双叉同时进液氢化物发生器

本文介绍一种新型的双叉同时进液氢化物发生器，考察并确定了原子荧光光度法测定砷的条件，并同时应用于砷、锑等元素的测定。结构简单，操作方便，分析快速，检测限低，稳定性好。     

浅谈油田开发钕铁硼永磁体温度和环境对其性能的影响

本文简述了工作温度和环境对油田开发用钕铁硼永磁体磁性能的影响，并探讨了改善钕铁硼永磁体耐热、耐蚀性的方法。     

Birkhoff系统的Poincare—Cartan积分不变量

基于现代微分几何学，分析了作为保守系统和非保守系统的推广－Birkhoff系统的辛结构。构造Birkhoff系统的Poincare-Cartan积分不变量。最后，将一维阻尼振动作为示例，求出其Poincare积分不变量。     

Cl＋HD反应产物的极化与态分析

利用准经典轨线理论，在BW2和G3两个势能面上，研究了Cl+HD反应的动力学。计算结果表明，产物的转动取向对势能面及反应体系的质量因子非常敏感，在BW2势能面上，计算的两个产物的转动取向强于在G3势能面上计算的结果，而无论是在BW2势能面上还是在G3势能面上，DCl产物的取向都强于HCl产物的取向。计算结果还表明，在不同的势能面上反应物的转动激发对反应的影响有着显著的不同。在BW2势能面上，反应物的初始转动激发有利于Cl+HD反应的进行；而在G3势能面上，反应物的初始转动激发消弱了反应的反应性。     

染料分子吸附在正、负电性纳米银上的荧光增强及荧光猝死现象

制备了两种不同表面电性的胶态纳米银，选取阴离子型染料分子荧光素钠、既有阴离子基团又有阳离子的染料分子罗丹明B，研究其在两种纳米银表面的荧光增强及荧光猝死现象，当罗丹明B（RhB）分子分别吸附在这两种纳米银上时，对负电性纳米银，观察到荧光猝死、荧光峰红移现象，且在分子的浓度适当时，加入KBr可获得较强的表面增强拉曼光谱：在正电性纳米银上，当分子的浓度较大时观察到荧光猝灭，当分子的浓度较小时观察到荧光增强，而当荧光素钠分子（FS）分别吸附在这两种纳米银上时，在负电性纳米银，观察到荧光猝死；在正电性纳米银上观察荧光急剧增强现象，从分子的结构及纳米银表面局域场增强或无辐射通道的增加对增强和猝灭的原因作了讨论。     

磁控溅射制备W掺杂VO2/FTO复合薄膜及其性能分析

为了获得相变温度低且热致变色性能优越的光学材料, 室温下在F:SnO₂ (FTO)导电玻璃基板表面沉积钨钒金属膜, 再经空气气氛下的热氧化处理, 制备了W掺杂VO₂/FTO复合薄膜, 利用X射线光电子能谱、X射线衍射和扫描电镜对薄膜的结构和表面形貌进行了分析. 结果表明: 高温热氧化处理过程中没有生成W, F, V混合氧化物, W以替换V原子的方式掺杂. 与采用相同工艺和条件制备的纯VO₂/FTO复合薄膜相比, W掺杂VO₂薄膜没有改变晶面取向, 仍具有(110)晶面择优取向, 相变温度下降到35 ℃左右, 热滞回线收窄到4 ℃, 高低温下的近红外光透过率变化量提高到28%. 薄膜的结晶程度明显提高, 表面变得平滑致密, 具有很好的一致性, 对光电薄膜器件的设计开发和工业化生产具有重要意义. 关键词： W掺杂 2')" href="#">VO₂ FTO导电玻璃 磁控溅射     

广义Stirling数及其性质

This paper gives a common generalization of generalized stirling number in [1]-[9].namely (x|a)n=∑k≥0 Aa,b(n,k)(x|b)k and obtains some properties..     

用三坐标测量机调整掠入射光栅谱仪

用三坐标测量机调整掠入射光栅谱仪是我们在研制掠入射光栅谱仪中采用的新方法．我们用这种方法研制了一台曲率半径为１ｍ的光栅谱仪，在２—３２ｎｍ波段范围内，谱线分辨达０．００５ｎｍ，与通常采用的用光源摄谱调整光栅谱仪的方法相比，节省了人力、物力，缩短了研制周期．     

^95Zr核的高自旋态研究

利用102MeV的^28Si束流，通过^60Ni(^28Si，2pn)熔合蒸发反应布居了^85Zr核的高自旋态，测量了γ-γ符合及DCO比值，建立了一个有43条能级，75条γ跃迁的能级纲图，新增加了36条γ跃迁，25条能级。将能级自旋推高到（49/2^ ），首次观察到了转边带的第二回弯。并确认了一条建立在17/2^-负字称带上的磁转动带。     

超形变奇—奇核^194RI中的双堵塞效应

采用处理含有对力的推转壳模型的粒子数字恒方法研究了A－190区奇奇核194TI中6条超形变带，计算结果与实验符合得非常好，根据我们的PNC计算结果，分别指定了194TI的6条超形变带的组态，详细分析了质子和中子的堵塞效应对转动惯形的影响，转动惯量随转动频率的变化主要来源于高N闯入壳（对中子N＝7，对质子N＝6）的贡献，而其他大壳对转动惯量的贡献基本上不随转动频率变化。