一个非等谱非线性Schr(o)dinger方程的解及其无穷守恒律

该文用Hirota方法求出一个非等谱非线性Schr(o)dinger方程的类孤子解,并给出其无穷守恒律;通过变换得到相应非等谱散焦非线性Schr(o)dingger方程的解.     

胸腺瘤手术治疗及进展

胸腺瘤是常见的前纵隔肿瘤,在临床上是一种发病率较高的肿瘤胸腺瘤绝大多数为良性,常有的症状是胸痛、胸闷、咳嗽及前胸部不适。特有的表现是合并某些综合征,如重症肌无力、单纯红细胞再生障碍性贫血、肾炎肾病综合征、红斑狼疮等。其首要治疗手段为手术治疗,术后辅助放疗在未彻底切除及晚期患者的治疗中有意义。总结2010-2017年收治的10例胸腺肿瘤患者的手术治疗及进展作一综述。     

城市污水处理厂硫化氢恶臭气体的发生及源控制

城市污水处理厂散发的硫化氢,臭阅低,可与不饱和酮反应生成其它恶臭物质,不仅严重影响周围居民的生活质量,还会腐蚀污水厂的混凝土和金属构筑物,降低处理效率,并且对污水处理厂的工作人员具有毒害作用。随着公众环保意识的提高,控制与消除城市污水处理厂硫化氢的恶臭污染已成为各国环保科研人员的研究热点之一。控制污水处理厂恶臭污染的传统方法是末端治理,即在硫化氢生成之后进行消除,与末端治理相比,预防性控制法最突出的优点在于防患于未然,抑制硫化氢生成,从源头上解决了污水处理厂硫化氢的污染问题。本文重点介绍了预防生化硫化氢生成的措施,最后提出了一些尚待解决的问题,展望了未来技术的发展方向。     

荧光水凝胶对汞离子的富集检测研究

汞离子在微生物的作用下可转化为易在生物体内积累的甲基汞,最终对人体造成损伤.因此,开发对废水中汞离子富集检测的异相传感器是监测控制水中重金属汞污染的关键.本文通过将水热反应合成的氮硫-碳点与水凝胶自组装制备了一种集富集检测一体化的荧光水凝胶.通过扫描电子显微镜(SEM)、傅里叶转换红外光谱(FTIR)、X射线光电子能谱(XPS)、透射电子显微镜(TEM)等手段对AAH进行表征,结合静态吸附法研究了不同pH、温度、时间以及多种重金属离子共存等实验条件下AAH对Hg²⁺的富集能力,并且通过荧光分析法研究了AAH对Hg²⁺的检测能力.实验结果表明, AAH的多孔结构和丰富的化学基团对Hg²⁺显示出良好的富集能力,最大吸附容量为606.06 mg/g.此外,通过荧光分析法研究了AAH对Hg²⁺的检测能力,分析结果表明AAH中的氮硫-碳点对Hg²⁺表现出了灵敏的荧光响应能力和高选择性.综上所述, AAH将在汞离子的富集监测等环境领域具有潜在的应用前景.     

双核铜(Ⅱ)-β-丙氨酸缩水杨醛席夫碱配合物与血清蛋白相互作用的共振瑞利散射光谱

合成了双核铜-β-丙氨酸缩水杨醛席夫碱配合物([Cu2(HL)2](NO3)2·2H2O,简称CuL).在与血清白蛋白相互作用的过程中,发现它们结合会引起蛋白共振瑞利散射(RRs)的急剧增强.最大RRS峰位于470/470nm.对体系的适宜反应条件、影响因素及散射强度与蛋白质浓度的关系进行了研究.结果表明,在一定浓度范围内,蛋白质浓度与散射强度成正比.该方法有较高的灵敏度,对牛血清白蛋白(BSA)和人血清蛋白(HSA)的检测范围为5.0-30.5ng/mL.考察了共存物质的干扰影响,并对蛋白质合成样品和实际样品进行分析,结果满意.     

基于生活实践的工程流体力学启发性教学初探

工程流体力学教学中需要强调理论与实践的有机结合.本文提出基于生活实践案例以问题链形式进行启发性工程流体力学教学.以总流能量方程及水头损失计算教学为例,设计了"自来水水龙头堵住一部分出口后水流喷射的距离和流量如何变化"这一简单生活实践问题,将重要知识点贯穿其中.教学应用效果表明,启发性、开放性的生活实践问题,能够很好地引导学生综合运用理论知识,解决实际问题,同时能够培养学生的生活观察和独立思考能力.     

多点侧面泵浦双包层光纤激光器的对称夹层结构

 利用基于亚波长衍射光栅理论的介质-金属-介质的对称夹层结构,对掺杂的双包层光纤进行多点泵浦,根据严格的电磁场衍射理论和光栅方程,分析了多点泵浦时,这种耦合结构的泵浦光泄露的问题,证明了多点泵浦时泵浦光的泄露率仅为15.52%,而对信号光则不存在泄露。这种对称夹层结构可以用于多个大功率激光二极管阵列的多点侧面泵浦双包层掺杂光纤中,以制作各种大功率(数kW级)稀土光纤激光器,其最大耦合效率可以达到80%以上。     

沿[1-100]方向升华法生长6H-SiC单晶

本文采用升华法沿着垂直于c轴方向的[1-100]方向生长6H-SiC单晶.利用光学显微镜对晶体表面及腐蚀后的晶片进行观察,发现沿[1-100]方向生长出的单晶与传统方法沿[0001]方向生长单晶有很多的不同之处,多型对于籽晶的继承性非常强,但是在生长过程中多型夹杂不会发生,该方法生长的晶体中没有发现螺位错(微管)缺陷.     

3英寸6H-SiC单晶的生长

SiC是宽带隙半导体材料的典型代表,具有优良的热学、力学、化学和电学性质,不但可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料,同时又是制作高温、高频、大功率电子器件的最佳材料之一,因此高质量、大直径SiC单晶的生长一直是材料研究领域的热点课题。目前美国的Cree公司在SiC单晶生长领域研发方面起步早、投入大,SiC单晶的直径达到4英寸,处于领先地位。我国在“十五”期间投入了一定的人力、物力进行了SiC单晶生长的研究,在生长2英寸SiC单晶的工作中取得了一定的成绩[1],但更大直径的SiC单晶生长技术进展缓慢,至今未见国内报道。而对…     

6H-SiC衬底片的表面处理

相比于蓝宝石,6H-SiC是制作GaN高功率器件更有前途的衬底.本文研究了表面处理如研磨、化学机械抛光对6H-SiC衬底表面特性的影响.用显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱、卢瑟福背散射谱表征了衬底表面.结果表明经过两步化学机械抛光后提高了表面质量.经第二步化学机械抛光后的衬底具有优异的表面形貌、高透射率和极小的损伤层,其表面粗糙度RMS是0.12nm.在该衬底上用MOCVD方法长出了高质量的GaN外延膜.