稀土掺杂CdTe太阳电池背接触层ZnTe的第一性原理研究

结合CdS/CdTe太阳电池背接触层的制备要求考虑, 利用基于密度泛函理论平面波超软赝势方法和广义梯度近似, 计算了未掺杂ZnTe、稀土Y、Gd掺杂ZnTe的能带和电子态密度, 得到了不同体系下系统总能和晶格常数. 研究表明, 稀土Y和Gd掺杂后ZnTe结构的稳定性均提高, 掺杂Y使ZnTe与CdTe的晶格匹配更好. 计算表明, 掺杂可使载流子发生简并, 掺Y比掺Gd电子有效质量小, 掺Y与掺Gd的载流子浓度数量级相同. 根据计算结果分析了稀土掺杂对ZnTe背接触层的影响. 关键词： ZnTe 稀土掺杂 第一性原理 太阳电池背接触层     

浅谈集团企业财务管理方式的选择及对策

集团企业是现代企业的高级组织形式之一,我国企业集团组建时间不长,其财务管理还有很多不完善的地方,加强集团企业财务管理是企业集团发展的现实需要。本文就影响财务管理模式选择的因素、存在的问题以及完善政策等方面作出相关探讨。     

nSi/pSi0.8Ge0.2/nSi与nSi/pSi/nSi晶体管直流特性的比较

采用一维有限差分方法,对生长在Si(001)衬底上的Si0.8Ge0.2应变基区异质结双极晶体管(HBT)与Si同质结双极晶体管(BJT)的直流特性进行了数值分析;给出了高斯掺杂情形下,基区中Ge含量为0.2的Si0.8Ge0.2HBT与Si同质双极结晶体管(BJT)的共射极电流放大系数图、Gummel图、平衡能带图和基区少子分布图,对比结果表明基区中Ge的引入有效地改善了晶体管的直流放大性能;其次对Si0.8Ge0.2HBT与SiBJT的大电流特性进行了比较,证实了在大电流下异质结基区少子向集电区扩展引起的异质结势垒效应,使Si0.8Ge0.2HBT的直流放大系数比SiBJT的放大系数下降更快这一实验结果.     

溶液生长法制备CdS薄膜

介绍了用溶液生长技术制备ＣｄＳ薄膜的方法,用此方法在玻璃衬底上获得了淡黄色的ＣｄＳ薄膜,薄膜为混合立方和六方晶系结构。     

薄膜氧敏材料的特性研究

用电子束蒸发的方法制备了ＺｒＯ＿２、ＴｉＯ＿２及其按不同配比混合和掺杂的各种薄膜。对薄膜的结构和氧敏特性进行了研究，同时还研究了预烧结、掺杂等对薄膜氧敏特性的影响。实验表明，薄膜对氧气有良好的选择性和灵敏度