C60系列螺亚甲基衍生物的电化学性质

考虑到在生物、新型材料等方面的应用，采用循环伏安(CV)的方法，系统研究了11个C60螺亚甲基衍生物的电化学性质. 分析比较了螺碳原子上所连不同基团的性质及链的长度等因素对C60得电子能力的影响.结果发现，引入推电子基团，如烷基，会使C60得电子能力降低，第一个还原电位有较大的负移；引入具有拉电子性质的基团，如羧酸酯基，则会部分抵消由于C60共轭结构被破坏而引起的电位负移，结果使得电位负移值减少.增加引入基团链的长度对C60的得电子的能力影响较小.同时，对于因电化学反应所引起的异构化而使还原峰发生分裂的现象作了解释.     

叠氮烷烃环加成反应合成C60衍生物及其聚合物太阳电池的特性

通过烷基叠氮化合物与C₆₀的环加成反应合成了一系列以长链烷烃取代C₆₀的亚氨基衍生物,研究了其紫外-可见光吸收特性及电化学性质,并考察了由这些材料和聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-对苯乙炔](MEH-PPV)制成的聚合物光电池的性能.这类器件的能量转换效率介于0.13～0.37之间,随着所接烷基链的增长和支链数目的增加,衍生物的溶解度逐步提高,器件的短路电流随着衍生物溶解度的提高而增加,最高可达到1.77mA/cm²,这类器件具有较极大的光暗比,有可能首先在传感器方面得到应用.     

含有烷基侧链的杂环芴基共聚物的光电性能

通过对9,9-二辛基芴(DOF)与4,7-二噻吩-2,1,3-萘并噻二唑(DNT)共聚物(PFDNT)和9,9-二辛基芴(DOF)与4,7-二(3-己基噻吩)-2,1,3-萘并噻二唑(HDNT)共聚物(PFHDNT)的光电特性进行比较研究,发现烷基侧链上引入杂环窄带隙单体能有效提高芴基共聚物的分子量和光荧光的量子产率。共聚物PFHDNT的光致发光和电致发光峰相对于共聚物PFDNT发生了蓝移,可能是由于长烷基侧链的空间位阻减小了π^*有效共轭长度导致其发射峰发生蓝移。此外共聚物PFHDNT器件的电荧光量子效率并未由于引入烷基侧链而降低。     

新型含咔唑聚芴类共轭聚电解质及其前驱体的合成与光电性能

采用Suzuki偶合反应成功地合成了一系列在主链上具有不同含量苯并噻二唑单元的聚咔唑和含胺基芴的衍生物:聚[3,6-(N-(2-乙基己基))咔唑-2,1,3-苯并噻二唑-9,9-双(N,N-二甲基胺丙基)芴](PCzN-BTDZ);通过对所得聚合物的季铵盐化后处理得到了其相应的聚电解质衍生物:聚[3,6-(N-(2-乙基己基))咔唑-2,1,3-苯并噻二唑-9,9-(双(3′-(N,N-二甲基)-N-乙基铵)丙基)芴]二溴(PCzNBr-BTDZ)。通过对它们的电致发光性能的研究,发现所有的聚合物用高功函数铝作阴极的器件具有和用钡/铝作阴极的器件相近的发光性能,说明这类聚合物具有良好的电子注入性能。不同比例的2,1,3-苯并噻二唑(BTDZ)的引入使聚合物中发生有效的能量转移,调节了聚合物的发光颜色;同时也提高了聚合物的器件性能。其中聚合物PCzN-BTDZ1在器件结构为ITO/PEDOT/PVK/Polymer/BaAl时的效率达0.99%,高于PCzN在相同器件结构时的效率(0.14%)。     

导电高分子场发射特性研究

用掺杂樟脑磺酸的聚苯胺(PANI-CSA)形成的导电高分子制成的薄膜作为场致发射的阴极材料,用覆盖了荧光层(ZnO：Zn)的氧化铟锡(ITO)做阳极,由所制成的显示器件得到比较稳定的场致电子发射,并具有较低的场发射阈值电压。通过研究导电高分子薄膜形貌,初步分析了场发射电流机制。认为导电高分子薄膜产生场发射的原因是薄膜在高电场作用下,首先在平整的高分子薄膜表面形成了尖锥和凹陷,提高了场强增强因子(β)。     

白光有机电致发光器件进展

白光有机电致发光器件（WOLEDs）在显示和照明领域有着极大的应用前景,受到人们广泛的关注。本文从多个方面综述了WOLEDs近年来的研究进展,探讨了它的应用前景及需要解决的问题。     

不同催化体系制得的聚乙炔的空气稳定性

众所周知,聚乙炔(PA)用电子给体或受体掺杂可成为P-或n-型半导体,甚至变为金属,因而引起人们的巨大兴趣。然而由于PA含有大量共扼双键,所以不管是掺杂前还是掺杂后,都不甚稳定,从而使其在实际应用中带来一定的困难。     

聚合物双层结构实现稳定的白光发射

通过聚乙烯咔唑(PVK)和发绿光的9’9-二辛基芴(DOF)与硒芬(SeH)的共聚物(PFSeH)形成聚合物双层器件结构(ITO/PEDOT/PVK/PFSeH/Ba/A l)实现白光发射.通过优化PVK和PFSeH各层的厚度,得到了光谱稳定的白光发射.在电压为13V时该器件的最大发光效率为0.51 cd/A,相应的亮度为750 cd/m2和色坐标C IE1931为(0.32,0.32).在10~18 V的电压范围内双层器件的白光发射光谱稳定不变.双层器件发白光的原因是由于PVK层的蓝光发射和PFSeH层的绿光发射及PFSeH与PVK双层界面间形成基激复合物的红光发射.     

High-Efficiency Saturated Red Bilayer Light-Emitting Diodes： Comparative Studies with Devices from Blend of the Same Light-Emitting Polymers

High-efficient saturated red light-emitting diodes are realized based on a bilayer of phenyl-substituted poly [p- phenylene vinylene] derivative （P-PPV） and copolymer （PFO-DBT15） of 9,9-dioctylfluorene （DOFF） and 4,7-di- 2-thienyl-2,1,3-benzothiadiazole （DBT）. External electrolurninescent （EL） quantum efficiency of PFO-DBT15 is increased from 1.6% for a single-layer device to 4.7% for the bilayer device by insertion of a P-PPV layer between PEDOT （polyethylene dioxythiophene-polystyrene sulfonic acid） and PFFO-DBT15 at the current density of 35 mA/cm^2. The luminescence efficiency reaches 0.83 cd/A, and the Commission Internationale de PEelairage coordinates （CIE） become nearly x = 0.700 and y = 0.300. In comparison with the devices from PFFO-DBT15 and P-PPV blend films, the P-PPV/PFO-DBT15 bilayer device shows higher EL quantum efficiency and better stability under high current density, The improved device performance can be attributed to the charge-confinement effect at the interface of the P-PPV/PFO-DBT15 bilayer structure.     

碲、硒碲合金纳米线的可控合成

"采用一种新的化学溶液法合成了具有不同形貌的碲、硒碲合金纳米线．用十二烷基苯磺酸钠作为表面活性剂实现了对纳米线的可控合成,通过控制反应过程可以弯曲状、"V"字型的硒碲纳米线,利用XRD、TEM以及HRTEM对纳米线的形貌结构特征进行表征;以实验结果为依据讨论了纳米线的生长机理．"