多功能电子表的设计

针对人们对多功能电子表需求的增加,利用单片机原理及技术设计了一款基于STC89C51芯片且具有多种功能用途的电子表。此款电子表不仅具有日常的时间显示功能,还具有闹钟、事件提醒等多种功能。     

高校综合信息门户建设实践探讨

该文通过哈尔滨工程大学校园综合信息门户建设实践,探讨校园综合信息门户建设与完善,以此供其它高校借鉴与研究,总结经验,共同探讨未来高校信息化建设的发展。     

旋转式泵类填料密封的动态设计研究

对离心泵填料的受力进行了理论分析,通过实验找到了影响泄漏量的因素,如压紧力,填料摩擦系数,初始间隙,密封环长度等。通过对填料环的动态设计,用ＰＴＥＥ－聚苯酯－石墨自润滑复合材料的做离心泵的填料。测试表明,泵的性能明显的地好于使用石棉填料,解决了泵的泄漏。     

S-Index:一种面向大规模RDF数据的高效率语义索引方案

大规模RDF数据的高效查询和推理是语义Web研究中关键问题.通过研究RDFS推理规则,结合ORDPATH编码机制,提出了一种新的大规模RDF数据的索引构建方案——S-Index.S-Index的一个显著特点是,通过对RDF数据的查询即可得到RDFS蕴含知识,实现了离线推理.对RDF数据中的ABox和TBox进行区分,通过ORDPATH编码,分别构建TBox中的Class和Property子父关系,以及domain和range关系的语义信息.将构建的语义编码信息持久化到RDF三元组索引中,使得三元组索引承载有语义信息,也即构成语义索引并最终持久化到底层数据库.设计并进行了一系列实验,对比了语义索引与一般索引在存储和查询时的性能.实验结果表明,S-Index语义索引在没有给不支持语义的传统RDF索引增加显著额外负担和开销的情况下,获得了在查询时对推理的有效支持.     

水杨醛双缩二氨基硫脲二丁基锡配合物的合成及杀菌活性研究

利用1,5-水杨醛双缩二氨基硫脲席夫碱与二丁基氧化锡为原料,在苯-甲苯混合溶剂中回流反应合成了有机锡席夫碱配合物,用元素分析、红外光谱、核磁共振谱对目标化合物结构进行了结构表征,并用X-射线单晶衍射对其结构进行了确证.晶体结构分析表明,标题配合物的晶体属三斜晶系,P-1空间群,每个独立单元中含有两个分子结构单元,晶胞参数:a=1.29705(6)nm,b=1.36654(7)nm,c=1.68517(8)nm,α=72.059(1)o,β=87.339(1)o,γ=63.435(1)o,V=2.5270(2)nm3,Z=4,Dcalc =1.433 g/cm3,μ=1.119 mm-1,F(000)=1112,R1=0.0563,wR2=0.1530.分子间经典的N-H...N氢键使分子相互缔合形成二聚体,后者再通过范德华作用力结合堆积形成完全的晶体结构.杀菌活性测定结果表明,标题化合物及其类似物的杀菌活性具有较大的选择性,对苏云金杆菌(B.thuringiensis)和枯草杆菌(B.Subtilis)的杀菌能力较高,而对大肠杆菌(E.Coli)和金黄色葡萄球菌(S.Aureus)的杀菌能力较低.     

在大学数学中开设数学实验的实践研究

在大学数学中开设数学实验对学生学习数学知识、提高数学能力、培养数学思维意识及应用数学分析问题、解决问题都是十分必要的.在高等数学课中开设数学实验的实践研究过程中,得到一些收获和启示,对数学实验的教育教学功能做出认知与思维的心理学分析.     

播种深度对入侵植物三叶鬼针草种子出苗和幼苗生长的影响

以外来入侵植物三叶鬼针草为实验材料,通过室内生物测定的方法,研究了三叶鬼针草种子出苗和幼苗生长对不同播种深度的响应.结果表明,三叶鬼针草种子出苗率随播种深度的增加呈下降趋势,0 cm时出苗率最高为80.66%,1.50 cm时最低40.66%,且与0、0.50和1.00 cm处理存在显著差异.随着播种深度的增加,三叶鬼针草幼苗根长、根数及干重呈先上升后下降趋势,且0.50和1.00 cm处理间基本没有显著差异,却显著高于1.50 cm处理.幼苗苗高随播种深度增加而降低,且1.50 cm处理显著低于前3个处理.表明0.50~1.00 cm播种深度适宜于三叶鬼针草种子出苗及幼苗生长,而0或1.50 cm不利于其出苗和幼苗生长.     

非晶Nb-Ni薄膜用于Cu与Si之间阻挡层的性能和结构的研究

采用射频磁控溅射法架构了Cu(50 nm)/Nb-Ni(50 nm)/Si异质结,利用四探针电阻测试仪、X射线衍射仪和原子力显微镜等研究了样品在不同温度下高真空退火后的结构及输运性质.结果表明:经退火处理后的样品的方块电阻均小于常温下样品的方块电阻;X射线衍射图谱中,各个退火温度下均没有Nb-Ni结晶峰和其它杂峰出现;在AFM图像中,随着退火温度的上升,样品表面的粗糙度逐渐增加,晶粒的尺寸也在逐渐增大,直到当退火温度达到750℃左右,样品表面布满了岛状晶粒进而导致阻挡层失效.     

CO在脉冲电晕场中氧化的实验研究

对ＣＯ在脉冲电晕场中的氧化脱除进行了实验研究。研究表明，采用高压超窄脉冲流柱电晕放电可使ＣＯ的氧化脱除率达８０％以上。