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采用溶胶-凝胶工艺制备La2/3A1/3MnO3(A=Ba,Yb,Eu)化合物.研究烧结温度对La2/3Ba1/3MnO3的磁性、导电性、磁电阻效应的影响.发现La2/3Yb1/3MnO3未成单相但具有巨磁电阻效应;La2/3Eu1/3MnO3为具有正交结构的绝缘体. 相似文献
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SmCo合金具有极高的单轴磁晶各向异性,成为未来高密度磁记录介质的候选材料之一.本文采用磁控溅射方法,在玻璃基片上制备了Cr(100nm)/SmCo(50 nm)/Cr(20 nm)结构的Smco薄膜,SmCo层中Sm含量为35%(原子分数).利用综合物性测试系统(PPMS)和X射线衍射(XRD)对薄膜的磁性能和晶体学结构进行了测试.结果表明,通过550℃退火20 min可以获得很好的硬磁性能,矫顽力R.达到了3183kA·m-1,XRD结果表明薄膜中同时存在磁性相SmCo5和非磁性相SmCo2等.高Sm古量的SmCo薄膜在退火温度为450℃时开始晶化,退火温度达到550℃时,晶化进行的比较完全. 相似文献
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利用磁控溅射方法在100℃的MgO单晶基片上制备了[FePt/Au]10多层膜,并研究了采用FePt/Au多层膜结构对FePt薄膜的有序化温度、矫顽力(HC)、垂直磁各向异性、晶粒尺寸以及颗粒间磁交换耦合作用的影响.磁性测试结果表明:FePt/Au多层膜在退火后具有较高的HC、良好的垂直磁各向异性、较小的晶粒尺寸且无磁交换耦合作用.截面高分辨电镜分析表明:Au可以缓解MgO和FePt之间较大的晶格错配,从而促进薄膜的垂直磁各向异性;同时,采用FePt/Au多层膜结构增加了FePt/Au界面能、应力能以及Au原子在薄膜中的扩散作用,促进了薄膜的有序化,从而有效降低了有序化温度,并且大幅度提高其HC.此外,Au原子部分扩散到FePt相的边界处,起到抑制FePt晶粒生长、隔离FePt颗粒的作用,从而显著降低了FePt晶粒的尺寸和颗粒间磁交换耦合作用. 相似文献
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用磁控溅射在热单晶MgO(100)基片上制备了[FePt/BN]多层膜,经真空热处理后,得到具有垂直取向L10-FePt/BN颗粒膜.X射线衍射结果和磁性测量的结果表明,[FePt(2nm)/BN(0.5nm)]10和[FePt(1nm)/BN(0.25nm)]20多层膜经700℃热处理1h后,均具有较好的(001)取向.[FePt(1nm)/BN(0.25nm)]20垂直矫顽力达到522kA/m,剩磁比达到0.99,开关场分布S达到0.94,FePt晶粒平均尺寸约15—20nm,适合用于将来超高密度的垂直磁记录介质.
关键词:
磁控溅射
垂直磁记录
0-FePt/BN纳米颗粒膜')" href="#">L10-FePt/BN纳米颗粒膜 相似文献
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采用直流磁控溅射法在玻璃基片上制备了Pt底层和MgO/Pt双底层的Co/Ni多层膜样品, 通过反常霍尔效应研究了不同MgO厚度和退火温度对样品垂直磁各向异性(perpendicular magnetic anisotropy, PMA)的影响. 随着底层中MgO厚度的逐渐增加, 样品的矫顽力也随之增强, 霍尔电阻变化不大; 对样品进行退火处理后发现, 单纯Pt底层的Co/Ni多层膜随着退火温度的升高, 霍尔电阻逐渐降低, 矫顽力则迅速降低, 热稳定性较差; 而当MgO/Pt双底层的样品在200 ℃退火后矫顽力大幅增加, 霍尔电阻略微有所减小, 更高的退火温度使得Co和Ni合金化, 导致多层膜的PMA特征减弱. 相似文献
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