片状h-BCN化合物的高温高压化学合成与表征

以高温烧结三聚氰胺制得的CNH化合物为C、N源,与分析纯单质硼粉以一定比例混合,在5.0~5.5 GPa、1 400~1 500℃高温高压条件下,经化学反应合成了六角硼碳氮(h-BCN)晶体。用傅立叶变换红外光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)对产物进行了表征,结果表明,得到了含碳量较高的六方结构B0.18C0.66N0.16化合物,成分接近于BC4N,硼、碳、氮是以原子化合的形式存在;XRD分析确定该合成产物具有六角网状结构;SEM测量结果表明,B-C-N晶体具有片状六角形貌,尺寸在1μm左右。     

表面等离子体共振技术的一些新应用

介绍了表面等离子体共振技术在表面等离子体共振传感器、扫描近场光学显微技术、薄膜光学和膜厚测量、全息成像技术、Q开关、精密角度测量等领域的新应用.     

Growth Feature of Cubic Boron Nitride on c-BN Crystal Substrates

Cubic boron nitride （c-BN） films were deposited on highly-oriented （111） bulk c-BN crystal by using the rf magnetron sputtering method. The growth films are characterized by micro-Raman spectroscopy （μ-RS） and scanning electron microscopy （SEM）, The results show that the high crystallization electron transparent c-BN films in thickness of about 10μm are obtained, Island and step growth models are clearly shown.     

物理实验结果的不确定度及其修约规则

物理实验由于测量误差的存在,需要对实验测量结果进行评定,国际上通用的办法是计算测量结果的合成不确定度．本文结合物理实验的实际情况讨论了合成不确定度的计算方法,并对结果的修约规则给出了自己的建议．     

用射频磁控溅射法在c-BN晶体基底上生长c-BN薄膜

本文用射频磁控溅射方法在片状c-BN晶体基底上生长了c-BN薄膜,显微拉曼光谱(μ-RS)和扫描电子显微镜(SEM)测试结果表明:沉积的薄膜是大约10μm厚、高结晶性、电子透明的高纯c-BN薄膜.岛状和层状生长模式在试验中清晰的展示出来.同时在生长的c-BN薄膜内部和被遮盖的基底部分上发现了籽晶.     

准静载作用下弹塑性微弯裂纹尖端塑性区

研究了准静载荷作用下的弹塑性弯曲延伸裂纹的塑性区.通过分析,比较精确地确定了弯曲裂纹尖端塑性区域边界上正应力与切应力的分布状态.综合考虑了准静态作用应力,塑性区域边界上正应力与切应力,利用二阶摄动方法,研究分析了弯曲裂纹尖端塑性区域的范围;预测了弹塑性裂纹的扩展路径.     

体全息存储系统中新调制编码技术的研究进展

体全息存储系统的噪声特点决定了必然要引入纠错编码和调制编码技术。提出了一种具有新的编码结构的改进调制码：调制-阵列码;同时提出了与其相适应的软判决度量方法。在此基础之上综合调制码探测、软判决,阵列码纠错和Turbo码译码原理,形成了一种新的迭代译码算法。初步实验结果表明：在信道信噪比较低且有起伏,信道噪声参数不好统计的情况下,它能充分利用输入信号所包含的信息,获得较好的解码结果。     

幂硬化对疲劳弹塑性弯曲裂纹塑性区的影响

利用二阶摄动方法计算硬化材料弹塑性弯曲裂纹尖端的塑性区尺寸的最大值和和变化幅值.作图分析弹塑性弯曲裂纹尖端塑性区尺寸最大值、变化幅值与材料硬化指数之间的变化关系.在幂硬化材料中,弹塑性弯曲裂纹尖端塑性区尺寸最大值和变化幅值随材料硬化指数n的增大而减少,当n等速均匀增加时,弹塑性弯曲裂纹尖端塑性区尺寸最大值和变化幅值加速减少,减少的幅度越来越大.当材料的硬化指数相同时,弯曲裂纹尖端塑性区尺寸最大值和变化幅值随疲劳载荷的不断减小而逐渐减小.     

风险投资机制的科技创新原理及在美国的应用

在美国纳斯达克指数一路狂跌的影响下,中国的二板市场也成了难产之子,原本对二板市场寄予厚望的中国风险投资公司在资本市场流动性不足、投资变现渠道不畅、相关法律不健全等多重围堵之下,举步维艰。一个国家或地区风险投资发展的好坏,在某种程度上直接关系到这个国家或地区高新技术的发展水平和实际生产能力的高低,并进而在一定程度上影响该国