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41.
对皖东南低山丘陵地区12个国有林场杉木人工林进行调查,用层次分析法对立地质量进行数量化评定,评定的结果与情况吻合;分析杉木各生长因子和产量之间的关系,用SAS软件建立了蓄积,树高,胸径的数学预测模型,所建的模型把年龄,林分密度和立地指数有机结合起来,为该地区杉木人工林生长预测和产量预测提供可靠的依据。 相似文献
42.
本文对电晕带电的聚丙烯驻极体制作中的电特性作了研究。实验表明正、负电晕极化的充电电流的变化规律是不同的。同时还发现在正电晕极化充电处理过的试样表面由于离子流的轰击产生了化学变化。这种化学变化的结果出现了一些可作为电荷俘获中心的物质。利用热刺激电流法和红外光谱分析可加以证实。这个特性的研究对驻极体带电机理有着重要关系。 相似文献
43.
推广了Baek等人最近提出的一个双向行人流模型,提出了两种改进策略,并从行人平均速度-密度关系、行人空间分布密度和位置分布等方面进行了数值分析. 研究发现,引入的两个新策略不仅可以提高行人流的平均速度,而且可以提高道路系统(尤其是道路中央区域)利用率,减轻拥堵状况,有效避免严重堵塞的发生. 改进的策略对行人的心理特点和行为特性等方面考虑更加全面,而且可以较好地模拟高密度的双向行人流.
关键词:
元胞自动机模型
双向行人流
交通惯例 相似文献
44.
《中国近现代史纲要》教师要用新的思路、新的手段,结合学科特点,创新教学方法:运用多媒体教学;创设历史情境:强化学生参与课堂教授、讨论,发挥学生主体作用:结合当地条件,结合社会实践进一步对大学生进行理想信念教育。培养学生学习兴趣,使《中国近现代史纲要》课成为对大学生最有吸引力的一门课程。 相似文献
45.
CPI指数预测的统计回归模型 总被引:1,自引:0,他引:1
对CPI值进行预测,对我国相应部门做出正确的宏观决策有积极意义.本文采用应用非常广泛的一类随机模型——统计回归模型,首先找到关于CPI指数变化的影响因素,搜集相关的大量数据;然后通过应用主成分分析法找出影响CPI的3个主要因素;最后基于3因素的数据,通过统计分析,建立回归模型,对短期内的情况进行预测. 相似文献
46.
人民防空通信警报是战时保障城市人民群众开展防空袭斗争的重要手段之一,是人防战备建设的重要组成部分,承担着保障各级政府和人防部门迅速准确地传递、发放防空袭警报信号的重任。在平时还可兼负传递和发放防洪、抗震等自然灾害以及次生灾害的民防紧急报警任务。因此,无论在战时还是在和平时期,搞好人民防空通信警报建设都具有非常重要的意义。 相似文献
47.
48.
针对目前混合结构房屋现浇混凝土楼板中大量出现的45°斜裂缝进行了理论分析和有限元分析,证实了斜裂缝分布在45°区域的主要原因除了温差之外,还有混凝土的收缩,并提出有效的控制建议. 相似文献
49.
High-frequency enhancement-mode millimeterwave AlGaN/GaN HEMT with an fT/fmax over 100 GHz/200 GHz 下载免费PDF全文
Ultra-thin barrier (UTB) 4-nm-AlGaN/GaN normally-off high electron mobility transistors (HEMTs) having a high current gain cut-off frequency (fT) are demonstrated by the stress-engineered compressive SiN trench technology. The compressive in-situ SiN guarantees the UTB-AlGaN/GaN heterostructure can operate a high electron density of 1.27×1013cm-2, a high uniform sheet resistance of 312.8 Ω /□, but a negative threshold for the short-gate devices fabricated on it. With the lateral stress-engineering by full removing in-situ SiN in the 600-nm SiN trench, the short-gated (70 nm) devices obtain a threshold of 0.2 V, achieving the devices operating at enhancement-mode (E-mode). Meanwhile, the novel device also can operate a large current of 610 mA/mm and a high transconductance of 394 mS/mm for the E-mode devices. Most of all, a high fT/fmax of 128 GHz/255 GHz is obtained, which is the highest value among the reported E-mode AlGaN/GaN HEMTs. Besides, being together with the 211 GHz/346 GHz of fT/fmax for the D-mode HEMTs fabricated on the same materials, this design of E/D-mode with the realization of fmax over 200 GHz in this work is the first one that can be used in Q-band mixed-signal application with further optimization. And the minimized processing difference between the E- and D-mode designs the addition of the SiN trench, will promise an enormous competitive advantage in the fabricating costs. 相似文献
50.
Effects of Low-Damage Plasma Treatment on the Channel 2DEG and Device Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs 下载免费PDF全文
We investigate the effects of remote nitride-based plasma treatment on the channel carrier and device characteristics of AlGaN/GaN high electron mobility transistors(HEMTs).A 200 W NH3/N2 remote plasma causes little degeneration of carrier mobility and an increase in electron density due to surface alteration,which results in a decrease in sheet resistance and an increase in output current by 20-30%.Improved current slump,suppressed gate leakage current,and improved Schottk... 相似文献