Spin polarization effect for Os2 molecule

Density functional Theory （DFT） （B3p86） of Gaussian03 has been used to optimize the structure of Os2 molecule. The result shows that the ground state for Os2 molecule is 9-multiple state and its electronic configuration is ^9∑^＋g, which shows spin polarization effect of Os2 molecule of transition metal elements for the first time. Meanwhile, we have not found any spin pollution because the wavefunction of the ground state does not mingle with wavefunctions with higher energy states. So, the fact that the ground state for Os2 molecule is a 9-multiple state is indicative of spin polarization effect of Os2 molecule of transition metal elements. That is, there exist 8 parallel spin electrons. The non-conjugated electron is greatest in number. These electrons occupy different spacious tracks, so that the energy of Os2 molecule is minimized. It can be concluded that the effect of parallel spin of Os2 molecule is larger than the effect of the conjugated molecule, which is obviously related to the effect of electron d delocalization. In addition, the Murrell-Sorbie potential functions with the parameters for the ground state ^9∑^＋g and other states of Os2 molecule are derived. Dissociation energy De for the ground state of Os2 molecule is 3.3971eV, equilibrium bond length Re is 0.2403nm, vibration frequency ωe is 235.32cm^-1. Its force constants f2, f3, and f4 are 3.1032×10^2aJ·nm^-2, -14.3425×10^3aJ·nm^-3 and 50.5792×10^4aJ·nm^-4 respectively. The other spectroscopic data for the ground state of Os2 molecule ωexe, Be and ae are 0.4277cm^- 1, 0.0307cm^- 1 and 0.6491 × 10^-4cm^-1 respectively.     

高真空热电子发射实验研究

在真空环境下,研究了阳极电压和阴极电压对金属热发射电流强弱的影响。实验结果表明,提高阳极电压和阴极电压有利于电子从阴极逸出,使发射电流得到增强,此外,提高阳极电压能够降低阴极临界电压,增大发射电流,为提高热电子发射效率提供了实验基础和理论依据。     

AlOH(CS，X1A′)分子的结构与势能函数

使用MP4方法,在6-311G(3df,3pd)基组水平上对AlOH(C_S,X¹A′)基态分子进行了几何优化,得到了它的平衡几何构型和力常数.根据原子分子反应静力学原理得到AlOH分子的电子状态和可能的离解极限.应用多体展式理论方法推导出了AlOH基态分子的解析势能函数. 关键词： AlOH 分子结构 解析势能函数 多体展式理论     

热丝辅助双偏压氢等离子体制造金刚石锥状表面研究

利用热丝辅助双偏压氢等离子体对化学气相沉积金刚石薄膜进行了纳米尺度上的表面改装,制造出锥状金刚石列阵.金刚石薄膜内在的柱状结构使氢离子在刻蚀薄膜时产生非均匀的刻蚀速率,对锥状表面的形成起着重要作用.另一方面,溅射出的含碳粒子会发生二次沉积,最终的特征表面形貌取决于刻蚀与含碳基团再沉积之间的相互竞争.栅极的使用影响基底区域放电的伏安特性,改变栅极电流可以对形成的金刚石特征表面结构进行有效调节.在处理过程中少量掺入甲烷,提高了金刚石表面附近的含碳基团浓度,促进二次成核,进而诱发均匀分布的锥状列阵. 关键词： 等离子体 表面 金刚石薄膜     

同步辐射计算机断层技术光源误差机理分析

基于同步辐射X射线的优越特性及计算机断层重建技术对材料无损检测等优点,同步辐射计算机断层重建技术被广泛应用于很多领域.本文对光源非均匀、过饱和以及过穿透的三种情形所引起同步辐射计算机断层技术重建误差的形成机理进行了分析研究,给出了三种情形所引起误差的基本形式.在此基础上,对这三种误差进行了数值模拟,模拟结果证实了分析的正确性. 关键词： 同步辐射 计算机断层 光源 误差     

金属异质波导阵列中的表面等离激元传播特性

提出了一种新的一维金属异质波导阵列的设计方案,即波导芯区周期调制的金属波导阵列.数值模拟的结果表明,金属波导芯区的周期调制引起波导中传播的表面等离激元有效折射率的周期调制,从而可在特定的波段打开一个表面等离激元带隙(如1550nm附近).通过引入合适的缺陷波导单元,可获得特定波长的高品质因子(Q=556)的表面电磁模共振.这一结果可用于设计亚波长的布拉格反射器、光发射器、滤波器等,有可能被用于未来的集成光路.     

MgH分子X2Σ+,A2Π和B2Σ+电子态的势能函数

利用QCISD(T),SAC-CI方法和cc-pVQZ,aug-cc-pVTZ,6-311 G及6-311 G(3df,2pd)基组,对MgH分子的基态X2Σ ,第一简并激发态A2Π和第二激发态B2Σ 的结构进行优化计算.通过对4个基组计算结果进行比较,得出6-311 G(3df,2pd)基组为最优基组.使用6-311 G(3df,2pd)基组和QCISD(T)方法对基态X2Σ ,SAC-CI方法对激发态A2Π和B2Σ 进行单点能扫描计算,然后采用Murrell-Sorbie函数及修正的Murrell-Sorbie C6函数进行拟合,得到了相应电子态的势能函数参数和对应的光谱常数.计算结果表明,用修正的Murrell-Sorbie C6函数计算得到的MgH分子基态和第一简并激发态的光谱常数ωe,ωexe,Be,αe与实验数据吻合很好.表明修正后的Murrell-Sorbie C6函数能更为准确地描述MgH分子的基态和第一激发态的势能函数.     

高温超导体Bi_(1.6)Pb_(0.4)Ca_2Sr_2Cu_3O_y中的表面超导相

在 Bi_(1.6)Pb_(0.4)Ca_2Sr_2Cu_3O_y 样品中存在着110K 和85K 两个超导相,样品的零电阻温度为105K.磁化率、比热以及不同温度下的 M-H 曲线测量结果均表明85K 相为表面超导相,在样品中占有较小的体积分数.文中还报道了样品的H_(c1)(0).     

α粒子激励Ne光谱测量

利用单光子计数装置测量了α粒子激励条件下Ne的光谱,实验研究了压力、组成对谱线强度的影响,在理论上对实验结果作了较详细的解释说明。提出了实现核泵浦~3He—Ne的5852(?)谱线激光的可能性。     

电多极矩跃迁选择定则的对称分析

只有由群的对称性才可能导出每个不可约表示的对称性波函数, 即对称化基函数.也只有由群的对称性才可能导出电子状态跃迁的最一般选择定则 , 即电偶极跃迁E1, 电四极跃迁E2 和 电八极跃迁E3跃迁的选择原则. 本文以 和 为例, 导出电多积跃迁的选择原则. 角动量的选择定则只是特例. 并用方法SAC-CI/6-31G 计算了 H2O和 CC的基态以及其激发态的激发能和振子强度.本文只适合单光子过程. 计算都与理论相合.