全光纤光子集成器件及系统

本对全光纤光子集成器件与系统进行了较为全面地综述,结合我们的工作,对目前的研究热点：光纤光栅,光纤激光器,光纤放大器,光纤光栅分插器与传感器等诸多光子器件以及由这些器件组成的波分复用通信系统进行了介绍和评述,一些新成果和新进展表明,这些光子器件与系统在当今和未来的光通信中将发挥重要作用。     

基于光纤光栅的可调谐半导体激光器

本文利用光纤光栅(FBG)形成外腔反馈及F-P半导体激光器的多模特性,得到波长稳定、可调谐的半导体激光光源,系统研究了不同反馈比率对激光器光谱特性的影响.通过向FBG施加轴向拉力和压力可实现10nm的波长调谐,得到一系列波长间隔0.94nm的激光输出,边模抑制比达35dB,光谱线宽小于0.2nm.     

Electric-stress reliability and current collapse of different thickness SiNx passivated AlGaN/GaN high electron mobility transistors

This paper investigates the impact of electrical degradation and current collapse on different thickness SiNx passivated AlGaN/GaN high electron mobility transistors.It finds that higher thickness SiNx passivation can significantly improve the high-electric-field reliability of a device.The degradation mechanism of the SiNx passivation layer under ON-state stress has also been discussed in detail.Under the ON-state stress,the strong electric-field led to degradation of SiNx passivation located in the gate-drain region.As the thickness of SiNx passivation increases,the density of the surface state will be increased to some extent.Meanwhile,it is found that the high NH 3 flow in the plasma enhanced chemical vapour deposition process could reduce the surface state and suppress the current collapse.     

High power-added-efficiency AlGaN/GaN HEMTs fabricated by atomic level controlled etching

An atomic-level controlled etching(ACE)technology is invstigated for the fabrication of recessed gate AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors(HEMTs)with high power added efficiency.We compare the recessed gate HEMTs with conventional etching(CE)based chlorine,Cl₂-only ACE and BCl³/Cl₂ACE,respectively.The mixed radicals of BCl₃/Cl₂were used as the active reactants in the step of chemical modification.For ensuring precise and controllable etching depth and low etching damage,the kinetic energy of argon ions was accurately controlled.These argon ions were used precisely to remove the chemical modified surface atomic layer.Compared to the HEMTs with CE,the characteristics of devices fabricated by ACE are significantly improved,which benefits from significant reduction of etching damage.For BCl₃/Cl₂ACE recessed HEMTs,the load pull test at 17 GHz shows a high power added efficiency(PAE)of 59.8%with an output power density of 1.6 W/mm at Vd=10 V,and a peak PAE of 44.8%with an output power density of 3.2 W/mm at Vd=20 V in a continuous-wave mode.     

典型卫星轨道辐射环境及在轨软错误率预计模型分析

使用最新版本的Space Radiation 7.0软件对典型卫星轨道(包括地球同步轨道、中地轨道和低地轨道)的空间辐射环境进行提取和计算,分析不同空间天气和屏蔽条件下的轨道离子通量-能量谱和通量-线性能量沉积(LET)谱特点。以一款SOI SRAM为例,结合地面加速器重离子试验获得的单粒子翻转截面-LET值关系曲线,预计该器件的在轨软错误率(SER),并分析关键参数对预计结果的影响规律和内在机理。结果表明,使用Space Radiation软件的四种输入模式获得的预计结果可相差5倍左右;灵敏区厚度的增大导致在轨SER降低数个数量级,原因为灵敏区厚度的设置与灵敏区平均投影面积和符合条件的空间离子通量的大小直接相关;漏斗长度的大小对预计结果有一定的影响。最后,对SER预计模型的适用性和发展趋势进行了讨论。     

我校与陕西福天宝集团公司签定技术转让协议

20 0 0年 1 1月 9日 ,我校与陕西福天宝集团公司在该集团公司举行了“年产 50 0 t含重金属离子污水处理剂 DTCR技术成果转让签约仪式”,技术转让费成交 60万元。这是继 7日在杨凌农高会对该项目拍卖后双方具有实质性进展的再合作。我校副校长朱恪孝 ,“2 1 1工程”办公室、科研处有关负责人 ,以及陕西福天宝集团公司董事长吴言强、总经理黄翠萍等出席了签约仪式。这项技术成果是由我校化学研究所孙来九教授、王文丰副教授等人开发研制的环保产品 ,该产品是一种液体高分子螯合树脂 ,能与废水中的重金属离子迅速反应生成水不溶性络合盐而达…     

中国突发性地质灾害分布的统计规律

本文根据地域间突发性地质灾害发生的相似性,将全国区划为9个自然区域;然后依据统计学的大数原理,建立了概率模型分析地质灾害在9个自然区域的分布特点以及隶属于各自然区域的所有省、市和自治区的地质灾害分布特征。结果显示不同类型与不同的区域之间存在着不同程度的强相依性,分布格局明显。     

郑州市街道名称调查报告

以搜集到的郑州市407条街道名称为语料，从语言学的角度分析街道名称的音节特点、组合成分及规律，从文化的角度分析街道命名的理据。研究中发现，郑州市街道名称中存在的一路多名、滥用方位词、街道名的非对称性和街道名相似度高等问题，这些问题的解决都有待规划部门的统一规划和部署。     

浅谈高中英语阅读的整体教学

“阅读理解能力”是检测学生从阅读中获取信息的能力以及对文章理解的速度和准确性，中学英语大纲对课文教学有明确的规定：“课文首先应作为一个整体来教……在整体教学的基础上，再进行分段教学也是必要的，其目的在于掌握各个段落之间的逻辑关系，进而更好地掌握整篇课文。”如何上好阅读课，怎样把握文章的整体性，一直是广大教师探究的问题。