分别提高了160.8%和57.3%.随淀粉填充量的不断增加,薄膜的横纵向拉伸强度和直角撕裂强度都有所下降,但横纵向断裂伸长率却在淀粉填充量为30%时最高.在淀粉填充量高达25%和30%时,薄膜横纵向拉伸强度仍分别可以满足GB/T 4456—1996"包装用聚乙烯吹塑薄膜"中规定的A类优等品和合格品的要求.该薄膜材料在满足食品等包装使用需求的同时,有效地降低了成本,并且可以完全生物降解.     

燃气透平控制系统跳车原因及对策

本文介绍燃气轮机在合成氨中的应用，探讨其跳车后的处理办法。     

C,N, O原子在金属V中扩散行为的第一性原理计算

基于密度泛函理论, 采用第一性原理计算方法研究了C, N, O原子在金属V中的扩散行为. 首先, 讨论了C, N, O原子在V体心立方晶格中的间隙占位情况, 分析了其在间隙位置与V晶格的相互作用, 并探究了这种相互作用对金属V电子结构的影响. 研究结果表明: C, N, O原子在V的八面体间隙位置更为稳定, 并且C, N, O原子的2p电子与V的3d电子之间有比较强的成键作用; C, N, O原子的扩散势垒分别为0.89, 1.26, 0.98 eV, 并得出了其扩散系数表达式; 最后, 通过阿仑尼乌斯关系图对比了三者在V中扩散系数的大小, 并计算出体系温度在500–1100 K之间时其在V中的扩散系数, 计算结果与实验值基本符合.     

铁电半导体耦合光伏器件的历史与最新进展

本文介绍了新型铁电-半导体耦合光伏器件的发展历史和现状, 阐述了所观察到的非经典行为, 即开路电压在直流偏置电场控制下的迟滞的现象. 将之与含有光诱导偶极子场的有机光伏器件和量子点电池、压电光电子器件、铁电光伏器件、钙钛矿电池等进行比较, 发现偶极子极化电场在多种光伏器件中均存在, 甚至可能起到主导作用. 因此, 提出了偶极子场半导体器件的概念, 期望从更广义的范围涵盖结场型器件和非结场型偶极子器件, 为促进光伏发电领域更多的创新提供思路.     

延时微分方程多步Runge-Kutta方法的P-稳定性

用多步Runse－Kutta方法去解如下形式的试验方程其中y（t）＝（y1（t），y2（t），…，yN（t））T，L和M是复N×N矩阵，τ＞0，Φ（t）是一个已知向量函数，当t≥0时y（t）是未知的．主要解决了延时微分方程多步Runge－Kutta方法的P－稳定性．