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61.
用高温熔融法合成了Ca和Ce复合填充的单相p型CamCenFexCo4-xSb12化合物,探索了两种原子复合填充对其热电性能的影响规律.研究结果表明,填充分数相同时,Ca和Ce两种原子复合填充的p型CamCenFexCo4-xSb12化合物的载流子浓度和电导率介于Ca或Ce一种原子单独填充的化合物之间,且随两种原子填充分数m+n的增加而降低;赛贝克系数随两种原子填充总量,尤其是Ce填充分数m的增加以及温度的上升而增加;在相同填充分数时,两种原子复合填充的p型CamCenFexCo4-xSb12化合物的晶格热导率较Ca或Ce一种原子单独填充的化合物的晶格热导率低,当总填充分数m+n为0.3左右,且Ca和Ce的填充量大致相等时,化合物的晶格热导率最低.p型Cao18Ce0.12Fe1.45Co2.55Sb12.21化合物的最大热电性能指数ZT值在750K时达到1.17. 相似文献
62.
用高温熔融、淬火、扩散退火结合放电等离子烧结(SPS)法合成了Ca和Ce复合填充的单相CamCenFexCo4-xSb12(m=0.17—0.27,n=0.05—0.25,x=1.5)化合物,并结合Rietveld结构解析以及X射线光电子能谱(XPS)分析研究了两种原子复合填充skutterudite化合物的结构与填充状态.Rietveld结构解析表明,CamCenFe1.5Co2.5Sb12化合物具有skutterudite结构,Ca和Ce原子填充到了Sb的二十面体空洞中,填充原子热振动参数BCa/Ce远大于框架原子的热振动参数BFe/Co和BSb.XPS元素窄区谱分析结果表明,Sb原子在结构中有五种化学状态,每种化学状态的相对含量主要由总填充分数决定,填充原子Ca在Sb的二十面体空洞出现概率有三种可能,但在中心位置出现的概率最大.
关键词:
skutterudite化合物
双原子复合填充
结构
X射线光电子能谱分析 相似文献
63.
针对非对称数据的拟合问题, 构造了由相互独立的正态随机变量与Γ随机变量之比|X/Y|所构成的随机变量, 利用补余误差函数的性质推导了|X/Y|的密度函数与分布函数, 并讨论了其分布特征. 结果表明, 所给出的分布具有尖峰、 细腰和右偏的特性, 能更准确地刻画数据特征. 相似文献
64.
基于图神经网络的推荐算法通过从图中获取知识,提高了推荐的可解释性.然而随着推荐系统网络数据规模的不断扩大,用户-项目评分矩阵呈现出稀疏性问题,图神经网络难以学习到高质量的网络节点特征,导致推荐质量下降.本文将图神经网络与异质信息网络相结合,提出一种基于异质图神经网络的推荐算法.该算法使用异质信息网络对多源异质数据进行联合解码,将注意力机制引入用户-项目交互网络和用户社交网络的用户、项目聚合表示过程,从而实现用户-项目交互和用户社交两类网络间的节点及拓扑结构特征的有效融合.两个公开数据集上的对比实验结果表明,本文提出的算法在不断稀疏化的数据集上的推荐误差比基线方法少40%. 相似文献
65.
前言自 Peppard 等人1957年发表了用 P_(204)萃取稀土以来。目前在国内外稀土元素萃取冶金中已广泛采用 P_(204)。但因 P_(204)萃取分离重稀土反萃较难,国内外开展了P_(507)萃取分离重稀土研究。据文献研究表明,P_(507)萃取重稀土顺序是 Gd、Tb、Dy、 相似文献
66.
67.
The emfs of Cu|CuSO_4|Hg_2SO_4-Hg were determined at 5 temperature points from 278.15 K to 313.15 K. Based on the Pitzer' s Equation a polynomial approximation for the determination of standard emf, E_m, was proposed. The values of E_m obtained by author's method agree with values of E_m obtained by the extended Debye-Huckel equation within experimental errors. Compared with the extrapolation result of extended Debye-Huckel equation, the uncertainty by the selecting of parameter of ion size was avoided. By the use of polynomial approximation method the standard emf's for different type cells in the literature were also determinded. The results were more satisfactary. 相似文献
68.
用熔融退火结合放电等离子烧结(SPS)技术制备了具有不同Ga填充含量的GaxCo4Sb12方钴矿化合物,研究了不同Ga含量对其热电传输特性的影响规律. Rietveld结构解析表明,Ga占据晶体学2a空洞位置,Ga填充上限约为0.22,当Ga的名义组成x≤0.25时,样品的电导率、室温载流子浓度Np随Ga含量的增加而增加,Seebeck系数随Ga含量的增加而减小. 室温下霍尔测试表明,每一个Ga授予框架0.9个电子,比Ga的氧化价态Ga3+小得多. 由于Ga离子半径相对较小,致使Ga填充方钴矿化合物的热导率κ及晶格热导率κL较其他元素填充的方钴矿化合物低. 当x=0.22时对应的样品在300K时的热导率和晶格热导率分别为3.05Wm-1·K-1和 2.86Wm-1·K-1.在600K下Ga0.22Co4.0Sb12.0样品晶格热导率达到最小,为1.83Wm-1·K-1,最大热电优值Z,在560K处达1.31×10-3K-1.
关键词:
skutterudite化合物
Ga原子填充
结构
热电性能 相似文献
69.
70.
利用中心极限定理和Slutsky定理, 证明了一类Dirichlet分布的渐近分布为正态分布. 相似文献