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采用电子束光刻和感应耦合等离子刻蚀等工艺,研制了一种基于绝缘硅材料的的微环谐振可调谐滤波器.滤波器微环半径为5 μm左右,波导截面尺寸为(350~500 nm)×220 nm不等.测试结果表明,波导宽度为450 nm时器件性能最为理想,其自由频谱宽度为16.8 nm,1.55 μm波长附近的消光比为22.1 dB.通过对微环滤波器进行热光调制,在21.4 ℃~60 ℃温度范围内实现了4.8 nm波长范围的可调谐滤波特性,热光调谐效率达到0.12 nm/℃.研究了基于单环和双环的多通道上下载滤波器,实验结果表明多通道滤波器的信号传输存在串扰,主要是不同信道之间的串扰,尤其在信号上载时,会在相邻信道产生较大串扰. 相似文献
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李建光 《山东师范大学学报(自然科学版)》1983,(1)
近几年来,田径运动的各项技术有些新的发展,不少项目在主要技术环节上都有较大的变革.例如:投掷铁饼的技术由过去的"跨跳式"改换成"换步式",标枪技术由过去的侧向交叉发展到向前交叉〈即向前跨跳步〉,跨栏项目由以前的直腿压栏变成屈腿压栏;撑竿跳高由金属杆发展到尼龙杆,技术动作发生了一系列的变化;在短跑项目中注意了动作的放松,向着大步幅方向发展,更加体现了动作的合理性.随着田径运动的发展,又出现了背越式跳高和旋转推铅球等等新的技术动作.运动的发展,技术的提高,给田径运动的技术教学 相似文献
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在采用单色近似和旋波近似方法上,求得了两种立方非线性邻近相互作用双原子链振动频率位于系统线性频率带的带隙中的解析解,发现其振幅分布包络为脉冲型孤击波,且与非线性项的形式无关。 相似文献
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设计了一种基于绝缘上层硅的硅-有机物材料混合马赫-曾德干涉型高速电光调制器.利用光束传播法对顶层硅为220nm的绝缘上层硅基片上的3dB分束器/合束器的结构参数进行模拟,优化后附加损耗仅为0.106dB.为提高模式转换效率,在条形波导和slot波导之间设计了模式转换器,光耦合效率高达98.8%,实现了光模式高效转化.利用时域有限差分法模拟了slot波导平板区掺杂浓度对波导内光学损耗的影响,在几乎不产生光学损耗的情况下,得到平板区轻掺杂浓度为71017/cm3,调制器设计总损耗为0.493dB.利用薄膜模式匹配法对slot波导结构进行仿真分析,考虑slot区等效电容及平板区等效电阻对带宽的影响,优化后得到slot波导结构的限制因子为0.199.采用slot波导与强非线性有机材料LXM1结合的绝缘上层硅平台实现了强普克尔效应,得到电光调制器半波电压长度积为1.544V·mm,电学响应3dB带宽为137GHz. 相似文献
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Temperature characterizations of silica asymmetric Mach-Zehnder interferometer chip for quantum key distribution 下载免费PDF全文
Quantum key distribution (QKD) system based on passive silica planar lightwave circuit (PLC) asymmetric Mach-Zehnder interferometers (AMZI) is characterized with thermal stability, low loss and sufficient integration scalability. However, waveguide stresses, both intrinsic and temperature-induced stresses, have significant impacts on the stable operation of the system. We have designed silica AMZI chips of 400 ps delay, with bend waveguides length equalized for both long and short arms to balance the stresses thereof. The temperature characteristics of the silica PLC AMZI chip are studied. The interference visibility at the single photon level is kept higher than 95% over a wide temperature range of 12 ℃. The delay time change is 0.321 ps within a temperature change of 40 ℃. The spectral shift is 0.0011 nm/0.1 ℃. Temperature-induced delay time and peak wavelength variations do not affect the interference visibility. The experiment results demonstrate the advantage of being tolerant to chip temperature fluctuations. 相似文献
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采用等体积浸渍法制备了CeO2/HBEA催化剂,用于NH3选择性催化还原NO.考察了CeO2负载量、焙烧温度、氧浓度、空速、以及SO2和水蒸气等因素对催化剂活性的影响,并运用BET、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、热重分析(TGA)、傅里叶红外(FTIR)等手段对该催化剂进行表征,研究了催化剂的晶相、微观形貌与抗毒机制.结果显示:CeO2/HBEA催化剂具有良好的脱硝活性,高活性温度窗口在220~400℃,当反应温度为220℃、空速为12 000 h-1时,NO的转化率达96.49%.H2O的存在对催化剂的脱硝活性无明显影响.SO2一定程度抑制该催化剂的低温脱硝活性,但随着温度的升高,其脱硝活性得到一定恢复.所制备的CeO2/HBEA催化剂有良好的低温活性,能适应较高的空速,且具有较强的抗硫性和抗水中毒性能,有一定的应用前景. 相似文献
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本文建立了外加电场调制二维六角位相阵列光分束器的倒格矢理论模型, 利用数值模拟方法开展了阵列光分束器的理论研究, 对可调位相差阵列光分束器进行了分析, 得到了不同分数泰伯距离以及外加电场条件下的光强分布图. 实验设计与制备了铌酸锂二维六角位相阵列光分束器, 并对其进行了Talbot衍射光分束实验研究, 当外加电压为0.5 kV(电场为1 kV/mm)时, 观测到了Talbot衍射光分束现象, 随着外加调制电场的增大, 其衍射光分束图像越清晰, 该实验结果和理论研究结果相符. 相似文献
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在硅片上沉积厚二氧化硅的火焰水解法研究 总被引:6,自引:1,他引:5
用火焰水解和高温烧结的方法在单晶硅基片上制备了厚SiO2和B2O2-P2O2-SiO2光波导包层材料。并用扫描电镜(SEM)和X射线粉末衍射(XRD)方法对其微观形貌和物相结构进行了观察和检测。重点对硅基片上沉积厚SiO2时的龟裂和析晶问题进行了深入研究。从扫描电镜照片可以看出.火焰水解法形成的SiO2粉末呈多孔的蜂窝状结构。这种粉末具有很高的比表面积,因而很容易烧结成玻璃。X射线衍射图谱表明.这种粉末是完全非晶态的。经过烧结以后,从扫描电镜照片可以明显看出硅基片上的SiO2薄膜出现龟裂。同时,X射线衍射测试结果表明有少量SiO2析晶。而通过在SiO2中掺入B2O3、P2O5,上述龟裂和析晶完全消失。用这种工艺制备的SiO2波导包层材料厚度达到20μm以上,表面光滑、没有龟裂,而且是完全玻璃态的,可以用于制备性能优良的各种硅基二氧化硅波导器件。 相似文献
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