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331.
采用RF-PECVD系统在SOI材料上制作-Si:H TFT,纳米非晶硅薄膜厚度为98 nm,沟道长宽比为10 m/40 m。用扫描电子显微镜、X射线衍射和拉曼光谱等检测方法对不同退火温度下的氢化非晶硅薄膜形貌进行了表征。采用CMOS工艺、各向异性腐蚀溶液EPW、射频溅射技术和等离子体刻蚀等工艺实现-Si:H TFT的制作。在给出一般-Si:H TFT特性分析和实验结果的基础上,又采用建模方式对-Si:H TFT出现的负阻特性进行研究。提取纳米氢化非晶硅薄膜与栅氧化层界面处能带图的结果表明,在靠近漏端0.5 m范围内,漏压由6 V增加到30 V时,随漏压的增加,价带能量逐渐下降。研究结果表明,距离漏端0.5 m范围内的压降导致负阻特性产生。 相似文献
332.
333.
为避免窄带通信系统对超宽带(ultra-wideband,UWB)系统的干扰冲突,提出一款具有双陷波特性的新型类Sierpinski分形超宽带天线的设计方法.天线采用由2个正六边形与圆形嵌套迭代而成的3阶类Sierpinski分形结构作为辐射贴片,并采用截短矩形两侧去切角且中间去矩形的缺陷地结构作为天线的接地板,实现了... 相似文献
334.
335.
研究植物功能性状特征和资源投入模式对海拔高度变化的响应对于理解高山植物的生长策略以及适合度具有重要的生态学意义.文中以生长于青藏高原的常见种柳叶菜风毛菊为研究对象,通过采样调查和烘干称量等方法研究了柳叶菜风毛菊盛花期营养和繁殖特征对海拔高度的响应,并利用异速生长模型分析了营养和繁殖特征对个体大小的依赖关系.结果表明,柳叶菜风毛菊个体大小、营养和繁殖器官生物量、比叶面积以及管状小花数量均随海拔高度的增加而显著降低,而叶片和管状小花生物量、叶干物质含量、花丝长、花药长、花柱长以及花柱分支长均随海拔高度的增加而显著增加;海拔高度和个体大小共同对柳叶菜风毛菊营养和繁殖器官生物量、单叶生物量、比叶面积、管状小花生物量、花丝长、花药长和花柱长产生影响,而对叶干物质含量、管状小花数量和花柱分支长无显著影响.综上所述,海拔高度并不是影响柳叶菜风毛菊适应性策略的唯一因素,植株个体大小和居群生境状况都是影响适应性策略的重要因素. 相似文献