Kr离子注入SiC的拉曼光谱研究

应用拉曼光谱研究了5 MeV Kr离子（注量分别为5×1013,2×1014,1×1015 ions/cm2）室温注入6H SiC单晶及其高温退火处理后结构的变化。 研究表明, 注入样品的拉曼光谱中不仅出现了Si—C振动的散射峰, 还产生了同核Si—Si键和C—C键散射峰。 Si—C散射峰强度随退火温度升高而增强, 当退火温度高达1000 ℃时, 已接近未辐照SiC的散射峰强度。晶体Si—Si键散射峰强度随退火温度变化不大, 而非晶Si—Si键散射峰强度随退火温度的增加逐渐消失。相对拉曼强度（Relative Raman Intensity, 简称RRI）随注量的增加逐渐减小并趋于饱和, 且不同退火温度样品的饱和注量不相同; RRI随退火温度的增加逐渐升高, 这在低注量样品中表现得尤为明显。 低、中、高3种注量样品的RRI随退火温度的增加从重合逐渐分离, 并且退火温度越高, 分离越大。 Raman spectroscopy was used to study the structure changes of 6H SiC single crystal implanted with 5 MeV Kr (Krypton) at room temperature and subsequently annealed at high temperature. The Raman spectrum of the implanted SiC displays not only Si—C bonds vibration peaks, but also homonuclear Si—Si and C—C bond vibration peaks. Si—C bond vibration peaks gradually strengthen with increasing temperature. When annealing at 1000 ℃, the peak intensity of Raman spectrum is close to that of virgin specimen. It is found that crystal Si—Si bond vibration peaks do not change when annealing, but amorphous Si—Si bond vibration peaks disappear with increasing annealing temperature. The Relative Raman Intensity (RRI) values decrease with increasing fluence and tend to saturate, but the saturation fluences is different for various anneal temperature. The RRI values increases with raising annealing temperature, which is more obvious in low implanted specimens. At the same time, the RRI values separate gradually with increasing temperature and this phenomenon is strengthened by annealing temperature.     

Ti1-xAlxN涂层的组织结构及Al元素的作用机理

通过不同Al含量的Ti-Al粉末冶金靶,采用多孤离子镀技术制备了Ti1-xAlxN涂层。用SEM、XRD、GAXRD以及XTEM等手段研究了涂层的组织结构及Al元素的作用。研究表明,TiAlN涂层呈柱状多晶组织,（Ti,Al)N为涂层的主要组成相;随着Al含量的增加,涂层中的（Ti,Al)N相将减少,且其晶格常数将降低。     

氦离子注入4H-SiC晶体的纳米硬度研究

4H-SiC晶体经能量为100 keV,剂量为3×10¹⁶ cm^-2的氦离子高温（500 K）注入后,再在773—1273 K温度范围内进行了退火处理,最后使用纳米压痕仪测量了样品注入面的硬度.测试结果表明,在500—1273 K温度范围内样品的硬度随退火温度升高呈现先增大后减小再增大的趋势,其中773 K退火样品的硬度增大明显.分析认为,退火样品的硬度变化是由退火过程中缺陷复合与氦泡生长导致样品内部的Si—C键密度、键长和键角改变引起的.关键词：SiC注入氦泡纳米压痕     

DSP与CAN控制器的接口及实现

介绍了TI公司的TMS320C32DSP与PHILIPS公司的CAN控制器SJA1000的接口方法，并给出了具体的实现方法和软件编程。     

ZnO在辐射场中的光激发特性研究

采用密度泛函理论的BPV86方法, 在6-311G++(d, p)基组水平上优化了不同外电场(0～0.080 a.u.)下氧化锌分子的基态稳定构型, 在此基础上利用同样的方法计算了氧化锌分子的分子结构、偶极矩、总能量、能隙以及红外光谱和紫外-可见吸收光谱强度。结果表明, 在外电场的作用下, 分子结构变化明显, 与电场呈现强烈的依赖关系。随着正向外加电场的增加, ZnO分子键长一直在增大, 电偶极距也是一直增大, 分子总能量不断减小, 分子能隙不断减小, 红外光谱吸收峰出现红移现象。随着外电场的加强, 分子紫外可见吸收光谱振子强度先增大后减小再增大再减小反复变化, 其波峰则出现蓝移现象。     

用FPGA实现数字逻辑分析仪设计

介绍采用FPGA设计数字逻辑分析仪的系统结构、硬件设计方法和计算机测试程序。结果表明,这种数字逻辑分析仪的性能优于普通示波器,其性能、价格比优于逻辑分析仪。     

等离子体增强化学气相沉积法制备氧化锌薄膜

通过引入金属有机源——二乙基锌和二氧化碳,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法在低温下制备高质量(002)取向的氧化锌薄膜,详细研究了衬底温度对薄膜质量的影响.实验发现,衬底温度对氧化锌的取向性和晶粒的大小都有显著的影响.随着温度的提高,氧化锌的取向性增强,温度为230℃时得到单一(002)取向的六角结构的氧化锌薄膜,其XRD的半高宽为0.26.°从其透射谱可以观察到典型的激子吸收线,从光致发光谱上可以观察到一个强而窄(半高宽度大约为125 m eV)的3.26 eV紫外激子发射.     

94MeV Xe离子辐照引起的薄膜硅光学带隙变化研究

室温下,用94MeV的Xe离子辐照纳米晶和非晶硅薄膜以及单晶硅样品,辐照量分别为1.0×1011,1.0×1012和1.0×1013ions/cm2。所有样品均在室温下用UV/VIS/NIR光谱仪进行检测分析。通过对比研究了纳米晶、非晶、单晶硅样品的光学带隙随Xe离子辐照量的变化。结果表明,不同结构的硅材料中Xe离子辐照引起的光学带隙变化规律差异显著:随着Xe离子辐照量的增加,单晶硅的光学带隙基本不变,非晶硅薄膜的光学带隙由初始的约1.78eV逐渐减小到约1.54eV,而纳米晶硅薄膜的光学带隙则由初始的约1.50eV快速增大至约1.81eV,然后再减小至约1.67eV。对硅材料结构影响辐照效应的机理进行了初步探讨。