棉花基因工程研究现状与应用进展

根据中国棉花基因工程20年来所取得重大进展,综述了棉花基因工程的研究现状,并提出转基因棉花研究过程中存在的问题及展望.     

人群聚集预警中基于断面双向流量比的客流误差分析

针对密集人群的安全预警管理,结合商业街人流相向运动的特点,提出通过断面双向流量比进行人群聚集风险预警的思路,并对该方法的误差进行了理论分析和实例验证.结果表明该方法用于商业街聚集人群的风险预警时,不论测量值大于真实值还是测量值小于真实值,经过断面进出比的比值误差均比客流统计系统本身误差更小,从而使客流统计产品在一定范围内精确度有所提高.此外,可应用此方法根据实际要求的测量精度为客流统计设备选型提供依据.     

纳米石墨烯修饰电极电化学发光法测定盐酸氯丙嗪的研究

基于盐酸氯丙嗪对联吡啶钌电化学发光的增敏作用,以石墨烯(Graphene)和Nafion复合膜修饰的玻碳电极(GCE)为工作电极,建立了一种直接测定盐酸氯丙嗪的电化学发光新方法。最佳实验条件下,盐酸氯丙嗪浓度在8.0×10-7 ~1.2×10-4 mol/L范围内与其相对发光强度呈良好线性关系(r=0.998 8),且在该修饰电极上的检出限(S/N=3)为4.0×10-7 mol/L。连续测定4.0×10-6 mol/L盐酸氯丙嗪溶液11次,发光强度值的相对标准偏差(RSD)为1.4%,表明该修饰电极具有较好的重复性和灵敏度。盐酸氯丙嗪的加标回收率为93%~104%,RSD(n=5)为4.1%。将该方法应用于药片中盐酸氯丙嗪的检测,结果满意。     

纳米石墨烯修饰电极电化学发光法测定盐酸氯丙嗪的研究

基于盐酸氯丙嗪对联吡啶钌电化学发光的增敏作用,以石墨烯(Graphene)和Nafion复合膜修饰的玻碳电极(GCE)为工作电极,建立了一种直接测定盐酸氯丙嗪的电化学发光新方法。最佳实验条件下,盐酸氯丙嗪浓度在8.0×10-7~1.2×10-4mol/L范围内与其相对发光强度呈良好线性关系(r=0.998 8),且在该修饰电极上的检出限(S/N=3)为4.0×10-7mol/L。连续测定4.0×10-6mol/L盐酸氯丙嗪溶液11次,发光强度值的相对标准偏差(RSD)为1.4%,表明该修饰电极具有较好的重复性和灵敏度。盐酸氯丙嗪的加标回收率为93%~104%,RSD(n=5)为4.1%。将该方法应用于药片中盐酸氯丙嗪的检测,结果满意。     

防晒类化妆品中2种帕地马酯的高效液相色谱检测及质谱确证

建立了同时测定防晒类化妆品中帕地马酯A和帕地马酯O的高效液相色谱分析方法及质谱确证方法。化妆品样品以甲醇为提取溶剂进行超声提取,提取液离心处理,取上清液经微孔滤膜过滤后测定。采用XTerra MS C18柱(250×4.6mm,5μm)分离,外标法定量。结果表明防晒类化妆品中帕地马酯A和帕地马酯O的方法定量限均为0.5mg/kg,在低、中、高3个添加水平范围内平均回收率为89.1%~112.5%,相对标准偏差为2.0%~7.7%。对于疑似阳性样品,进一步采用液相色谱-串联质谱法进行确证分析。该方法准确、快速、灵敏度高,适用于防晒类化妆品的实际检验工作。     

高性能钢梁混杂设计在美国桥梁中的应用

本文阐述了钢梁混杂设计的概念,介绍了美国几种常用的高性能钢在桥梁设计中的应用,并通过实例说明了高性能钢梁混杂设计的优点,建议对高性能钢梁混杂设计方法进行深入研究。     

MOCVD生长Si衬底上HT-AlN缓冲层低生长压力对GaN薄膜的影响

采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术在Si（111）衬底上外延GaN薄膜,对高温AlN（HT-AlN）缓冲层在小范围内低生长压力（6.7~16.6 kPa）条件下对GaN薄膜特性的影响进行了研究。研究结果表明GaN外延层的表面形貌、结构和光学性质对HT-AlN缓冲层的生长压力有很强的的依赖关系。增加HT-AlN缓冲层的生长压力,GaN薄膜的光学和形貌特性均有明显改善,当HT-AlN缓冲层的生长压力为13.3 kPa时,得到无裂纹的GaN薄膜,其（002）和（102）面的X射线衍射峰值半高宽分别为735 arcsec和778 arcsec,由拉曼光谱计算得到的张应力为0.437 GPa,原子力显微镜（AFM）观测到表面粗糙度为1.57 nm。