Tc=95K的NdBa2Cu3Ox高温超导外延薄膜的研制

本采用倒筒式直流溅射法原位生长和Ｔｃ值为９５Ｋ的ＮｄＢａ２３Ｃｕ３Ｏｘ外延薄膜，样品的ＸＲＤ分析表明，样品为强烈ｃ轴织构，ｃ轴晶胞参数为１．１７４ｎｍ，样品衍射峰的ＦＷＨＭ＝０．２９°，ＲＢＳ分析表明：薄膜的化学计量为Ｎｄ１．０Ｂａ２．０Ｃｕ３．３Ｏｘ。对影响ＮｄＢａ２Ｃｕ３ＯＸ薄膜Ｔｃ值的因素进行了讨论。     

Effect of thickness on the microstructure of GaN films on Al2O3 (0001) by laser molecular beam epitaxy

Heteroepitaxial GaN films are grown on sapphire (0001) substrates using laser molecular beam epitaxy. The growth processes are in-situ monitored by reflection high energy electron diffraction. It is revealed that the growth mode of GaN transformed from three-dimensional (3D) island mode to two-dimensional (2D) layer-by-layer mode with the increase of thickness. This paper investigates the interfacial strain relaxation of GaN films by analysing their diffraction patterns. Calculation shows that the strain is completely relaxed when the thickness reaches 15 nm. The surface morphology evolution indicates that island merging and reduction of the island-edge barrier provide an effective way to make GaN films follow a 2D layer-by-layer growth mode. The 110-nm GaN films with a 2D growth mode have smooth regular hexagonal shapes. The X-ray diffraction indicates that thickness has a significant effect on the crystallized quality of GaN thin films.     

磁光盘可靠性及寿命评估方法研究

采用高温和湿热交变加速应力条件对磁光盘可靠性寿命进行研究。通过对磁光盘在加速应力条件下的动态性能分析，提出了以威布尔分布来处理磁光盘失效的理论模型，并得到了较好的拟合，对磁光盘的可靠性寿命进行了评估，得到了磁光盘的可靠性寿命以及威布尔寿命分布函数。     

SrTiO3薄膜生长初期Sr，Ti，O原子分子反应机理的理论研究

在激光分子束外延(LMBE)生长SrTiO₃(STO)薄膜过程中,激光闪蒸出的Sr,Ti,O原子的微观反应过程及粒子形态是STO薄膜生长初期形成的关键.采用密度泛函理论中的广义梯度近似(DFT/GGA)方法,在PW91/DNP 水平上研究了Sr,Ti,O原子在真空中的优先反应过程和形态,计算研究了SrO,TiO₂和STO分子形成的反应机理,获得了相应的中间体和过渡态及反应活化能,并运用前线轨道理论分析了STO分子的形成机理.对比计算了STO分子可能的几何构型,得 关键词： 3薄膜')" href="#">SrTiO₃薄膜 反应机理 活化能     

Bi系中2212相的超导电性研究

已知在Bi系高Tc超导体中存在三个超导相:2223相的Tc～110k,c～37(?);2212相的Tc～85k,c～30.6(?);2201相的Tc～10k。在实验过程中,我们注意到还可能有另外的超导相存在,通过改变元素名义配比和制备工艺观察到一个具有2212相结构,但Tc却表现为～105k的新现象存在。 实验部分 样品制备采用固相反应方法将Bi_2O_3、PbO、Sb_2O_3、SrCO_3、CaCO_3、CuO(均为A.R.级)混匀、碾磨,于～810℃在刚玉坩埚中预烧20h;再碾,压片后于～870℃在磁舟中烧结60-240h,然后作测试分析。     

Significant performance enhancement in AlGaN/GaN high electron mobility transistor by high-κ organic dielectric

The electrical properties of AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) with and without high-κ organic dielectrics are investigated. The maximum drain current I_{D max} and the maximum transconductance g_{m max} of the organic dielectric/AlGaN/GaN structure can be enhanced by 74.5%, and 73.7% compared with those of the bare AlGaN/GaN HEMT, respectively. Both the threshold voltage V_T and g_{m max} of the dielectric/AlGaN/GaN HEMT are strongly dielectric-constant-dependent. Our results suggest that it is promising to significantly improve the performance of the AlGaN/GaN HEMT by introducing the high-κ organic dielectric.     

α-Al2O3(0001)基片表面结构与能量研究

对α-Al₂O₃(0001)晶体表层三种不同终止原子结构的计算模型， 在三维周期边界条件下 的κ空间中，采用超软赝势平面波函数描述多电子体系.应用基于密度泛函理论的局域密度 近似，计算了不同表层结构的体系能量，表明最表层终止原子为单层Al的表面结构最稳定. 对由10个原子组成的菱形原胞进行了结构优化，得到晶胞参数值(a₀＝0.48178n m)与实验 报道值误差小于1.3%.进一步计算了超晶胞(2×2)表面弛豫，弛豫后原第2层O原子层成为最 表层； 对不同表层O，Al原子最外层电子进行了布居分析，表面电子有更大的概率被定域在 O原子的周围，表面明显地表现出O原子的电子表面态. 关键词： 2O₃(0001)')" href="#">α-Al₂O₃(0001) 超软赝势 表面结构 表面态     

磁光型记录介质疲劳特性研究

本文对单层结构和多层结构磁光型记录介质的疲劳特性进行研究,并对记录介质化学稳定性、记录介质循环擦写后记录磁畴物理特性及磁光记录动态特性载噪比和误码率进行分析,最后对磁光型记录介质的疲劳特性和信息记录可靠性进行评价。     

四氯合锌酸1,3-丙二铵配合物的晶体结构

我们合成了〔NH_3-(CH_2)_3-NH_3〕ZnCl_4配合物(简称PDAZn),采用X-射线衍射法研究了该配合物的晶体结构,属于单斜晶系,空间群为P2_1/n,晶胞参数为:a=10.70901(2),b=10.64001(1),c=10.82301(2)A;β=118.4301(1)°;z=4。强度数据由四圆衍射仪收集到独立可观察反射点数目为2047个,采用Mokα辐射(λ=0.71073A)。结构参数的修正采用方块最小二乘法,R=0.041。该配合物与Cu、Mn金属离子构成的配合物的二维片层晶体结构不同,阴离子由单个的四面体MCl_4~(2-)构成。