首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   31篇
  免费   26篇
  国内免费   5篇
综合类   2篇
物理学   45篇
综合类   15篇
  2022年   2篇
  2021年   3篇
  2020年   1篇
  2019年   3篇
  2018年   5篇
  2017年   1篇
  2015年   1篇
  2014年   1篇
  2013年   3篇
  2011年   1篇
  2010年   2篇
  2009年   8篇
  2008年   11篇
  2006年   3篇
  2002年   2篇
  2001年   4篇
  2000年   2篇
  1993年   1篇
  1991年   2篇
  1990年   3篇
  1989年   2篇
  1984年   1篇
排序方式: 共有62条查询结果,搜索用时 46 毫秒
51.
利用傅立叶变换红外光谱仪对注He尖晶石样品随退火温变化而引起光吸收性能的变化进行了研究。发现尖晶石样品在626.4cm^-1附近的吸收峰随注入剂量的增加向小波数方向移动,而在随后退火过程该吸收峰随退火温度的增加而向大波数方向回复。该吸收峰的回复行为依赖于注入剂量和退火温度。认为在626.4cm^-1附近吸收峰随注入剂量和退火温度的这种变化与尖晶石中He的俘获以及释放有关。  相似文献   
52.
对氦(He)离子高温(600 K)注入6H-SiC中的辐照缺陷,在阶梯温度退火后演化行为的拉曼光谱和室温光致发光谱的特征进行了分析.这两种方法的实验结果表明,离子注入所产生晶格损伤的程度与注入剂量有关;高温退火导致损伤的恢复,不同注入剂量造成的晶格损伤需要不同的退火温度才可恢复.在阶梯温度退火下呈现出了点缺陷的复合、氦-空位团的产生、氦泡的形核、长大等特性.研究表明:高温(600 K)注入在一定剂量范围内是避免注入层非晶化的一个重要方法,为后续利用氦离子注入空腔掩埋层吸杂或者制备低成本、低缺陷密度的绝缘层 关键词: 6H-SiC 离子注入 拉曼光谱 光致发光谱  相似文献   
53.
Electrically active defects in the phosphor-doped single-crystal silicon, induced by helium-ion irradiation under thermal annealing, have been investigated. Isothermal charge-sensitive deep-level transient spectroscopy was employed to study the activation energy and capture cross-section of helium-induced defects in silicon samples. It was shown that the activation energy levels produced by helium-ion irradiation first increased with increasing annealing temperature, with the maximum value of the activation energy occurring at 873K, and reduced with further increase of the annealing temperature. The energy levels of defects in the samples annealed at 873 and 1073K are found to be located near the mid-forbidden energy gap level so that they can act as thermally stable carrier recombination centres.  相似文献   
54.
近年来发光材料在应用中所处激发密度越来越高,在使用中往往造成荧光粉的饱和和灼伤.本文研究高清晰投影电视管用绿色荧光粉ZnSiO4Mn和YAGGTb在高激发密度阴极射线束灼伤后影响发光效率的主要环节,发现ZnSiO4Mn的表面深层处材料的吸收和传递机制受到损伤,而YAGGTb的发光中心受到损伤,出现饱和.  相似文献   
55.
李炳生  肖芝燕  马剑刚  刘益春 《中国物理 B》2017,26(11):117101-117101
P-type ZnO is crucial for the realization of ZnO-based homojunction ultraviolet optoelectronic devices. The problem associated with the preparation of stable p-type ZnO with high hole density still hinders device applications. In this paper,we introduce an alternative route to stabilizing N in the oxidation process, the thermal stability of p-ZnO is significantly improved. Finally, we discuss the limitations of the alternative doping method and provide some prospective outlook of the method.  相似文献   
56.
1引言健心Ⅰ号是一种中药复方制剂,经研究证明,它对超氧自由基(O(?))有很强的清除能力。近年来,一些文献指出,自由基引起的脂质过氧化反应与心血管疾病的病理过程有关。本文研究了健心Ⅰ号对鼠肝匀浆过氧化脂质生成和硒谷胱甘肽过氧化酶活性的影响,探讨健心Ⅰ号的抗氧化机理。2材料与方法S、D大白鼠(体重300克左右)由上海药物检验所提供。断头剖腹,取出肝,用磷酸缓冲液洗去血污,用滤纸吸干称重,以每克鼠肝加3.3ml组织匀浆液(0.15MKCl)在玻璃匀浆器中匀浆,离心10分钟(1000转/分),弃去沉淀,取上清液。硫代巴比妥酸(简称TBA)上海试剂二厂产品,1,1,3,3-四甲氧基丙烷、Fluka公司产品。其余试剂均为国产分析纯。仪器为日立M850型荧光分光光度计和国产721分光光度计。  相似文献   
57.
本文观察到健心1号具有较强的清除超氧自由基能力。并测定健心1号复方制剂的不同浓度,对超氧自由基(O(?))的清除效率。结果表明:随着健心1号浓度的增高,清除O(?)的能力也增强。作者又研究了健心1号对心肌细胞脂质过氧化作用的影响。结果表明:健心1号对~(60)Coγ射线照射和体外温育诱导培养心肌细胞过氧化脂质的生成有明显的抑制作用。  相似文献   
58.
1 引言健心Ⅰ号是一种中药复方制剂,经研究证明,它对超氧自由基(O■)有很强的清除能力。近年来,一些文献指出,自由基引起的脂质过氧化反应与心血管疾病的病理过程有关。本文研究了健心Ⅰ号对鼠肝匀浆过氧化脂质生成和硒谷胱甘肽过氧化酶活性的影响,探讨健心Ⅰ号的抗氧化机理。  相似文献   
59.
将荧光碳点引入透明斑马鱼胚胎中,研究了荧光碳点在斑马鱼中的活体成像和对斑马鱼的毒副作用。通过对水中添加荧光碳纳米颗粒,从形态上观察其对于斑马鱼个体发育的生物学效应,实时观察其在斑马鱼体内富集代谢的情况,为荧光碳点及其复合物在生物活体成像方面的研究应用奠定基础。结果表明,荧光碳点对斑马鱼生长发育无明显的毒副作用,不会导致胚胎发育异常(通过观察尾巴弯曲情况、色素深浅、血管发育速度、鱼鳔发育速度来确定对胚胎发育的影响),并且对斑马鱼无明显致死现象。荧光碳点进入斑马鱼体内的时间非常迅速,并且可以在48 h之内经代谢排出体外。  相似文献   
60.
Surface change of gallium nitride specimens after bombardment by highly charged Pbq^+-ions (q = 25, 35) at room temperature is studied by means of atomic force microscopy. The experimental results reveal that the surface of GaN specimens is significantly etched and erased. An unambiguous step-up is observed. The erosion depth not only strongly depends on the charge state of ions, but also is related to the incident angle of Pbq^+-ions and the ion dose. The erosion depth of the specimens in 60° incidence (tilted incidence) is significantly deeper than that of the normal incidence. The erosion behaviour of specimens has little dependence on the kinetic energy of ion (Ek = 360, 700 keV). On the other hand, surface roughness of the irradiated area is obviously decreased due to erosion compared with the un-irradiated area. A fiat terrace is formed.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号