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基于现有研究忽略了区域对外开放程度与企业技术创新能力之间的同期因果关系问题的缺陷,本文使用了有向无环图分析方法来探讨二者之间的同期因果关系,并采用2001~2011年我国战略性新兴产业284家上市企业的面板数据进行了实证分析。结果表明:企业R&D投资越多、R&D波动性越小越有利于直接促进企业的创新产出;外方注册资本情况对企业创新产出具有直接的促进作用,并且还可通过对企业R&D投资来间接地促进企业的创新产出;区域外商投资质量通过企业R&D投资和R&D波动性间接地抑制了企业的创新产出;而区域对外贸易情况则是通过企业R&D波动性和外方注册资本情况来间接地影响企业创新产出。因此,企业应通过维持R&D活动的稳定性来促进企业技术创新的产出,同时当地政府不应盲目过多的吸引FDI,而应重点吸引、鼓励外商投资者在本地建立R&D部门,增强R&D活动的溢出效应。 相似文献
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利用分子动力学方法研究了含能材料环三亚甲基三硝胺(RDX)、3-叠氮甲基-3-甲基氧丁环(AMMO)和RDX/AMMO推进剂. 结果表明AMMO与RDX(010)面分子之间相互作用最强,其次是(100)和(001)面．用相关函数g(r)描述了RDX和AMMO之间的相互作用．计算了RDX/AMMO推进剂的弹性系数、柯西压、泊松比
等性能．研究结果表明,AMMO的加入能够改善RDX的弹性力学性能,它们的相对改善效应为(100)>(010)>(001)．RDX/AMMO推进剂的能量性能显示,AMMO的加入降低了RDX的比冲,但其仍高于双基推进剂. 相似文献
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采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似的PBE平面波超软赝势方法计算了CuIn1-xGaxSe2(CIGS)和CuIn1 -xAlxSe2 (CIAS)的电子结构及光学性质.计算结果表明黄铜矿型CIGS和CIAS都是直接带隙半导体材料,禁带宽度分别为1.34 eV,1.50 eV.计算并对比分析了CIGS和C... 相似文献
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采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似(GGA)的PBE平面波超软赝势方法，计算了本征ZnO，Al掺杂ZnO(ZnAlO)和Ga掺杂ZnO(ZnGaO)的能带结构、态密度、复介电函数和复电导率. 其中Al或Ga是以替位杂质的形式进入ZnO晶格. 计算结果表明纤锌矿型ZnO，ZnAlO和ZnGaO都是直接带隙半导体材料，掺杂后ZnO的带隙变小，且ZnAlO的带隙略大于ZnGaO. 掺杂后ZnO的电子结构发生变化，费米能级由本征态时位于价带顶上移进入导带，ZnO表现为n型掺杂半导体材料，掺杂后在导带底出现大量由掺杂原子贡献的自由载流子—电子，明显提高了电导率和介电函数，改善了ZnO的导电性能，并且ZnAlO的导电性能要略好于ZnGaO. 相似文献