Mg掺杂ZnO所致的禁带宽度增大现象研究

采用第一性原理的超软赝势方法，研究了纤锌矿ZnO及不同量Mg掺杂ZnO合金的电子结构.理论计算表明，Mg的掺杂导致ZnO晶体的禁带宽度增大.研究发现，Zn 4s态决定导带底的位置，Mg的掺入导致Zn 4s态向高能端的偏移是导致禁带宽度增大的根本原因. 关键词： 密度泛函理论 赝势 Mg掺杂ZnO     

牛血清蛋白单层膜诱导形成网状结构的羟基磷灰石

0引言近来利用生物矿化的方法来合成具有特殊结构的晶体材料成为材料合成的一个热点[1.2]。羟基磷灰石(HAP)作为一种生物材料,广泛地存在于人和动物的骨骼和牙齿中,是生物矿化的产物。在骨骼的修复、替代和仿生抗菌陶瓷薄膜中有重要的应用[3]。因此,利用生物矿化的方法合成具有     

液下原子力显微镜对BA膜和C60复合LB膜的重组

利用Langmuir-Blodgett (LB)方法, 以二十二酸 (behenic acid, BA)、 二十酸(arachic acid, AA)、 十八酸 (stearic acid, SA) 和十八胺 (octadecanyl amine, OA)作为辅助成膜材料, 组装了C₆₀复合膜和BA膜, 液下原子力显微镜直接对LB膜在水相中的重组进行观察. 结果表明, C₆₀复合LB膜和二十二酸镉单层膜在水相中都发生了重组, 但前者的重组程度较小, 并且C₆₀聚集体颗粒的粒径均匀. 脂链的重组可能是由于水相中的Cd²⁺减弱了头基与云母基片之间的相互作用引起的, 相同条件下由于混合C₆₀膜中发生酸碱缔合使其重组程度较小.     

β-FeOOH纳米线的制备及表征

通过无机铁(III)盐的水解在常温条件下制备了β-FeOOH 纳米线, 并用透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)、X射线衍射(XRD)及选区电子衍射(SAED)对其形貌及结构进行了表征. 电镜结果表明, 所得到的纳米线直径约 60 nm, 长度为4～5 μm, 且沿[001]方向生长. XRD结果表明纳米线为四方相β-FeOOH, 在常温下结晶性良好. 研究表明FeCl₃浓度对纳米线生长有很大影响, 只有当FeCl₃浓度合适时, 才能制备出高质量的纳米线.     

SnO2纳米半导体颗粒的微区电子输运特性

将sol-gel方法制备的SnO2纳米颗粒涂覆在ITO(Indium-Tin-Oxide)导电玻璃上,用原子力显微镜的I-V测试功能测试其微区电特性.结果表明,不同粒度的伏-安特性曲线具有不同的双向阈值电压,随颗粒度的减小,开启电压减小.用表面能带理论分析结果表明,此现象与纳米SnO2颗粒度尺寸效应和氧空位有关.     

2H-1P多重散射关联及自屏蔽效应对17O和15O能谱的贡献

本文利用格林函数方法和多重散射理论考察了2H(空穴)-1P(粒子)多重散射关联及自屏蔽效应对¹⁷O和¹⁵O能谱的贡献.计算中采用了Paris位导得的G矩阵,计算结果表明2H-1P多重散射关联的贡献是重要的,而自屏蔽效应的影响可以忽略.     

聚乙烯咔唑LB膜的制备及其结构形态

利用LB技术，研究了具有光电活性的聚乙烯咔唑(PVK)的单分子膜及PVK与十八胺(ODA)混合分子膜的聚集结构形态．结果表明纯PVK分子由于弱的亲水作用可以形成较好单分子膜，此时PVK分子形成片状聚集；而在混合体系中，在一定比例下PVK形成颗粒状团聚．改变不同的比例可以得到不同的纳米图案，当PVK：ODA=10：1时形成尺寸较均一的纳米球状致密覆盖分子膜；当进一步增加PVK比例时，ODA不能再调控PVK聚集，混合膜表现出平坦的PVK，ODA分相片状聚集．     

2p-1h多重散射关联对17O和15O能谱的贡献

本文应用格林函数方法与多重散射理论^[1]分析了2p-1h(两个粒子一个空穴)多重散射关联对¹⁷O和¹⁵O能谱的贡献.在我们的计算中,采用的核力为paris位,并严格顾及了G矩阵的能量相关性.数字计算结果与实验值符合较好.     

First-principles study of structures and electronic properties of cadmium sulfide clusters

The lowest-energy structures and the electronic properties of CdnSn （n = 1 - 8） clusters have been studied by using denslty-functional theory simulating package DMol^3 in the generalized gradient approximation （GGA）. The ring-like structures are the lowest-energy configurations for n = 2, 3 and the three-dimensional spheroid configurations for n = 4 - 8. The three-dimensional structures may be considered as being built from the Cd2S2 and Cd3S3 rings. Compared to the previous reports, we have found the more stable structures for CdnSn（n = 7, 8）. Calculations show that the magic numbers of CdnSn （n = 1-8） clusters are n = 3 and 6. As cluster size increases, the properties of CdnSn clusters tend to bulk-like ones in binding energy per CdS unit and Mulliken atomic charge, obtained by comparing with the calculated results of the wurtzite and zinc blende CdS for the same simulating parameters.     

BnTi(n=1-12)团簇的结构, 电子性质和磁性

利用密度泛函理论广义梯度近似方法得到了BnTi(n=1-12)团簇的基态结构, 并讨论了电子性质和磁性质. 结果表明, n≤5 时, BnTi 基态结构呈平面或准平面, n>5 时, Ti 原子倾向于与较多的B 原子成键而呈三维结构. 由二阶能量差分得出B3Ti, B5Ti, B10Ti 为幻数团簇. Mulliken 布居分析显示BnTi 团簇中电荷由Ti 原子向近邻B 原子转移且以共价键与离子键共存; 除BTi 磁矩为5 μB 外, 其余团簇磁矩处于0-2 μB 之间; 团簇总磁矩主要由Ti 原子的3d 轨道和个别B 原子提供. B3Ti和B7Ti 团簇中, B 原子表现为反铁磁性.